CY7C1041BN
256K ×16静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
高速
— t
AA
- 15纳秒
低有功功率
- 1540兆瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅和无无铅44引脚TSOP II和
模44针（ 400密耳） SOJ包装
功能说明
该CY7C1041BN是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041BN可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06496修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月31日
[+ ]反馈
CY7C1041BN
选购指南
-15
最大访问时间
最大工作电流
广告
产业
汽车-A
最大的CMOS待机电流
广告
商业L
产业
汽车-A
3
0.5
6
15
190
210
-20
20
170
190
190
3
0.5
6
6
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
mA
单位
ns
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 0.5
电气特性
在整个工作范围
-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
自动-A
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH ，
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Comm'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
Comm'l L
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
自动-A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
-20
马克斯。
0.4
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.5
–1
–1
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
170
190
190
40
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.5
–1
–1
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
190
210
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
SB2
3
0.5
6
3
0.5
6
6
mA
mA
mA
mA
文件编号： 001-06496修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY7C1041BN
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[4]
在整个工作范围
-15
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
7
0
15
7
0
8
3
7
0
20
8
0
7
3
8
3
15
7
0
8
1
15
15
3
20
8
1
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器，它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时，必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
文件编号： 001-06496修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY7C1041BN
开关特性
[4]
在工作范围（续）
-15
参数
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
13
20
13
13
0
0
13
9
0
3
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
数据保持特性
在整个工作范围
（只有L型）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[11]
分钟。
2.0
200
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
注意事项：
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10. t
r
< 3纳秒为-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06496修订版**
第10 4
[+ ]反馈
CY7C1041BN
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
ISB
ICC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06496修订版**
第10个5
[+ ]反馈
CY7C1041BN
256K ×16静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
高速
— t
AA
- 15纳秒
低有功功率
- 1540兆瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 2.75毫瓦（最大）
2.0V数据保留（ 400
W
在2.0V保留）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅和无无铅44引脚TSOP II和
模44针（ 400密耳） SOJ包装
功能说明
该CY7C1041BN是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为262,144字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1041BN可在一个标准的44针
400密耳宽体宽SOJ和44引脚TSOP II封装
与中心的供电和接地（革命）的引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
SOJ
TSOP II
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
17
A
16
A
15
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06496修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月31日
CY7C1041BN
选购指南
-15
最大访问时间
最大工作电流
广告
产业
汽车-A
最大的CMOS待机电流
广告
商业L
产业
汽车-A
3
0.5
6
15
190
210
-20
20
170
190
190
3
0.5
6
6
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
mA
单位
ns
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V ± 0.5
电气特性
在整个工作范围
-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
自动-A
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH ，
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Comm'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
Comm'l L
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
自动-A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是的情况下的温度。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
-20
马克斯。
0.4
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.5
–1
–1
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
170
190
190
40
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
2.2
–0.5
–1
–1
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
190
210
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
SB2
3
0.5
6
3
0.5
6
6
mA
mA
mA
mA
文件编号： 001-06496修订版**
第10 2
CY7C1041BN
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 481
R1 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[4]
在整个工作范围
-15
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
[5]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
7
0
15
7
0
8
3
7
0
20
8
0
7
3
8
3
15
7
0
8
1
15
15
3
20
8
1
20
20
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5.这部分有一个电压调节器，它由5V电压降压至3.3V内部。吨
动力
时，必须首先提供一个读/写操作是前
开始。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
文件编号： 001-06496修订版**
第10 3
CY7C1041BN
开关特性
[4]
在工作范围（续）
-15
参数
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
13
20
13
13
0
0
13
9
0
3
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
数据保持特性
在整个工作范围
（只有L型）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[3]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
[11]
分钟。
2.0
200
0
t
RC
马克斯。
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
注意事项：
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10. t
r
< 3纳秒为-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
文件编号： 001-06496修订版**
第10 4
CY7C1041BN
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
ISB
ICC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06496修订版**
第10个5
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