CY7C1024DV33
3兆位（ 128K ×24 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C1024DV33是一种高性能的CMOS静态RAM
24位组织为128K字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写入装置，使芯片（ CE
1
低，CE
2
高，
和CE
3
LOW ） ，同时迫使写使能（ WE）输入低电平。
从设备读取，以便采取CE芯片
1
低，CE
2
高，和CE
3
低，而迫使输出使能（ OE ）低
和写使能（ WE） HIGH 。见
真值表
在页
7读写模式下的完整描述。
24个IO引脚（ IO
0
= 10
23
）被置于高阻抗状态
当设备被取消（ CE
1
高，CE
2
低或CE
3
高），或者当输出使能（OE ）是一个写操作期间高
操作。 （ CE
1
低，CE
2
高，CE
3
低电平和WE为低电平） 。
高速
t
AA
= 8纳秒
低有功功率
I
CC
= 225毫安在8纳秒
CMOS的低待机功耗
I
SB2
= 25毫安
3.3 ± 0.3V工作电压
2.0V数据保留
取消的时候自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和CE
3
特点
可提供无铅标准的119引脚PBGA
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
行解码器
A
(9:0)
128K X 24
ARRAY
检测放大器
IO
0
= 10
23
COLUMN
解码器
控制逻辑
CE
1
，CE
2
，CE
3
WE
OE
A
(16:10)
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-08353修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的September10 ， 2007年
CY7C1024DV33
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
....- 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............. ............................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[2]
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
I
OUT
= 0毫安CMOS电平
测试条件
[3]
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
–8
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
225
30
25
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
CE自动断电MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
目前-TTL输入
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE自动断电MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
IO电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
最大
8
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
4层印刷电路板
119-Ball
PBGA
20.31
8.35
单位
° C / W
° C / W
笔记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. CE是指CE的组合
1
，CE
2
和CE
3
。 CE为低电平时， CE
1
为低电平，CE
2
为高电平时，和CE
3
为LOW 。 CE为高电平时， CE
1
为高电平时， CE的
2
为低，或CE
3
为高。
文件编号： 001-08353修订版* B
第3 9
CY7C1024DV33
AC测试负载和波形
交流测试负载和波形图如下。
[4]
产量
Z0 = 50
50
30 pF的*
V
TH
= 1.5V
3.3V
产量
5 pF的*
*包括夹具
和范围
R1 317
R2
351
(b)
(a)
*容性负载由所有的
在测试环境中的部件
3.0V
GND
所有的输入脉冲
90%
10%
(c)
90%
10%
上升时间> 1V / ns的
下降时间： > 1V / ns的
AC开关特性
在整个工作范围
[5]
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低电平时数据有效
[3]
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7]
CE低电平时低Z
[3, 7]
CE取消高到高阻
[3, 7]
CE低电平时功率达
[3, 8]
CE取消高到掉电
[3, 8]
0
8
3
5
1
5
3
8
5
100
8
8
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
–8
民
最大
单位
笔记
4.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
(3.0V). 100
s
(t
动力
）达到最低工作后，
V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，并且输入脉冲电平为0 3.0V 。测试条件为读周期使用
如图部的输出负载）的
AC测试负载和波形
中，除非另有规定。
6. t
动力
给出的时间，该电源是在典型的V中的最小量
CC
值，直到所述第一存储器访问的处理。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
LZOE
, t
LZCE
和叔
LZWE
采用5 pF的负载电容中的（b）部分被指定为
AC测试负载和波形。
转换测量
±200
毫伏从稳态电压。
8.这些参数由设计保证，未经测试。
文件编号： 001-08353修订版* B
第4页第9
CY7C1024DV33
AC开关特性
在整个工作范围
[5]
参数
写周期
[9, 10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低电平有效写到底
[3]
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[7]
8
6
6
0
0
6
5
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
–8
民
最大
单位
（续）
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[11]
t
R [12]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 2V ，CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
[3]
民
2
25
典型值
最大
单位
V
mA
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
笔记
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
和CE
2
和CE
3
低和WE低。芯片使必须是积极，我们必须低到
开始写。任何这些信号的过渡终止写操作。输入数据建立和保持时间为参考的信号的前缘即
结束写入。
10.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 50
s.
文件编号： 001-08353修订版* B
第5 9
初步
CY7C1024DV33
3兆位（ 128K ×24 ）静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 8纳秒
低有功功率
— I
CC
= 185毫安@ 8纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 25毫安
工作3.3 ± 0.3V的电压
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和CE
3
特点
提供无铅标准的119引脚PBGA
功能说明
该CY7C1024DV33是一个高性能的CMOS静态
RAM由24位组织为128K字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写入装置，使芯片（ CE
1
低，CE
2
高
和CE
3
LOW ），而强迫写使能（ WE）输入
低。
从设备读取，以便采取CE芯片
1
低
CE
2
高和CE
3
低，而迫使输出使能（ OE ）
LOW和写使能（ WE） HIGH 。见真情，在表
该数据表的背面为阅读完整的说明
写模式。
24个I / O引脚（ I / O
0
-I / O
23
）被置于高阻抗
状态时，所有的芯片选择高或当输出
启用（ OE）是在读模式高。欲了解更多详情，
请参见本数据手册的真值表。
功能框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
128K X 24
ARRAY
检测放大器
I / O
0
-I / O
23
COLUMN
解码器
控制逻辑
CE
1
，CE
2
，CE
3
WE
OE
选购指南
–8
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
8
185
25
单位
ns
mA
mA
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-08353修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月4日
[+ ]反馈
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于
GND
[2]
.... –0.5V
至+ 4.6V
范围
广告
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
[2]
CY7C1024DV33
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............. ............................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
–8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[2]
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
I
OUT
= 0毫安CMOS电平
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
[7]
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
185
30
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
PBGA
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境）静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
热阻（结到管壳）
交流测试负载和波形
[4]
50
产量
Z
0
= 50
V
TH
= 1.5V
30 pF的*容性负载由所有的
在测试环境中的部件。
3.0V
GND
上升时间> 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
R1 317
(a)
(b)
(c)
下降时间： > 1 V / ns的
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
(3.0V). 100
s
(t
动力
）达到最小之后
工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0V ）的电压。
文件编号： 001-08353修订版**
第3页8
[+ ]反馈
初步
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低电平有效写到底
[7]
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[8]
WE低到高-Z
[8]
8
6
6
0
0
6
5
0
3
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低电平时数据有效
[7]
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8]
[5]
CY7C1024DV33
–8
描述
分钟。
100
8
马克斯。
单位
s
ns
8
3
8
5
1
5
3
5
0
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE低电平时低-Z
[7, 8]
CE取消高来高-Z
[7, 8]
CE低电平时电
[7, 9]
CE取消HIGH到掉电
[7, 9]
5
ns
注意事项：
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。测试条件为读周期使用
交流测试负载在部分所示的输出负载）中，除非另有说明。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器访问的处理。
7. CE是指CE的组合
1
，CE
2
和CE
3
。 CE是当CE为低电平有效
1
为低和CE
2
为HIGH和CE
3
为LOW 。 CE是取消HIGH，当CE
1
is
高或CE
2
低或CE
3
是高
8. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
和叔
LZOE
, t
LZCE
, t
LZWE
，被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±200
从毫伏
稳态电压。
9，这些参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
和CE
2
和CE
3
低和WE低。该芯片能必须处于活动状态，我们必须要
低到启动写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考的领先
该终止写信号的边沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-08353修订版**
第4页8
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
