024AV33
CY7C1024AV33
128K ×24静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 10纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
自动断电时取消
易于扩展内存与CE1 ， CE2 ， CE3和OE
选项
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE1 ， CE2 ， CE3 ）主动和写使能（ WE）输入低电平。
在24个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
23
）然后被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE1 ， CE2 ， CE3 ）主动和输出使能（ OE ）低
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这样的条件
中，请在存储器位置的由指定的内容
地址引脚会出现在I / O引脚。
24个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
23
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE1 ， CE3低， CE2高， WE LOW ） 。
该CY7C1024AV33可在一个标准的119焊球BGA
封装和100引脚TQFP封装。
功能说明
[1]
该CY7C1024AV33是一个高性能的CMOS静态RAM
24位组织为131,072字。容易记忆expan-
锡安是由一个低电平有效CE1 ， CE3 ，高电平有效提供
CE2 ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和三态driv-
ERS 。该设备具有自动断电功能，
取消选择时显著降低功耗。
功能框图
V
CC
V
SS
A
0
地址缓冲器
行解码器
DQ
0
存储阵列
128K X 24
I / O缓冲器
DQ
23
A
16
COLUMN
解码器
控制
CE＃
CE1#
CE2
WE＃
OE ＃
选购指南
7C1024AV33-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
10
275
15
7C1024AV33-12
12
250
15
7C1024AV33-15
15
225
15
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05149牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2002年11月13日
CY7C1024AV33
销刀豆网络gurations
（续）
100引脚TQFP
顶视图
NC
NC
A11
A12
A13
A14
A15
CE2
VCC
VSS
CE1#
CE＃
A16
A5
A4
A3
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
VSS
DQ16
DQ17
VSS
VCC
DQ18
DQ19
VSS
VCC
DQ20
DQ21
VCC
NC
NC
VSS
DQ22
DQ23
VCC
VSS
DQ12
DQ13
VCC
VSS
DQ14
DQ15
VCC
VSS
NC
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
VCC
VSS
DQ0
DQ1
VSS
VCC
DQ2
DQ3
VSS
VCC
DQ4
DQ5
VCC
NC
NC
VSS
DQ6
DQ7
VCC
VSS
DQ8
DQ9
VCC
VSS
DQ10
DQ11
VCC
VSS
NC
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
注意：
2.最小电压为= -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
NC
NC
NC
NC
A10
A9
A8
A7
OE ＃
VSS
VCC
WE＃
A6
A0
A1
A2
NC
NC
NC
NC
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V ±10%
3.3V ±10%
文件编号： 38-05149牧师* B
第11 3
CY7C1024AV33
电气特性
在整个工作范围
1024AV33-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
[3]
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.3
–3
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+3
+5
275
2.2
–0.3
–3
–5
马克斯。
1024AV33-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+3
+5
250
2.2
–0.3
–3
–5
马克斯。
1024AV33-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+3
+5
225
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
60
60
60
mA
I
SB2
15
15
15
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
10
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 480
R1 480
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
3.3V
产量
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
注意事项：
3. CE是CE1 ， CE2 ， CE3和的组合
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05149牧师* B
第11 4
CY7C1024AV33
开关特性
[5]
在整个工作范围
7C1024AV33-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE主动到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE主动到低Z
[7]
CE无效，以高Z
[6, 7]
CE主动到Power -UP
CE不活跃掉电
写周期时间
CE积极撰写完
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
10
8
7
0
0
7
5
0
3
5
0
10
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
3
5
0
12
15
9
8
0
0
8
6
0
3
6
0
5
3
6
0
15
3
10
5
0
6
3
6
10
10
3
12
6
0
6
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
[3]
分钟。
马克斯。
7C1024AV33-12
分钟。
马克斯。
7C1024AV33-15
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8, 9]
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05149牧师* B
第11个5
QQ：2881677436 复制
