CY7C1021CV33
64K ×16静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1021BV33
高速
— t
AA
= 8， 10，12，和15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 360毫瓦（最大）
数据保持在2.0V
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II ， 400 - MIL SOJ ， 48球FBGA
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
在此数据表的最后一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1021CV33是标准的44引脚TSOP提供
II型400密耳范围内的SOJ包，以及一个48的球
FBGA 。
功能说明
该CY7C1021CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
CY7C1021CV33-8
8
95
5
CY7C1021CV33-10
10
90
5
CY7C1021CV33-12
12
85
5
CY7C1021CV33-15
15
80
5
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05132牧师* C
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的二○○二年十月三十零日
CY7C1021CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
TEST
条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
1
1
1021CV33-8
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-300
95
2.0
0.3
1
1
马克斯。
1021CV33-10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
90
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
1021CV33-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
85
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
1021CV33-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
80
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
mA
mA
输出短路V
CC
=最大，
当前
[2]
V
OUT
= GND
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前-TTL
输入
自动CE
掉电
目前-CMOS
输入
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ;
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
I
SB1
15
15
15
15
mA
I
SB2
5
5
5
5
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05132牧师* C
第12页3
CY7C1021CV33
交流测试负载和波形
[4]
8 ns的设备：
产量
10-， 12-， 15 - ns的设备：
Z = 50
50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
注意：
4. AC特性（除了高Z ）的所有8 ns的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁测试
在图中所示的负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05132牧师* C
第12页4
CY7C1021CV33
开关特性
在整个工作范围
[5]
1021CV33-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[8]
t
PD[8]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
周期
[9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到
低Z
[6]
WE低到高-Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
6
8
7
7
0
0
6
5
0
3
4
7
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
8
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
9
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电平
CE为高电平
低Z
[6]
高-Z
[6, 7]
0
8
5
0
4
0
5
3
4
0
10
5
0
6
0
4
3
5
0
12
6
0
7
3
8
5
0
5
3
6
0
15
7
8
8
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1021CV33-10
分钟。
马克斯。
1021CV33-12
分钟。
马克斯。
1021CV33-15
分钟。
马克斯。
单位
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
注意事项：
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.此参数由设计保证，未经测试。
9.存储器的内部写入时间由CE较低，我们LOW和BHE / BLE低的重叠定义。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
文件编号： 38-05132牧师* C
第12页5
CY7C1021CV33
64K ×16静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1021BV33
高速
— t
AA
= 8， 10，12，和15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 360毫瓦（最大）
数据保持在2.0V
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II ， 400 - MIL SOJ ， 48球FBGA
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
在此数据表的最后一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1021CV33是标准的44引脚TSOP提供
II型400密耳范围内的SOJ包，以及一个48的球
FBGA 。
功能说明
该CY7C1021CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
CY7C1021CV33-8
8
95
5
CY7C1021CV33-10
10
90
5
CY7C1021CV33-12
12
85
5
CY7C1021CV33-15
15
80
5
单位
ns
mA
mA
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05132牧师* C
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的二○○二年十月三十零日
CY7C1021CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高电压
输入低
电压
[1]
输入负载电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
TEST
条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
1
1
1021CV33-8
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-300
95
2.0
0.3
1
1
马克斯。
1021CV33-10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
90
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
1021CV33-12
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
85
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
1021CV33-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
80
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
mA
mA
输出短路V
CC
=最大，
当前
[2]
V
OUT
= GND
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前-TTL
输入
自动CE
掉电
目前-CMOS
输入
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ;
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
I
SB1
15
15
15
15
mA
I
SB2
5
5
5
5
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05132牧师* C
第12页3
CY7C1021CV33
交流测试负载和波形
[4]
8 ns的设备：
产量
10-， 12-， 15 - ns的设备：
Z = 50
50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
注意：
4. AC特性（除了高Z ）的所有8 ns的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁测试
在图中所示的负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05132牧师* C
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CY7C1021CV33
开关特性
在整个工作范围
[5]
1021CV33-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[8]
t
PD[8]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
周期
[9]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到
低Z
[6]
WE低到高-Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
6
8
7
7
0
0
6
5
0
3
4
7
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
8
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
9
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电平
CE为高电平
低Z
[6]
高-Z
[6, 7]
0
8
5
0
4
0
5
3
4
0
10
5
0
6
0
4
3
5
0
12
6
0
7
3
8
5
0
5
3
6
0
15
7
8
8
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
1021CV33-10
分钟。
马克斯。
1021CV33-12
分钟。
马克斯。
1021CV33-15
分钟。
马克斯。
单位
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
注意事项：
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.此参数由设计保证，未经测试。
9.存储器的内部写入时间由CE较低，我们LOW和BHE / BLE低的重叠定义。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
文件编号： 38-05132牧师* C
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