CY7C1021CV26
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
=温度范围
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
- 15纳秒
优化的电压范围： 2.5V - 2.7V
低有功功率： 360毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
CMOS的最佳速度/功耗
封装形式： 44引脚TSOP II和44引脚（ 400密耳）
模压SOJ
提供的两种无铅和无无铅封装
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
在此数据表的最后一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
功能说明
该CY7C1021CV26是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
检测放大器
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
选购指南
[1]
CY7C1021CV26-15
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
15
80
10
单位
ns
mA
mA
注意：
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05589修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年3月7日
CY7C1021CV26
引脚配置
[2]
TSOP II机顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
15
引脚数
I / O类型
描述
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
1-5 ， 18-21 ，输入
24–27,
42–44
7–10,
13–16,
29–32,
35–38
22, 23, 28
17
6
39, 40
41
输入/输出
I / O
1
-I / O
16
双向数据I / O线。
用作输入或输出线视
操作。
NC
WE
CE
BHE ， BLE
OE
无连接
输入/控制
输入/控制
输入/控制
输入/控制
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。
当选择LOW ，写进行。
当选择高，一个读进行。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当高，
取消选择的芯片。
字节写选择输入，低电平有效。
BLE控制I / O
8
-I / O
1
， BHE控制
I / O
16
-I / O
9
.
输出使能，低电平有效。
控制的I / O引脚的方向。当低，
在I / O引脚被允许表现为输出。当拉高高， I / O引脚
有三态，并作为输入数据引脚。
地面的装置。
应连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。
V
SS
V
CC
12, 34
11, 33
地
电源
注意：
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05589修订版**
第2 9
CY7C1021CV26
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[3]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.5V–2.7V
电气特性
在整个工作范围
CY7C1021CV26-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路电流
[4]
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
2.0
–0.3
–3
–3
分钟。
2.3
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+3
+3
–300
80
15
10
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 2.6V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
44-lead
TSOP -II
76.92
15.86
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05589修订版**
第3 9
CY7C1021CV26
交流测试负载和波形
[6]
R1
1830
2.6 V
产量
R2
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
1976
上升时间： 1 V / ns的
下降时间： 1 V / ns的
GND
2.6V
90%
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
(a)
(b)
高阻抗特性：
2.6V
R 317
5 pF的
R2
351
产量
(c)
开关特性
在整个工作范围
[7]
CY7C1021CV26-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[10]
t
PD[10]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
15
10
10
0
0
10
8
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
7
0
15
7
3
7
0
7
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）中所示的戴维南负载测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
7.测试条件假设的2.6纳秒或更少的信号转换时间，定时1.3V的参考电平， 0输入脉冲电平为2.6V 。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
10，此参数由设计保证，未经测试。
内存11.内部写入时间由CE较低，我们LOW和BHE / BLE低的重叠定义。 CE， WE和BHE / BLE必须为低电平启动写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
文件编号： 38-05589修订版**
第4页第9
CY7C1021CV26
开关特性
在整个工作范围
[7]
（续）
CY7C1021CV26-15
参数
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
我们前高后低-Z
[8]
[8, 9]
分钟。
3
马克斯。
7
单位
ns
ns
ns
WE低到高-Z
字节使能，以结束写的
9
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ， CE， BHE和/或BLE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05589修订版**
第5 9
QQ：2880707522 复制
