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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第143页 > CY7C1021CV26-15ZSXET
CY7C1021CV26
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
特点
■
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能完成（ CE ）
和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元将
出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见真值表
在此数据表的末尾的阅读完整的说明
写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
当设备被取消（ CE HIGH ）高阻抗状态，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
低电平和WE为低电平） 。
温度范围
汽车： -40 ° C至125°C
高速
t
AA
- 15纳秒
优化电压范围： 2.5 V至2.7 V
低有功功率： 220毫瓦（最大）
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
CMOS的最佳速度/功耗
可提供无铅和无无铅44引脚TSOP II ， 44针
（ 400密耳）模压SOJ和无铅48球FBGA封装
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C1021CV26是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。此装置具有一
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64 K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05589牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一一年六月二十〇日
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
目录
选型指南................................................ ................ 3
引脚配置................................................ ............. 3
引脚定义................................................ .................. 4
最大额定值................................................ ............. 5
经营范围................................................ ............... 5
电气特性................................................ 5
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 6
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义......................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 38-05589牧师* F
第16页2
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
选购指南
描述
[1]
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-15
15
80
10
单位
ns
mA
mA
引脚配置
图1. 44引脚SOJ / TSOP II
[2]
图2. 48球FBGA封装引脚
[2]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
1
BLE
I / O
8
I / O
9
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
NC
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
NC
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
V
SS
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
NC
NC
A
8
A
12
A
9
笔记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C.
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05589牧师* F
第16页3
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
15
I / O
0
-I / O
15
NC
WE
CE
BHE ， BLE
OE
引脚数
1–5, 18–21,
24–27, 42–44
7–10, 13–16,
29–32, 35–38
22, 23, 28
17
6
40, 39
41
I / O类型
输入
输入/输出
无连接
输入/控制
输入/控制
输入/控制
输入/控制
描述
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
双向数据I / O线。
作为根据操作的输入或输出线路。
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。
当选择LOW ，写进行。当
选择高，一个读进行。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择
该芯片。
字节写选择输入，低电平有效。
BHE控制I / O
15
-I / O
8
， BLE控制
I / O
7
-I / O
0
.
输出使能，低电平有效。
控制的I / O引脚的方向。当低时，
I / O引脚都可以表现为输出。当拉高高， I / O引脚
三态，并作为输入数据引脚。
地面的装置。
应连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。
V
SS
V
CC
12, 34
11, 33
地
电源
文件编号： 38-05589牧师* F
第16页4
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度-65 ................................
C
+150
C
环境温度与
电源采用.......................................... -55
C
+125
C
电源电压上
V
CC
以相对GND
[3]
.................................- 0.5 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
.................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[3]
.............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
汽车
环境温度
–40
C
+125
C
V
CC
2.5 V–2.7 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3 V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 1.0毫安
-15
民
2.3
–
2.0
–0.3
–3
–3
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+3
+3
80
15
10
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电容
参数
[4]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时， V
CC
= 2.6 V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
参数
[4]
JA
JC
描述
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸， 4层
印刷电路板
44引脚TSOP II组
76.92
15.86
° C / W
° C / W
笔记
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V的为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05589牧师* F
第16页5
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
1兆位（ 64千× 16 ）静态RAM
特点
■
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
在此数据表的最后一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作过程中
（ CE低， WE LOW ） 。
温度范围
汽车： -40 ° C至125°C
高速
t
AA
- 15纳秒
优化电压范围： 2.5 V至2.7 V
低有功功率： 220毫瓦（最大）
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
CMOS的最佳速度/功耗
可提供无铅和无无铅44引脚TSOP II ， 44针
（ 400密耳）模压SOJ和无铅48球FPBGA包
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C1021CV26是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05589牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年12月1日
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
目录
选型指南................................................ ................ 3
引脚配置................................................ ............. 3
引脚定义................................................ .................. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 4
交流测试负载和波形....................................... 5
开关特性................................................五
开关波形................................................ ...... 7
读周期1号............................................. ........... 7
读周期2号（ OE控制） .............................. 7
写周期第1号（ CE控制） ............................... 8
写周期2号（ BLE或BHE控制） ................ 8
写周期第3号（我们控制， LOW ） .................... 9
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ...... 10
订购代码定义......................................... 10
包图................................................ .......... 11
与缩略语................................................. ....................... 13
文档约定................................................ 13
计量单位............................................... ........ 13
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 15
全球销售和设计支持....................... 15
产品................................................. ................... 15
的PSoC解决方案................................................ ......... 15
文件编号： 38-05589牧师* E
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
选购指南
[1]
–15
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
15
80
10
单位
ns
mA
mA
引脚配置
[2]
TSOP II机顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
15
引脚数
1–5, 18–21,
24–27, 42–44
I / O类型
输入
输入/输出
无连接
输入/控制
输入/控制
输入/控制
输入/控制
描述
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
双向数据I / O线。
作为根据操作的输入或输出线路。
未连接。
该管脚没有连接到模具上。
写使能输入，低电平有效。
当选择LOW ，写进行。当
选择高，一个读进行。
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当高，
取消选择的芯片。
字节写选择输入，低电平有效。
BHE控制I / O
16
-I / O
9
， BLE控制
I / O
8
-I / O
1
.
输出使能，低电平有效。
控制的I / O引脚的方向。当低时，
I / O引脚都可以表现为输出。当拉高高， I / O引脚
三态，并作为输入数据引脚。
地面的装置。
应连接到该系统的地面。
电源输入到该设备。
I / O
1
-I / O
16
7–10, 13–16,
29–32, 35–38
NC
WE
CE
22, 23, 28
17
6
BHE ， BLE 40 ， 39
OE
41
V
SS
V
CC
12, 34
11, 33
地
电源
笔记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C.
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05589牧师* E
第15 3
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度-65 ................................
C
+150
C
环境温度与
电源采用........................................... -55
C
+125
C
在V电源电压
CC
相对于GND .....- 0.5 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
................................... -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
[3]
直流输入电压
[3]
............................... -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
汽车
环境
温度
–40
C
+125
C
V
CC
2.5 V–2.7 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3 V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 1.0毫安
–15
民
2.3
–
2.0
–0.3
–3
–3
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+3
+3
80
15
10
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时， V
CC
= 2.6 V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
JA
JC
描述
测试条件
TSOP -II
76.92
15.86
单位
° C / W
° C / W
热阻（结到环境）静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
热阻（结到管壳）
笔记
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V的为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05589牧师* E
第15 4
[+ ]反馈
CY7C1021CV26
交流测试负载和波形
[5]
2.6 V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
1976
R1
1830
2.6V
GND
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
高Z特点：
2.6V
产量
5 pF的
R 317
R2
351
(a)
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
(c)
开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[9]
t
PD[9]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
CE低到低
Z
[7]
Z
[7, 8]
Z
[7, 8]
Z
[7]
OE高来高
CE高来高
15
–
3
–
–
0
–
3
–
0
–
–
0
–
–
15
–
15
7
–
7
–
7
–
15
7
–
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
–15
民
最大
单位
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
笔记
5. AC特性（高原子序数除外）都使用图（一）中所示的戴维南负载测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
在图（c）所示
6.测试条件假设的2.6纳秒或更少的信号转换时间，时间为1.3 V，输入脉冲的0电平参考电平至2.6 V.
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
500
毫伏从稳态电压。
9.此参数由设计保证，未经测试。
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第15个5
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