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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第751页 > CY7C1021BNV33L-15ZXI
CY7C1021BNV33
64K ×16静态RAM
特点
3.3V工作电压（ 3.0V - 3.6V ）
高速
— t
AA
= 10 ，12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（L版）
- 576毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 1.80毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II和400万SOJ
采用48球微型BGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1021BNV是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
SEE
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和
BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1021BNV是400密耳宽SOJ可用，
标准的44引脚TSOP II型和48球BGA小
包。
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06433修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
选购指南
-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
广告
产业
商业/工业
L
10
160
180
5
0.5
-12
12
150
170
5
0.5
-15
15
140
160
5
0.5
销刀豆网络gurations
微型BGA
（ TOP VIEW ）
1
BLE
2
OE
3
A
0
4
A
1
5
A
2
CE
I / O
2
6
NC
I / O
1
I / O
3
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
9
BHE
I / O
10
I / O
11
A
3
A
5
A
4
A
6
A
7
NC
V
SS
I / O
12
NC
V
CC
I / O
13
NC
I / O
15
I / O
14
A
14
I / O
16
NC
NC
A
8
A
12
A
9
I / O
4
V
CC
I / O
5
V
SS
I / O
7
A
15
I / O
6
A
13
A
10
WE I / O
8
A
11
NC
文件编号： 001-06433修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
直流输入电压
[1]
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安Com'l
f = f
最大
= 1/t
RC
Ind'l
1
1
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
160
120
40
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
150
170
40
2.2
–0.3
–1
–1
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
140
160
40
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
-TTL输入
f = f
最大
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
–0.3V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.3V或V
IN
<0.3V ， F = 0
I
SB2
5
500
5
500
5
500
mA
A
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
351
R 317
R 317
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
产量
相当于：戴维南
当量
30 pF的
1.73V
R2
351
GND
上升时间： 1 V / ns的
3.0V
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
注意：
1.最小电压为-2.0V少于20ns的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06433修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
开关特性
[3]
在整个工作范围
-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[4, 5]
CE低到低Z
[5]
CE高到高阻
[4, 5]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[5]
WE低到高Z
[4, 5]
字节使能，以结束写的
8
10
8
7
0
0
8
6
0
3
5
8
0
5
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
9
0
12
5
0
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
4
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
单位
写周期
[6]
数据保持特性
在整个工作范围（仅L型）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
0
t
RC
条件
[7]
分钟。
2.0
100
马克斯。
单位
V
A
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
ns
ns
注意事项：
3.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
4. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态
电压。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，而这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
7.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 001-06433修订版**
第10 4
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[11, 12]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06433修订版**
第10个5
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
一个64 K × 16静态RAM
一个64 K × 16静态RAM
特点
■
■
功能说明
[1]
该CY7C1021BNV33是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能完成（ CE ）
和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片使能实现
（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元将
出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15.
见真值表
在此数据表的背面为读一个完整的描述
写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
当设备被取消（ CE HIGH ）高阻抗状态，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE LOW时，
和WE LOW ） 。
该CY7C1021BNV33是400密耳宽SOJ可用，
标准的44引脚TSOP II型和48球迷你BGA封装。
3.3 V工作电压（ 3.0 V- 3.6 V ）
高速
t
AA
- 15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
576毫瓦（最大）
CMOS的低待机功耗
1.80毫瓦（最大）
取消时自动断电
高位和低位的独立控制
采用44引脚TSOP II和400万SOJ
采用48球微型BGA封装
■
■
■
■
■
■
■
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06433修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年3月8日
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
选购指南
-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
15
160
0.5
文件编号： 001-06433修订版* C
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
第17页2
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
目录
引脚配置................................................ ........... 4
最大额定值................................................ ............. 5
经营范围................................................ ............... 5
电气特性................................................ 5
电容................................................. ..................... 5
交流测试负载和波形....................................... 6
开关特性................................................ 7
数据保持特性....................................... 8
数据保存波形............................................... 8
开关波形................................................ ...... 9
读周期1号............................................. ........... 9
读周期2号（ OE控制） .............................. 9
写周期第1号（ CE控制） ............................. 10
写周期2号（ BLE或BHE控制） .............. 10
写周期2号（我们控制， OE低） ........... 11
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 15
文档约定................................................ 15
计量单位............................................... ........ 15
文档历史记录页............................................... .. 16
销售，解决方案和法律信息...................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 001-06433修订版* C
第17页3
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
销刀豆网络gurations
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
V
SS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
微型BGA
顶视图
1
BLE
2
OE
3
A
0
4
A
1
5
A
2
CE
I / O
1
6
NC
I / O
0
I / O
2
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
8
BHE
I / O
9
I / O
10
A
3
A
5
A
4
A
6
A
7
NC
V
SS
I / O
11
NC
V
CC
I / O
12
NC
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
NC
NC
A
8
A
12
A
9
I / O
3
V
CC
I / O
4
V
SS
I / O
6
A
15
I / O
6
A
13
A
10
WE I / O
7
A
11
NC
文件编号： 001-06433修订版* C
第17页4
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对
GND
[2]
...–0.5
V到4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
.................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[2]
.............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
3.3 V
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
自动CE掉电电流
-TTL输入
自动CE掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
= 1/t
RC
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3 V, V
IN
＆ GT ; V
CC
= 0.3 V或
V
IN
< 0.3 V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
-15
民
2.4
–
2.2
–0.3
–1
–1
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3 V
0.8
+1
+1
160
40
500
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
最大
6
8
单位
pF
pF
笔记
2.最小电压为-2.0 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06433修订版* C
第17页5
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
64K ×16静态RAM
特点
3.3V工作电压（ 3.0V - 3.6V ）
高速
— t
AA
= 10 ，12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（L版）
- 576毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 1.80毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II和400万SOJ
采用48球微型BGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1021BNV是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
SEE
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和
BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1021BNV是400密耳宽SOJ可用，
标准的44引脚TSOP II型和48球BGA小
包。
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ / TSOP II
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06433修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一○年十二月一十四日
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
选购指南
-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
广告
产业
商业/工业
L
10
160
180
5
0.5
-12
12
150
170
5
0.5
-15
15
140
160
5
0.5
销刀豆网络gurations
微型BGA
（ TOP VIEW ）
1
BLE
2
OE
3
A
0
4
A
1
5
A
2
CE
I / O
2
6
NC
I / O
1
I / O
3
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
9
BHE
I / O
10
I / O
11
A
3
A
5
A
4
A
6
A
7
NC
V
SS
I / O
12
NC
V
CC
I / O
13
NC
I / O
15
I / O
14
A
14
I / O
16
NC
NC
A
8
A
12
A
9
I / O
4
V
CC
I / O
5
V
SS
I / O
7
A
15
I / O
6
A
13
A
10
WE I / O
8
A
11
NC
文件编号： 001-06433修订版* B
第11 2
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.............................. -65℃至+ 150℃
环境温度与
电源应用.......................................... -55℃至+ 125
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
直流输入电压
[1]
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
.... -0.5V至+ 4.6V
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0℃ + 70℃
-40°C至+ 85°C
V
CC
3.3V
10%
3.3V
10%
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安Com'l
f = f
最大
= 1/t
RC
Ind'l
1
1
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
160
120
40
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
150
170
40
2.2
–0.3
–1
–1
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
140
160
40
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
-TTL输入
f = f
最大
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
–0.3V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.3V或V
IN
<0.3V ， F = 0
5
500
5
500
5
500
mA
A
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25°C ， F = 1兆赫
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
351
R 317
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
30 pF的
1.73V
R2
351
GND
上升时间： 1 V / ns的
R 317
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
产量
相当于：戴维南
当量
注意：
1.最小电压为-2.0V少于20ns的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06433修订版* B
第11 3
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
开关特性
[3]
在整个工作范围
-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R[9]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[4, 5]
CE低到低Z
[5]
CE高到高阻
[4, 5]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[5]
WE低到高Z
[4, 5]
字节使能，以结束写的
8
10
8
7
0
0
8
6
0
3
5
8
条件
[7]
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
0
t
RC
0
5
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
9
0
12
5
0
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
4
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
单位
写周期
[6]
数据保持特性
在整个工作范围（仅L型）
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
分钟。
2.0
100
马克斯。
单位
V
A
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
ns
ns
注意事项：
3.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
4. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
500
毫伏从稳态
电压。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，而这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
7.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 001-06433修订版* B
第11 4
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
3.0V
t
CDR
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[11, 12]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
高
阻抗
IICC
CC
IISB
SB
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06433修订版* B
第11个5
[+ ]反馈
CY7C1021BNV33
64K ×16静态RAM
特点
3.3V工作电压（ 3.0V - 3.6V ）
高速
— t
AA
= 10 ，12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率（L版）
- 576毫瓦（最大）
CMOS低待机功耗（L版）
- 1.80毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II和400万SOJ
采用48球微型BGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1021BNV是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
SEE
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和
BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1021BNV是400密耳宽SOJ可用，
标准的44引脚TSOP II型和48球BGA小
包。
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ / TSOP II
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06433修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
CY7C1021BNV33
选购指南
-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
广告
产业
商业/工业
L
10
160
180
5
0.5
-12
12
150
170
5
0.5
-15
15
140
160
5
0.5
销刀豆网络gurations
微型BGA
（ TOP VIEW ）
1
BLE
2
OE
3
A
0
4
A
1
5
A
2
CE
I / O
2
6
NC
I / O
1
I / O
3
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
9
BHE
I / O
10
I / O
11
A
3
A
5
A
4
A
6
A
7
NC
V
SS
I / O
12
NC
V
CC
I / O
13
NC
I / O
15
I / O
14
A
14
I / O
16
NC
NC
A
8
A
12
A
9
I / O
4
V
CC
I / O
5
V
SS
I / O
7
A
15
I / O
6
A
13
A
10
WE I / O
8
A
11
NC
文件编号： 001-06433修订版**
第10 2
CY7C1021BNV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
直流输入电压
[1]
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0毫安Com'l
f = f
最大
= 1/t
RC
Ind'l
1
1
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
160
120
40
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
150
170
40
2.2
–0.3
–1
–1
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+1
140
160
40
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
-TTL输入
f = f
最大
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
–0.3V,
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.3V或V
IN
<0.3V ， F = 0
I
SB2
5
500
5
500
5
500
mA
A
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
351
R 317
R 317
3.3V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
产量
相当于：戴维南
当量
30 pF的
1.73V
R2
351
GND
上升时间： 1 V / ns的
3.0V
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
注意：
1.最小电压为-2.0V少于20ns的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06433修订版**
第10 3
CY7C1021BNV33
开关特性
[3]
在整个工作范围
-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[4, 5]
CE低到低Z
[5]
CE高到高阻
[4, 5]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[5]
WE低到高Z
[4, 5]
字节使能，以结束写的
8
10
8
7
0
0
8
6
0
3
5
8
0
5
12
9
8
0
0
8
6
0
3
6
9
0
12
5
0
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
4
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
单位
写周期
[6]
数据保持特性
在整个工作范围（仅L型）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
Com'l
V
CC
= V
DR
= 2.0V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
0
t
RC
条件
[7]
分钟。
2.0
100
马克斯。
单位
V
A
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
ns
ns
注意事项：
3.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
4. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态
电压。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，而这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
7.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9. t
r
＆ LT ; 3纳秒为-12和-15速度。吨
r
< 5纳秒为-20和较慢的速度。
文件编号： 001-06433修订版**
第10 4
CY7C1021BNV33
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ;
2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[11, 12]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 001-06433修订版**
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