CY7C1021BN
CY7C10211BN
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒（商业）
— t
AA
= 15纳秒（汽车）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 825毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供无铅和无无铅44引脚TSOP II和
44引脚400密耳宽SOJ
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1021BN / CY7C10211BN是提供标准
44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。
客户应使用部件号CY7C10211BN时
订购零件10纳秒吨
AA
和CY7C1021BN时
订购12纳秒至15纳秒吨
AA
.
功能说明
[1]
该CY7C1021BN / CY7C10211BN是一个高性能的
CMOS静态RAM （16位）组织为65,536字。这
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
逻辑框图
针
CON连接gurations
DATA IN
DRIVERS
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
SOJ / TSOP II
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”上http://www.cypress.com
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06494修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月28日
[+ ]反馈
CY7C1021BN
CY7C10211BN
选购指南
7C10211B-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
最大的CMOS待机电流（mA ） Com'l / Ind'l
Com'l / Ind'l （L版）
汽车-A （L版）
汽车-E
10
0.5
10
0.5
10
150
7C1021B-12
12
140
7C1021B-15
15
130
130
130
10
0.5
0.5
15
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
15
I / O
1
-I / O
16
NC
WE
CE
BHE ， BLE
OE
SOJ ， TSOP引脚数
1–5,18–21, 24–27, 42–44
7–10, 13–16, 29–32,
35–38
22, 23, 28
17
6
40, 39
41
I / O类型
输入
描述
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
输入/输出
双向数据I / O线。
用作根据输入或输出线
在操作。
无连接
未连接。
未连接到模具上。
输入/控制
写使能输入，低电平有效。
当选择低，一个是写
进行。当取消选择高，一个读进行。
输入/控制
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当
HIGH ，取消选择的芯片。
输入/控制
字节写选择输入，低电平有效。
BHE控制I / O
16
-I / O
9
,
BLE控制I / O
8
-I / O
1
, .
输入/控制
输出使能，低电平有效。
控制的I / O引脚的方向。
当低时，I / O引脚被允许表现为输出。当
拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚。
地
地面的装置。
应连接到的接地
系统。
V
SS
V
CC
12, 34
11, 33
电源
电源输入到该设备。
文件编号： 001-06494修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY7C1021BN
CY7C10211BN
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
[2]
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度（T
A
)
[3]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[2]
输入漏
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
I
OZ
输出泄漏GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
当前
输出禁用
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
I
CC
V
CC
工作V
CC
=最大，
供应电流I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
自动CE
掉电
目前-TTL
输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
40
40
150
140
1
+1
–1
+1
TEST
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
1
-10
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
2.2
–0.5
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
2.2
–0.5
–1
–1
–4
–1
–1
–4
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+1
+4
+1
+1
+4
130
130
130
40
40
50
10
0.5
10
0.5
10
0.5
0.5
15
mA
mA
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
I
SB1
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
IH
汽车-A
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
汽车-E
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
CC
– 0.3V,
Com'l / Ind'l （L）的
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
< 0.3V ， F = 0汽车-A （L ）
汽车-E
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06494修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY7C1021BN
CY7C10211BN
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
44引脚SOJ
64.32
31.03
44针TSOP -II
76.89
14.28
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循的标准测试方法
（结到环境）和用于测量热手续
热阻阻抗，按照EIA / JESD51 。
（结点到外壳）
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
255
R 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
30 pF的
R2
255
255
GND
R 481
3.0V
90%
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
下降时间： 1 V / ns的
产量
相当于：戴维南
当量
1.73V
开关特性
[5]
在整个工作范围
7C10211B-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态
电压。
文件编号： 001-06494修订版**
第10 4
[+ ]反馈
CY7C1021BN
CY7C10211BN
开关特性
[5]
在工作范围（续）
7C10211B-10
参数
写周期
[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
7
10
8
7
0
0
5
0
3
5
8
12
9
8
0
0
6
0
3
6
9
15
10
10
0
0
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[10, 11]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
数据输出
高
阻抗
注意事项：
8.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，和这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿是
结束写入。
9.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
文件编号： 001-06494修订版**
第10个5
[+ ]反馈
CY7C1021BN
CY7C10211BN
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒（商业）
— t
AA
= 15纳秒（汽车）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 825毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供无铅和无无铅44引脚TSOP II和
44引脚400密耳宽SOJ
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1021BN / CY7C10211BN是提供标准
44引脚TSOP II型和44引脚400密耳宽SOJ封装。
客户应使用部件号CY7C10211BN时
订购零件10纳秒吨
AA
和CY7C1021BN时
订购12纳秒至15纳秒吨
AA
.
功能说明
[1]
该CY7C1021BN / CY7C10211BN是一个高性能的
CMOS静态RAM （16位）组织为65,536字。这
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
逻辑框图
针
CON连接gurations
DATA IN
DRIVERS
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
SOJ / TSOP II
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参阅赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”上http://www.cypress.com
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06494修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年9月28日
CY7C1021BN
CY7C10211BN
选购指南
7C10211B-10
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
最大的CMOS待机电流（mA ） Com'l / Ind'l
Com'l / Ind'l （L版）
汽车-A （L版）
汽车-E
10
0.5
10
0.5
10
150
7C1021B-12
12
140
7C1021B-15
15
130
130
130
10
0.5
0.5
15
引脚德网络nitions
引脚名称
A
0
–A
15
I / O
1
-I / O
16
NC
WE
CE
BHE ， BLE
OE
SOJ ， TSOP引脚数
1–5,18–21, 24–27, 42–44
7–10, 13–16, 29–32,
35–38
22, 23, 28
17
6
40, 39
41
I / O类型
输入
描述
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
输入/输出
双向数据I / O线。
用作根据输入或输出线
在操作。
无连接
未连接。
未连接到模具上。
输入/控制
写使能输入，低电平有效。
当选择低，一个是写
进行。当取消选择高，一个读进行。
输入/控制
芯片使能输入，低电平有效。
当低，选择芯片。当
HIGH ，取消选择的芯片。
输入/控制
字节写选择输入，低电平有效。
BHE控制I / O
16
-I / O
9
,
BLE控制I / O
8
-I / O
1
, .
输入/控制
输出使能，低电平有效。
控制的I / O引脚的方向。
当低时，I / O引脚被允许表现为输出。当
拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚。
地
地面的装置。
应连接到的接地
系统。
V
SS
V
CC
12, 34
11, 33
电源
电源输入到该设备。
文件编号： 001-06494修订版**
第10 2
CY7C1021BN
CY7C10211BN
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压...................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
[2]
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度（T
A
)
[3]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[2]
输入漏
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
I
OZ
输出泄漏GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
当前
输出禁用
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
I
CC
V
CC
工作V
CC
=最大，
供应电流I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
自动CE
掉电
目前-TTL
输入
自动CE
掉电
电流 -
CMOS输入
Com'l / Ind'l
汽车-A
汽车-E
40
40
150
140
1
+1
–1
+1
TEST
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
1
-10
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
2.2
–0.5
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
2.2
–0.5
–1
–1
–4
–1
–1
–4
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+1
+4
+1
+1
+4
130
130
130
40
40
50
10
0.5
10
0.5
10
0.5
0.5
15
mA
mA
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
I
SB1
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
IH
汽车-A
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
汽车-E
最大。 V
CC
,
Com'l / Ind'l
CE > V
CC
– 0.3V,
Com'l / Ind'l （L）的
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
< 0.3V ， F = 0汽车-A （L ）
汽车-E
I
SB2
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06494修订版**
第10 3
CY7C1021BN
CY7C10211BN
热阻
[4]
参数
描述
测试条件
44引脚SOJ
64.32
31.03
44针TSOP -II
76.89
14.28
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循的标准测试方法
（结到环境）和用于测量热手续
热阻阻抗，按照EIA / JESD51 。
（结点到外壳）
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
255
R 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
30 pF的
R2
255
255
GND
R 481
3.0V
90%
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
下降时间： 1 V / ns的
产量
相当于：戴维南
当量
1.73V
开关特性
[5]
在整个工作范围
7C10211B-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态
电压。
文件编号： 001-06494修订版**
第10 4
CY7C1021BN
CY7C10211BN
开关特性
[5]
在工作范围（续）
7C10211B-10
参数
写周期
[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
7
10
8
7
0
0
5
0
3
5
8
12
9
8
0
0
6
0
3
6
9
15
10
10
0
0
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[10, 11]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
数据输出
高
阻抗
注意事项：
8.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，和这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿是
结束写入。
9.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
文件编号： 001-06494修订版**
第10个5
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