CY7C1021B
CY7C10211B
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒（商业&工业）
— t
AA
= 15纳秒（汽车）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 825毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II和400万SOJ
铅也可铅（Pb ） - 免费44针TSOP II
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1021B / 10211B是标准的44引脚可用
TSOP II型和400密耳宽SOJ封装。客户
订购零件时，应使用部件号CY7C10211B
10纳秒吨
AA
和CY7C1021B订购12和15纳秒时
t
AA
.
实用
描述
[1]
该CY7C1021B / 10211B是一种高性能CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
检测放大器
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05145修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年6月20日
CY7C1021B
CY7C10211B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
DC输入
电压
[2]
...................................–0.5V
到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境
温度（T
A
)
[3]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[2]
输入负载
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前-TTL
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l / Ind'l
汽车
TEST
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
1
-
1
-
7C10211B - 10 7C1021B - 12
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
-
+1
-
300
150
-
40
-
10
-
0.5
2.2
–0.5
–1
-
–1
-
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
-
+1
-
–300
140
-
40
-
10
-
0.5
2.2
–0.5
–1
-4
–1
-4
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+4
+1
+4
–300
130
150
40
50
10
15
0.5
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0
毫安，女= F
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
汽车
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
Com'l / Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f
汽车
= f
最大
I
SB2
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- Com'l / Ind'l
掉电
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
汽车
目前， CMOS或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
输入
L型
热阻
[5]
参数
描述
测试条件
44引脚SOJ
64.32
31.03
44-lead
TSOP -II
76.89
14.28
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循的标准试验方法和
（结到环境）的程序，用于测量热阻抗，
按照EIA / JESD51热阻。
（结点到外壳）
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05145修订版**
第10 3
CY7C1021B
CY7C10211B
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
产量
戴维南
当量
R2
255
R 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
30 pF的
1.73V
R2
255
GND
上升时间： 1 V / ns的
R 481
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
开关特性
[6]
在整个工作范围
7C10211B-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
SD
t
HD
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
数据建立到写结束
从写端数据保持
10
8
7
0
0
5
0
12
9
8
0
0
6
0
15
10
10
0
0
8
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到开始写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
文件编号： 38-05145修订版**
第10 4
CY7C1021B
CY7C10211B
开关特性
[6]
在整个工作范围
（续）
7C10211B-10
参数
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
WE高到低Z
[7]
7C1021B-12
分钟。
3
马克斯。
6
8
7C1021B-15
分钟。
3
7
9
马克斯。
单位
ns
ns
ns
分钟。
3
马克斯。
5
WE低到高Z
[7, 8]
字节使能，以结束写的
7
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
[11, 12]
t
AA
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
高
阻抗
IICC
CC
IISB
SB
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05145修订版**
第10个5
CY7C1021B
CY7C10211B
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
= 10纳秒（商业&工业）
— t
AA
= 15纳秒（汽车）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 825毫瓦（最大）
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
提供44引脚TSOP II和400万SOJ
铅也可铅（Pb ） - 免费44针TSOP II
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1021B / 10211B是标准的44引脚可用
TSOP II型和400密耳宽SOJ封装。客户
订购零件时，应使用部件号CY7C10211B
10纳秒吨
AA
和CY7C1021B订购12和15纳秒时
t
AA
.
实用
描述
[1]
该CY7C1021B / 10211B是一种高性能CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
检测放大器
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05145修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年6月20日
CY7C1021B
CY7C10211B
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
DC输入
电压
[2]
...................................–0.5V
到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车
环境
温度（T
A
)
[3]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[2]
输入负载
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前-TTL
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l / Ind'l
汽车
TEST
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
1
-
1
-
7C10211B - 10 7C1021B - 12
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
-
+1
-
300
150
-
40
-
10
-
0.5
2.2
–0.5
–1
-
–1
-
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
-
+1
-
–300
140
-
40
-
10
-
0.5
2.2
–0.5
–1
-4
–1
-4
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
2.4
0.4
6.0
0.8
+1
+4
+1
+4
–300
130
150
40
50
10
15
0.5
MAX 。 UNIT
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0
毫安，女= F
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
汽车
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
Com'l / Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f
汽车
= f
最大
I
SB2
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- Com'l / Ind'l
掉电
0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
汽车
目前， CMOS或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
输入
L型
热阻
[5]
参数
描述
测试条件
44引脚SOJ
64.32
31.03
44-lead
TSOP -II
76.89
14.28
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻测试条件遵循的标准试验方法和
（结到环境）的程序，用于测量热阻抗，
按照EIA / JESD51热阻。
（结点到外壳）
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.5V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. T
A
是外壳温度的「即时」 。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05145修订版**
第10 3
CY7C1021B
CY7C10211B
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于：
产量
戴维南
当量
R2
255
R 481
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
167
30 pF的
1.73V
R2
255
GND
上升时间： 1 V / ns的
R 481
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
开关特性
[6]
在整个工作范围
7C10211B-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
SD
t
HD
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
数据建立到写结束
从写端数据保持
10
8
7
0
0
5
0
12
9
8
0
0
6
0
15
10
10
0
0
8
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1021B-12
分钟。
马克斯。
7C1021B-15
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到开始写，
这些信号的转换可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考终止写入的信号的前沿。
文件编号： 38-05145修订版**
第10 4
CY7C1021B
CY7C10211B
开关特性
[6]
在整个工作范围
（续）
7C10211B-10
参数
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
WE高到低Z
[7]
7C1021B-12
分钟。
3
马克斯。
6
8
7C1021B-15
分钟。
3
7
9
马克斯。
单位
ns
ns
ns
分钟。
3
马克斯。
5
WE低到高Z
[7, 8]
字节使能，以结束写的
7
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
[11, 12]
t
AA
数据有效
读周期2号（ OE控制）
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
高
阻抗
IICC
CC
IISB
SB
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05145修订版**
第10个5
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