CY7C1020CV26
512 KB （ 32千× 16 ）静态RAM
特点
■
温度范围
汽车： -40 ° C至125°C
高速
t
AA
- 15纳秒
优化电压范围： 2.5V至2.7V
取消的时候自动断电
高位和低位的独立控制
CMOS的最佳速度和力量
封装： 44引脚TSOP II
■
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从内存中的数据出现在I / O
9
到I / O
16
。看
该
真值表
对于读一个完整的描述第7页
写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个高
阻抗时，取消选择器件（ CE HIGH）状态，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE的
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1020CV26可在一个标准的44针TSOP
II型。
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C1020CV26是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为32,768字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05406牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一○年十二月一十四日
[+ ]反馈
CY7C1020CV26
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对
GND
[1]
.....–0.5V
至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
...................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
范围
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.5V至2.7V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS[2]
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小，
I
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小，
I
OL
= 1.0毫安
2.0
–0.3
–5
–5
CY7C1020CV26
民
2.3
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
–300
100
40
5
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 2.6V
最大
8
8
单位
pF
pF
笔记
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05406牧师* C
第11 3
[+ ]反馈
CY7C1020CV26
图2.交流测试负载和波形
[4]
R 1830
所有的输入脉冲
2.5V
GND
上升时间： 1 V / ns的
2.6V
产量
30 pF的
90%
10%
90%
10%
R2
1976
(a)
下降时间： 1 V / ns的
(b)
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[7]
t
PD[7]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高
[5]
描述
CY7C1020CV26
民
15
15
3
15
7
0
7
3
7
0
15
7
0
7
15
10
10
0
0
10
8
0
3
4
10
最大
单位
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[5]
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[5]
CE高来高
Z
[5, 6]
CE低到通电
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
笔记
4.测试条件假设1V / ns以下， 1.3V的定时基准水平， 0输入脉冲电平为2.5V和输电线路的负载信号转换时间作为
交流测试负载（ a）所示。
5.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
6. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
500
毫伏从稳态电压。
7.此参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，和这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
文件编号： 38-05406牧师* C
第11 4
[+ ]反馈
CY7C1020CV26
开关波形
图3.读周期号1
[9, 10]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
图4.读周期2号（ OE控制）
[10, 11]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
数据输出
V
CC
供应
当前
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
高
阻抗
IICC
CC
IISB
SB
笔记
9.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05406牧师* C
第11个5
[+ ]反馈
CY7C1020CV26
512KB （ 32K ×16 ）静态RAM
特点
=温度范围
- 汽车： -40°C至125°C
高速
— t
AA
- 15纳秒
优化的电压范围： 2.5V - 2.7V
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
CMOS的最佳速度/功耗
封装： 44引脚TSOP II
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
14
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1020CV26是标准的44引脚TSOP提供
II型。
功能说明
该CY7C1020CV26是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为32,768字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
TSOP II
顶视图
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
4
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
32K ×16
RAM阵列
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
选购指南
CY7C1020CV26-15
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
15
100
5
单位
ns
mA
mA
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05406修订版**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年4月18日
CY7C1020CV26
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
直流输入电压
[1]
.................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
2.5V至2.7V
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
......................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
电气特性
在整个工作范围
CY7C1020CV26
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS[2]
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
输出短路电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 1.0毫安
2.0
–0.3
–5
–5
分钟。
2.3
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+5
+5
–300
100
40
5
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 2.6V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05406修订版**
第2页8
CY7C1020CV26
交流测试负载和波形
[4]
R 1830
2.6V
产量
30 pF的
(a)
所有的输入脉冲
2.5V
90%
R2
1976
GND
10%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
AC开关特性
在整个工作范围
CY7C1020CV26
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[7]
t
PD[7]
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[5]
WE低到高Z
[5, 6]
字节使能，以结束写的
10
15
10
10
0
0
10
8
0
3
4
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[5]
0
7
3
7
0
15
7
0
7
OE高到高Z
[5, 6]
CE低到低Z
[5]
CE高到高阻
[5, 6]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
4.测试条件假设1V / ns以下， 1.3V的定时基准水平， 0输入脉冲电平为2.5V和输电线路的负载信号转换时间作为
交流测试负载（ a）所示。
5.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
6. t
HZOE
, t
HZBE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.此参数由设计保证，未经测试。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平， WE LOW和BHE / BLE低的重叠限定。 CE， WE和BHE / BLE必须低到启动
写，而这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立时间和保持时间应参考信号的前沿
终止写入。
文件编号： 38-05406修订版**
第3页8
CY7C1020CV26
开关波形
读周期1号
[9, 10]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[10, 11]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
BHE ， BLE
t
美国能源部
t
LZOE
t
DBE
t
LZBE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZCE
t
HZBE
数据有效
t
PD
50%
IISB
SB
IICC
CC
t
HZOE
高
阻抗
数据输出
注意事项：
9.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
10.我们是高读周期。
11.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
文件编号： 38-05406修订版**
第4页8
CY7C1020CV26
开关波形
写周期第1号（ CE控制）
[12, 13]
t
WC
地址
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
BW
BHE ， BLE
t
SD
数据I / O
t
HD
t
HA
写周期2号（ BLE或BHE控制）
t
WC
地址
BHE ， BLE
t
SA
t
BW
t
AW
t
PWE
WE
t
SCE
CE
t
SD
数据I / O
t
HD
t
HA
注意事项：
12.数据的I / O为高阻抗，如果OE或BHE和BLE = V
IH
.
13.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05406修订版**
第5页8
QQ：2881677436 复制
