CY7C1019DV33
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1019CV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
易内存扩展CE和OE选项
可提供无铅32引脚400密耳宽模压SOJ ，
32引脚TSOP II和48球VFBGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1019DV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1019DV33提供无铅32引脚400密耳
全模压SOJ ，32引脚TSOP II和48球VFBGA
包。
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
CE
WE
OE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
128K × 8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05481牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一○年十二月一十四日
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
...... -0.3V到+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................ -0.3V到V
CC
+ 0.3V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
0.3V
速度
10纳秒
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
100MHz
83MHz
66MHz
40MHz
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
-10 （工业）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
60
55
45
30
10
3
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
记
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05481牧师* E
第13 3
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25°C ， F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
56.29
38.14
TSOP II VFBGA
62.22
21.43
36
9
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
3.0V
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
Z = 50
产量
30 pF的*
GND
(a)
(b)
下降时间： 1 V / ns的
高阻抗特性：
R1 317
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05481牧师* E
第13 4
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[10]
t
PD[10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[11, 12]
笔记
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取能够进行
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10，此参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
12.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05481牧师* E
第13个5
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1019CV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 60毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
易内存扩展CE和OE选项
可提供无铅32引脚400密耳宽模压SOJ ，
32引脚TSOP II和48球VFBGA封装
功能说明
[1]
该CY7C1019DV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1019DV33提供无铅32引脚400密耳
全模压SOJ ，32引脚TSOP II和48球VFBGA
包。
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
CE
WE
OE
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
128K × 8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05481牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年11月8日
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
...... -0.3V到+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................ -0.3V到V
CC
+ 0.3V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
速度
10纳秒
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
100MHz
83MHz
66MHz
40MHz
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
-10 （工业）
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
60
55
45
30
10
3
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
记
3. V
IL
（分） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05481牧师* D
第11 3
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ
56.29
38.14
TSOP II VFBGA
62.22
21.43
36
9
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
所有的输入脉冲
90%
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间： 1 V / ns的
Z = 50
产量
3.0V
GND
10%
90%
10%
30 pF的*
(a)
(b)
下降时间： 1 V / ns的
高阻抗特性：
R1 317
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05481牧师* D
第11 4
[+ ]反馈
CY7C1019DV33
开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[10]
t
PD[10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[11, 12]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取能够进行
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10，此参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
12.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05481牧师* D
第11个5
[+ ]反馈
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