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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1465页 > CY7C1019D-10VXI
CY7C1019D
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
1兆位（ 128千× 8 ）静态RAM
特点
■
■
功能说明
[1]
该CY7C1019D是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 131,072字。易内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能（CE ） ，有源低
输出使能（ OE） ，和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。八个输入和输出引脚
（IO
0
通过IO
7
）被置于高阻抗状态时：
■
■
■
引脚和功能兼容CY7C1019B
高速
t
AA
= 10纳秒
低有功功率
I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS的低待机功耗
I
SB2
= 3毫安
2.0 V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
易内存扩展CE和OE选项
功能上等同于CY7C1019B
可提供无铅32引脚400密耳宽模压SOJ和
32引脚TSOP II封装
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平） 。
■
■
■
■
■
■
■
通过采取芯片使能（ CE）和写使能写入设备
（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下
这些条件下，存储位置的指定内容
通过地址引脚上出现的IO引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
CE
WE
OE
IO0
IO1
行解码器
128K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05464牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年5月2日
[+ ]反馈
CY7C1019D
目录
引脚配置................................................ ............. 3
选型指南................................................ ................ 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
开关特性................................................ 6
数据保持特性....................................... 7
数据保存波形............................................... 7
开关波形................................................ ...... 7
读周期第1号（地址转换控制） ...... 7
读周期2号（ OE控制） .............................. 7
写周期第1号（ CE控制） ............................... 8
写周期2号（我们控制，
OE高在写） ............................................. ......... 8
写周期第3号（我们控制， OE低） ............. 9
真值表................................................ ........................ 9
订购信息................................................ ...... 10
订购代码定义......................................... 10
包图................................................ .......... 11
与缩略语................................................. ....................... 13
文档约定................................................ 13
计量单位............................................... ........ 13
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 15
全球销售和设计支持....................... 15
产品................................................. ................... 15
的PSoC解决方案................................................ ......... 15
文件编号： 38-05464牧师* G
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY7C1019D
引脚配置
SOJ / TSOPII
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
IO
0
IO
1
V
CC
V
SS
IO
2
IO
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
IO
7
IO
6
V
SS
V
CC
IO
5
IO
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
选购指南
-10 （工业）
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
10
80
3
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-05464牧师* G
第15 3
[+ ]反馈
CY7C1019D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度-65 ...............................
C
+150
C
环境温度与
电源采用.......................................... -55
C
+125
C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
..- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[2]
............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
–40
C
+85
C
V
CC
5 V
0.5 V
速度
10纳秒
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3 V或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
-10 （工业）
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
记
2. V
IL
（分钟）= -2.0 V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1 V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05464牧师* G
第15 4
[+ ]反馈
CY7C1019D
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时， V
CC
= 5.0 V
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图1. AC测试负载和波形
[4]
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸， 4层
印刷电路板
400-Mil
广SOJ
56.29
38.14
TSOP II
62.22
21.43
单位
° C / W
° C / W
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0 V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间：
3
ns
(a)
(b)
下降时间：
3
ns
高Z特点：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
R2
255
R1 480
(c)
笔记
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4. AC特性（高Z除外）均采用所示的负载条件下测试
图1
（ a）中。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
所示
图1
(c).
文件编号： 38-05464牧师* G
第15个5
[+ ]反馈
CY7C1019D
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1019B
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
易于内存扩展CE和OE选项
功能相当于CY7C1019B
提供无铅32引脚400密耳宽模压SOJ和
32引脚TSOP II封装
功能说明
[1]
该CY7C1019D是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。八个输入
和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）被放置在一个
当高阻抗状态：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平） 。
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定出现在IO引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
CE
WE
OE
IO0
IO1
行解码器
128K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05464牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一○年十二月一十四日
[+ ]反馈
CY7C1019D
引脚配置
SOJ / TSOPII
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
IO
0
IO
1
V
CC
V
SS
IO
2
IO
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
IO
7
IO
6
V
SS
V
CC
IO
5
IO
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
选购指南
-10 （工业）
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
10
80
3
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-05464牧师* F
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY7C1019D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
... -0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
0.5V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
-10 （工业）
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05464牧师* F
第13 3
[+ ]反馈
CY7C1019D
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
400-Mil
广SOJ
56.29
38.14
TSOP II
62.22
21.43
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[4]
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
30 pF的*
GND
上升时间：
3
ns
(a)
(b)
下降时间：
3
ns
高阻抗特性：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
R2
255
R1 480
(c)
笔记
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05464牧师* F
第13 4
[+ ]反馈
CY7C1019D
开关特性
（在整个工作范围内）
[5]
参数
读周期
t
电力[ 6 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
聚氨酯[9]
t
PD [9]
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[7, 8]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
民
最大
单位
笔记
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
的采用5 pF的负载电容被指定为（c）中
“交流测试负载和波形
[4]
“第4页。
当输出端输入一个过渡时测得的
高阻抗状态。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何的过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05464牧师* F
第13个5
[+ ]反馈
CY7C1019D
1兆位（ 128K ×8）静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1019B
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
易于内存扩展CE和OE选项
功能相当于CY7C1019B
提供无铅32引脚400密耳宽模压SOJ和
32引脚TSOP II封装
功能说明
[1]
该CY7C1019D是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。八个输入
和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）被放置在一个
当高阻抗状态：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平） 。
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
16
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定出现在IO引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
CE
WE
OE
IO0
IO1
行解码器
128K ×8
ARRAY
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
列解码器
动力
下
IO7
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05464牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年2月22日
[+ ]反馈
CY7C1019D
引脚配置
SOJ / TSOPII
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
IO
0
IO
1
V
CC
V
SS
IO
2
IO
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
IO
7
IO
6
V
SS
V
CC
IO
5
IO
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
选购指南
-10 （工业）
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
10
80
3
单位
ns
mA
mA
文件编号： 38-05464牧师* E
第11 2
[+ ]反馈
CY7C1019D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
... -0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
-10 （工业）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
民
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
最大
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05464牧师* E
第11 3
[+ ]反馈
CY7C1019D
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
[3]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
400-Mil
广SOJ
56.29
38.14
TSOP II
62.22
21.43
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[4]
所有的输入脉冲
90%
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
上升时间：
≤
3纳秒
Z = 50
产量
3.0V
90%
10%
30 pF的*
GND
10%
(a)
(b)
下降时间：
≤
3纳秒
高阻抗特性：
R1 480
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255
(c)
笔记
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05464牧师* E
第11 4
[+ ]反馈
CY7C1019D
开关特性
（在整个工作范围内）
[5]
参数
读周期
t
电力[ 6 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
聚氨酯[9]
t
PD [9]
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[7, 8]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
民
最大
单位
笔记
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
的采用5 pF的负载电容被指定为（c）中
“交流测试负载和波形
[4]
“第4页。
当输出端输入一个过渡时测得的
高阻抗状态。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何的过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05464牧师* E
第11个5
[+ ]反馈
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