CY7C1018CV33
128K ×8静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1018BV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
数据保持在2.0V
自动断电时取消
易于内存扩展CE和OE选项
提供无铅和无无铅300密耳宽
32引脚SOJ
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1018CV33可在一个标准的300密耳宽
SOJ 。
功能说明
[1]
该CY7C1018CV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
128K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
注意：
1.有关SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，可以在互联网上的www.cypress.com 。
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05131牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY7C1018CV33
选购指南
-10
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
Comm'l
Ind'l
5
10
90
-12
12
85
85
5
5
-15
15
80
单位
ns
mA
mA
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[2]
... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
[6]
在高阻状态.......................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
[2]
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
–10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.0
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Comm'l
Ind'l
15
–1
–1
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
85
15
15
5
5
5
5
15
2.0
–0.3
–1
–1
输出高电压V
CC
=最小值，
I
OH
= - 4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
–12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
–15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB1
自动CE
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
Comm'l
掉电电流V
IN
＆ GT ; V
IH
or
Ind'l
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
-TTL输入
自动CE
最大。 V
CC
,
Comm'l
掉电电流CE > V
CC
– 0.3V,
Ind'l
-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
I
SB2
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05131牧师* D
第2 7
[+ ]反馈
CY7C1018CV33
交流测试负载和波形
[4]
R 317
3.3V
产量
30 pF的
R2
351
GND
3.0V
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
(a)
高阻抗特性：
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
R 317
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
(c)
开关特性
在整个工作范围
[5]
-10
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[8]
t
PD[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[7]
WE低到高-Z
[6, 7]
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
0
10
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
3
5
0
12
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
0
5
3
6
0
15
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
单位
写周期
[9, 10]
注意事项：
4. AC特性（除了高Z ）的所有速度下都使用图（一）中所示的戴维南负载测试。高阻抗特性进行了测试，使用所有速度
在图中所示的试验负荷（ c）所示。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ d）所示。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.此参数由设计保证，未经测试。
9.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05131牧师* D
第3页7
[+ ]反馈
CY7C1018CV33
开关波形
读周期1号
[11, 12]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[12, 13]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
数据输出
V
CC
供应
当前
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
ICC
高
阻抗
写周期第1号（ CE控制）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
注意事项：
11.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
12.我们是高读周期。
13.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
14.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
15.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05131牧师* D
第4 7
[+ ]反馈
CY7C1018CV33
开关波形
（续）
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[14, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注16
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期第3号（我们控制， OE低）
[10, 15]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
SD
数据I / O
注16
t
HZWE
数据有效
t
LZWE
t
HD
t
PWE
t
HA
真值表
CE
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
I / O
0
-I / O
7
掉电
读
写
选择输出禁用
模式
动力
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
注意：
16.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 38-05131牧师* D
第5页第7
[+ ]反馈
CY7C1018CV33
128K ×8静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1018BV33
高速
— t
AA
= 8，10， 12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
数据保持在2.0V
自动断电时取消
易于内存扩展CE和OE选项
可在300密耳宽32引脚SOJ
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1018CV33可在一个标准的300密耳宽
SOJ 。
功能说明
[1]
该CY7C1018CV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
选购指南
7C1018CV33-8
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
8
95
5
7C1018CV33-10
10
90
5
7C1018CV33-12
12
85
5
7C1018CV33-15
15
80
5
单位
ns
mA
mA
注意：
1.有关SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，可以在互联网上的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05131牧师* C
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月13日
CY7C1018CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
[7]
在高阻状态.......................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C1018CV33 7C1018CV33 7C1018CV33 7C1018CV33
-8
-10
-12
-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS[3]
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= - 4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
95
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-300
90
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
85
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-300
80
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
15
15
15
15
mA
I
SB2
5
5
5
5
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05131牧师* C
第2 7
CY7C1018CV33
交流测试负载和波形
[5]
8 ns的设备：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
10-， 12-， 15 - ns的设备：
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
(b)
高阻抗特性：
R 317
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C1018CV33-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[9]
t
PD[9]
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从报告数据保持
变化
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
周期
[10, 11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[8]
WE低到高-Z
[7, 8]
8
7
7
0
0
6
5
0
3
4
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
8
3
4
0
10
0
4
3
5
0
12
3
8
5
0
5
3
6
0
15
8
8
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1018CV33-10 7C1018CV33-12 7C1018CV33-15
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）的所有8 ns的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁测试
在图中所示的负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ d）所示。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须为低电平启动写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05131牧师* C
第3页7
CY7C1018CV33
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
ICC
高
阻抗
数据输出
写周期第1号（ CE控制）
[15, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
15.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
16.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05131牧师* C
第4 7
CY7C1018CV33
开关波形
（续）
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[15, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注17
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期第3号（我们控制， OE低）
[11, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
SD
数据I / O
注17
t
HZWE
数据有效
t
LZWE
t
HD
t
PWE
t
HA
真值表
CE
H
X
L
L
L
OE
X
X
L
X
H
WE
X
X
H
L
H
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
I / O
0
-I / O
7
掉电
掉电
读
写
选择输出禁用
模式
动力
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
注意：
17.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 38-05131牧师* C
第5页第7
CY7C1018CV33
128K ×8静态RAM
特点
引脚和功能兼容CY7C1018BV33
高速
— t
AA
= 8，10， 12，15纳秒
CMOS的最佳速度/功耗
中心电源/接地引出线
数据保持在2.0V
自动断电时取消
易于内存扩展CE和OE选项
可在300密耳宽32引脚SOJ
设备具有自动断电功能，显著
取消选择时，可降低功耗。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY7C1018CV33可在一个标准的300密耳宽
SOJ 。
功能说明
[1]
该CY7C1018CV33是一个高性能的CMOS静态
内存由8位， 131,072字。容易记忆
膨胀是由一个低有效芯片提供使能（ CE）的
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。这
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
0
A
1
A
2
A
3
CE
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
16
A
15
A
14
A
13
OE
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
选购指南
7C1018CV33-8
最大访问时间
最大工作电流
最大待机电流
8
95
5
7C1018CV33-10
10
90
5
7C1018CV33-12
12
85
5
7C1018CV33-15
15
80
5
单位
ns
mA
mA
注意：
1.有关SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，可以在互联网上的www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05131牧师* C
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年9月13日
CY7C1018CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
[7]
在高阻状态.......................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C1018CV33 7C1018CV33 7C1018CV33 7C1018CV33
-8
-10
-12
-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS[3]
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= - 4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
95
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-300
90
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–300
85
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
-300
80
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1
15
15
15
15
mA
I
SB2
5
5
5
5
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05131牧师* C
第2 7
CY7C1018CV33
交流测试负载和波形
[5]
8 ns的设备：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
10-， 12-， 15 - ns的设备：
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
(b)
高阻抗特性：
R 317
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
开关特性
在整个工作范围
[6]
7C1018CV33-8
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[9]
t
PD[9]
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从报告数据保持
变化
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
周期
[10, 11]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[8]
WE低到高-Z
[7, 8]
8
7
7
0
0
6
5
0
3
4
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
12
9
9
0
0
8
6
0
3
6
15
10
10
0
0
10
8
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
8
3
4
0
10
0
4
3
5
0
12
3
8
5
0
5
3
6
0
15
8
8
3
10
5
0
6
3
7
10
10
3
12
6
0
7
12
12
3
15
7
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C1018CV33-10 7C1018CV33-12 7C1018CV33-15
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）的所有8 ns的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁测试
在图中所示的负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ d）所示。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.此参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须为低电平启动写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05131牧师* C
第3页7
CY7C1018CV33
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
读周期2号（ OE控制）
[13, 14]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
ICC
高
阻抗
数据输出
写周期第1号（ CE控制）
[15, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
注意事项：
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
15.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
16.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-05131牧师* C
第4 7
CY7C1018CV33
开关波形
（续）
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[15, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注17
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
写周期第3号（我们控制， OE低）
[11, 16]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
SD
数据I / O
注17
t
HZWE
数据有效
t
LZWE
t
HD
t
PWE
t
HA
真值表
CE
H
X
L
L
L
OE
X
X
L
X
H
WE
X
X
H
L
H
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
I / O
0
-I / O
7
掉电
掉电
读
写
选择输出禁用
模式
动力
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
注意：
17.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
文件编号： 38-05131牧师* C
第5页第7
QQ：2881677436 复制
