初步
CY7C1012AV25
512K ×24静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 8 ，10，12纳秒
低有功功率
- 1080兆瓦（最大）
工作2.5 ± 0.2V的电压
1.5V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
0
，CE
1
和CE
2
特点
将数据写入字节到SRAM完成时
在芯片选择控制该字节是低电平，并且写
使能输入（ WE）输入为低电平。对各个数据
输入/输出（I / O）引脚，然后写入到所指定的位置
在地址引脚（A
0
–A
16
） 。断言所有的片选的
LOW和写使能低电平将数据写入的所有24位进入
SRAM中。输出使能（ OE ）将被忽略，而在写
模式。
数据字节数，也可以从该设备可以单独读出。
读取一个字节来完成，当片选
控制该字节是低和写使能（ WE） ，而高
输出使能（OE ）保持低电平。在这些条件下，该
内存位置的内容上的地址引脚指定
将出现在指定的数据输入/输出（I / O）引脚。
断言所有的片选LOW将读取的数据的所有24位
从SRAM 。
24个I / O引脚（ I / O
0
-I / O
23
）被置于高阻抗
状态时，所有的芯片选择高或当输出
启用（ OE）是在读模式高。欲了解更多详情，
请参见本数据手册的真值表。
该CY7C1012AV25可在一个标准的119焊球BGA 。
功能说明
该CY7C1012AV25是一个高性能的CMOS静态
RAM由24位组织为512K字。每个数据字节是
由单独的芯片选择单独控制（ CE
0
，CE
1
,
CE
2
） 。 CE
0
控制着我的数据输入/输出
0
-I / O
7
，而CE
1
在控制我的数据输入/输出
8
-I / O
15
和CE
2
控制对数据
数据引脚I / O
16
-I / O
23
。该装置具有自动
掉电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
功能框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
512K ×24
ARRAY
4096 x 4096
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
I / O
16
-I / O
23
COLUMN
解码器
控制逻辑
CE
0
，CE
1
，CE
2
WE
OE
选购指南
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
-8
8
300
300
50
-10
10
275
275
50
-12
12
260
260
50
单位
ns
mA
mA
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
广告
产业
商业/工业
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05337牧师**
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2003年1月27日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对
GND
[1]
.... –0.5V
至+ 3.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
CY7C1012AV25
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.5V
±
0.2V
DC电气特性
在整个工作范围
-8
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL[1]
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
广告
产业
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
[2]
V
CC
=最小值，
I
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 1.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.0
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
300
300
100
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
2.0
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
100
2.0
–0.3
–1
–1
-10
分钟。
马克斯。
2.0
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
260
260
100
-12
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
广告
CE > V
CC
- 0.2V ， /工业
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
I
SB2
50
50
50
mA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 2.5V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. CE是指CE的组合
0
，CE
1
和CE
2
。 CE是低电平时，所有这三个信号是低电平有效的同时。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05337牧师**
第3 9
初步
交流测试负载和波形
[4]
50
产量
Z
0
= 50
V
TH
= V
DD
/2
30 pF的*
*容性负载由所有康波的
在测试环境中的元件中应用。
所有的输入脉冲
2.5V
90%
GND
上升时间> 1 V / ns的
10%
90%
10%
下降时间：
> 1 V / ns的
2.5V
产量
CY7C1012AV25
R1 317
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
351
(a)
(b)
(c)
AC开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[9, 10]
t
WC
t
SCE
写周期时间
CE
1
，CE
2
和CE
3
低到写结束
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
，CE
2
和CE
3
低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[7]
OE高到高Z
[7]
CE
1
，CE
2
和CE
3
低到低Z
[7]
CE
1
，CE
2
，或CE
3
高到高阻
[7]
CE
1
，CE
2
和CE
3
低到电
[8]
CE
1
，CE
2
，或CE
3
高到掉电
[8]
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
[7]
字节禁止以高Z
[7]
描述
[5]
-8
分钟。
1
8
8
3
8
5
1
5
3
5
0
8
5
1
5
8
6
10
7
1
0
3
1
3
马克斯。
分钟。
1
10
-10
马克斯。
分钟。
1
12
10
3
10
5
1
5
3
5
0
10
5
1
5
12
8
-12
马克斯。
单位
ms
ns
12
12
6
6
6
12
6
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
4.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 2.3V ） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 1.5V ）的电压。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.1V的参考电平， 0输入脉冲电平为2.3V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和输电线路的负荷。试验条件为，如图中a）部分所述交流测试负载，除非另有说明，所读取的周期利用输出负载。
6.这部分有一个电压调节器降压为3V的电压在内部2V 。吨
动力
时，必须在读/写操作前初始提供
被启动。
7. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和叔
LZOE
, t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZBE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±200
毫伏从稳态电压。
8.这些参数由设计保证，未经测试。
9.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
，CE
2
和CE
3
低和WE低。该芯片能必须处于活动状态，我们必须要
低到启动写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间，应参照的
导致该终止写信号的边沿。
10.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05337牧师**
第4页第9
QQ：2880707522 复制
