CY7C1011CV33
128K ×16静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1011BV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 360毫瓦（最大）
数据在2.0保留
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
易于内存扩展CE和OE特点
提供44引脚TSOP II ， 44引脚TQFP和48球
VFBGA
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1011CV33可在一个标准的44针TSOP
II封装中心的电源和地引脚， 44引脚薄型
塑料方形扁平封装（ TQFP ） ，以及一个48球细间距
球栅阵列（ VFBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1011CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为131,072字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05232牧师* B
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年10月10日
CY7C1011CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
V
CC
=最大值，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l /
Ind'l
Com'l
Ind'l
I
SB1
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
100
40
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
95
40
2.0
–0.3
–1
–1
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
90
40
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
10
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05232牧师* B
第11 3
CY7C1011CV33
交流测试负载和波形
[3]
10 ns的设备：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50
12-， 15 - ns的装置：
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
在整个工作范围
[4]
-10
参数
读周期
t
power[5]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
写周期时间
10
12
15
ns
注意事项：
3. AC特性（除了高Z ）的所有10 - ns的部件使用的（a）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁负载测试
（b）如示。高Z特性进行测试，以便使用（d ）中所示的试验负荷所有速度。
4.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器访问的处理。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
-12
马克斯。
分钟。
1
12
10
12
3
10
5
12
6
0
5
6
3
5
6
0
10
5
12
6
0
6
6
0
0
3
0
3
马克斯。
分钟。
1
15
-15
马克斯。
单位
s
ns
15
15
7
7
7
15
7
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
分钟。
1
10
3
0
3
0
0
文件编号： 38-05232牧师* B
第11 4
CY7C1011CV33
AC开关特性
在工作范围（续）
[4]
-10
参数
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[7]
WE低到高-Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
7
分钟。
7
7
0
0
7
5
0
3
5
8
马克斯。
分钟。
8
8
0
0
8
6
0
3
6
10
-12
马克斯。
分钟。
10
10
0
0
10
7
0
3
7
-15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05232牧师* B
第11个5
CY7C1011CV33
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C1011CV33是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为131,072字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
） ，被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。欲了解更多信息，请参阅
[真相
表？
第9页的读取和写入的完整说明上
模式。
的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个高
当取消选择器件（CE高电平）阻抗状态时，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE被禁用
（BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE低电平和WE
低） 。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
温度范围
商业： 0 ° C至70℃
工业： -40 ° C至85°C
汽车-A ： -40 ° C至85°C
引脚和功能与CY7C1011BV33兼容
高速
t
AA
= 10纳秒
低有功功率
360毫瓦（最大）
2.0数据保留
取消的时候自动断电
高位和低位的独立控制
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅和无无铅44引脚TSOP II ， 44针
TQFP和48球VFBGA封装
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
10
A
11
A
12
A
14
A
15
A
13
A
16
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05232牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年1月4日
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于
GND
[2]
.....–0.5V
至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
...................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
DC输入
电压
[2]
.................................. –0.5V
到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
环境
温度（T
A
)
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏
当前
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l
自动-A
Com'l / Ind'l
自动-A
Com'l
Ind'l
自动-A
I
SB1
自动电源CE认证
断电流-TTL
输入
自动电源CE认证
断电流 - CMOS
输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
Com'l / Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动-A
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
- 0.3V ， Com'l / Ind'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
自动-A
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
–1
–1
-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
+1
+1
90
100
100
40
40
10
10
10
10
mA
40
40
mA
85
95
80
mA
–1
+1
–1
+1
μA
2.0
–0.3
–1
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
2.0
–0.3
–1
-12
民
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-15
民
最大
单位
V
V
V
V
μA
I
SB2
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05232牧师* F
第14页4
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
电容
测试的最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
.
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
TSOP II
44.56
10.75
TQFP
42.66
14.64
FBGA
46.98
9.63
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
交流测试负载和波形
图4.交流测试负载和波形
[3]
10 ns的设备：
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15 - ns的装置：
Z = 50Ω
3.3V
R 317Ω
30 pF的*
产量
30 pF的*
R2
351Ω
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317Ω
3.0V
GND
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351Ω
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
记
3. AC特性（除了高Z ）为10毫微秒的部件采用在所示的负载条件下测试
图4
（ a）中。所有其他的速度正在使用中所示的戴维南负载测试
in
图4
（ b）中。高阻抗特性进行了测试，使用所示的试验载荷所有速度
图4
(d).
文件编号： 38-05232牧师* F
第14页5
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1011BV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 360毫瓦（最大）
数据在2.0保留
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
易于内存扩展CE和OE特点
提供无铅和无无铅44引脚TSOP II ，
44引脚TQFP和非无铅48球VFBGA封装
功能说明
该CY7C1011CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为131,072字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1011CV33可在一个标准的44针TSOP
II封装中心的电源和地引脚， 44引脚薄型
塑料方形扁平封装（ TQFP ） ，以及一个48球细间距
球栅阵列（ VFBGA ）封装。
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
128K ×16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
检测放大器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05232牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年10月6日
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
–10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
V
CC
=最大，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l /
Ind'l
Com'l
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
100
40
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
95
40
2.0
–0.3
–1
–1
–12
分钟。
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
90
40
–15
分钟。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
10
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热阻
[2]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
TSOP II
44.56
10.75
TQFP
42.66
14.64
VFBGA
46.98
9.63
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05232牧师* E
第11 3
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
交流测试负载和波形
[3]
10 ns的设备：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15 - ns的装置：
Z = 50
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
在整个工作范围
[4]
–10
参数
读周期
t
power[5]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
0
6
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
7
0
5
3
6
0
15
7
3
10
5
0
6
3
7
1
10
10
3
12
6
0
7
1
12
12
3
15
7
1
15
15
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
–12
马克斯。
分钟。
–15
马克斯。
单位
注意事项：
3. AC特性（除了高Z ）的所有10 - ns的部件使用的（a）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用中所示的戴维南负载测试
在（ b）中。高Z特性进行测试，以便使用（d ）中所示的试验负荷所有速度。
4.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器访问的处理。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
文件编号： 38-05232牧师* E
第11 4
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
AC开关特性
在整个工作范围
[4]
（续）
–10
参数
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[7]
WE低到高-Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
7
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
8
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
10
15
10
10
0
0
10
7
0
3
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
–12
马克斯。
分钟。
–15
马克斯。
单位
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05232牧师* E
第11个5
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
128K ×16静态RAM
特点
引脚相当于CY7C1011BV33
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
- 360毫瓦（最大）
数据在2.0保留
自动断电时取消
高位和低位的独立控制
易于内存扩展CE和OE特点
提供44引脚TSOP II ， 44引脚TQFP和48球
VFBGA
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1011CV33可在一个标准的44针TSOP
II封装中心的电源和地引脚， 44引脚薄型
塑料方形扁平封装（ TQFP ） ，以及一个48球细间距
球栅阵列（ VFBGA ）封装。
功能说明
该CY7C1011CV33是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为131,072字。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
逻辑框图
输入缓冲器
引脚配置
TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
256K ×16
ARRAY
1024 x 4096
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
COLUMN
解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
行解码器
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05232牧师* B
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
检测放大器
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年10月10日
CY7C1011CV33
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[2]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
DC电气特性
在整个工作范围
-10
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
OUT
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
V
CC
=最大值，女= F
最大
=
1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l /
Ind'l
Com'l
Ind'l
I
SB1
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，
I
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
90
100
40
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
85
95
40
2.0
–0.3
–1
–1
-12
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
80
90
40
-15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB2
10
10
10
mA
电容
[2]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05232牧师* B
第11 3
CY7C1011CV33
交流测试负载和波形
[3]
10 ns的设备：
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
Z = 50
12-， 15 - ns的装置：
3.3V
R 317
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351
(a)
(b)
高阻抗特性：
R 317
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R2
351
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
AC开关特性
在整个工作范围
[4]
-10
参数
读周期
t
power[5]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[8, 9]
t
WC
写周期时间
10
12
15
ns
注意事项：
3. AC特性（除了高Z ）的所有10 - ns的部件使用的（a）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用戴维宁负载测试
（b）如示。高Z特性进行测试，以便使用（d ）中所示的试验负荷所有速度。
4.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
5. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器访问的处理。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。过渡测
±
500毫伏的稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，而无论这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
-12
马克斯。
分钟。
1
12
10
12
3
10
5
12
6
0
5
6
3
5
6
0
10
5
12
6
0
6
6
0
0
3
0
3
马克斯。
分钟。
1
15
-15
马克斯。
单位
s
ns
15
15
7
7
7
15
7
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高来高-Z
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能为低-Z
字节禁止以高阻
分钟。
1
10
3
0
3
0
0
文件编号： 38-05232牧师* B
第11 4
CY7C1011CV33
AC开关特性
在工作范围（续）
[4]
-10
参数
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
描述
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[7]
WE低到高-Z
[6, 7]
字节使能，以结束写的
7
分钟。
7
7
0
0
7
5
0
3
5
8
马克斯。
分钟。
8
8
0
0
8
6
0
3
6
10
-12
马克斯。
分钟。
10
10
0
0
10
7
0
3
7
-15
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
3.0V
t
CDR
CE
V
DR
＆ GT ; 2V
3.0V
t
R
开关波形
读周期1号
[10, 11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ， CE， BHE和/或BHE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
文件编号： 38-05232牧师* B
第11个5
CY7C1011CV33
2兆位（ 128K ×16 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY7C1011CV33是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为131,072字。此装置具有一
自动断电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
16
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。欲了解更多信息，请参阅
[真相
表？
第9页的读取和写入的完整说明上
模式。
的输入和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
当设备被取消（ CE HIGH ）高阻抗状态，
输出被禁止（ OE HIGH ）时， BHE和BLE的
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作期间（ CE LOW
和WE LOW ） 。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
温度范围
工业： -40 ° C至85°C
汽车-A ： -40 ° C至85°C
汽车-E ： -40°C至125°C
引脚和功能与CY7C1011BV33兼容
高速
t
AA
= 10纳秒（工业和汽车-A ）
t
AA
= 12纳秒（汽车-E ）
低有功功率
360毫瓦（最大） （工业和汽车-A ）
2.0数据保留
取消的时候自动断电
高位和低位的独立控制
易内存扩展CE和OE特点
可提供无铅44引脚TSOP II ， 44引脚TQFP和非
无铅48球VFBGA封装
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
10
A
11
A
12
A
14
A
15
A
13
A
16
A
9
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05232牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年2月23日
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于
GND
[2]
.....–0.5V
至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
...................................... -0.5V到V
CC
+0.5V
DC输入
电压
[2]
.................................. –0.5V
到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
汽车-A
汽车-E
环境
温度（T
A
)
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
3.3V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏
当前
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
产业
汽车-A
汽车-E
I
OZ
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
产业
汽车-A
汽车-E
I
CC
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V ，或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
产业
汽车-A
汽车-E
I
SB1
产业
汽车-A
汽车-E
I
SB2
产业
汽车-A
汽车-E
10
10
15
40
40
45
10
mA
100
100
120
40
mA
–1
–1
+1
+1
–20
+20
95
mA
测试条件
V
CC
=最小，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小，我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
–20
–1
+20
+1
μA
2.0
–0.3
–1
最大
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
-12
民
最大
单位
V
V
V
V
μA
记
2. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05232牧师* H
第13 4
[+ ]反馈
CY7C1011CV33
电容
测试的最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
.
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.3V
最大
8
8
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
TSOP II
44.56
10.75
图4.交流测试负载和波形
[3]
10 ns的设备：
产量
50
Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12 ns的设备：
3.3V
产量
R 317Ω
TQFP
42.66
14.64
VFBGA
46.98
9.63
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
Z = 50Ω
30 pF的*
30 pF的*
R2
351Ω
(a)
(b)
高阻抗特性：
3.0V
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
R 317Ω
R2
351Ω
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
记
3. AC特性（除了高Z ）为10毫微秒的部件采用在所示的负载条件下测试
图4
（ a）中。所有其他的速度正在使用中所示的戴维南负载测试
in
图4
（ b）中。高阻抗特性进行了测试，使用所示的试验载荷所有速度
图4
(d).
文件编号： 38-05232牧师* H
第13个5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
