CY7C109BN
CY7C1009BN
128K ×8静态RAM
特点
高速
— t
AA
= 12 ns的
低有功功率
- 495毫瓦（最大12纳秒。 ）
CMOS低待机功耗
- 55毫瓦4毫瓦（最大）
2.0V数据保留
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
功能说明
[1]
该CY7C109BN / CY7C1009BN是一个高性能的
CMOS静态RAM由8位， 131,072字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，有源低
输出使能（ OE ）和三态驱动器。写入
设备通过采取芯片使能一（ CE完成
1
）和
写使能（ WE）输入低电平，芯片使能两（ CE
2
)
投入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）是
然后写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用一个（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该CY7C109BN是标准的400密耳宽SOJ提供
和32引脚的TSOP型余包。该CY7C1009BN是
可用在300密耳的范围内的SOJ封装。该CY7C1009BN
和CY7C109BN在所有其他功能上等同的
方面。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
注意：
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上提供的www.cypress.com 。
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06430修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年2月1日
[+ ]反馈
CY7C109BN
CY7C1009BN
选购指南
7C109B-12
7C1009B-12
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
L
12
90
10
2
7C109B-15
7C1009B-15
15
80
10
2
7C109B-20
7C1009B-20
20
75
10
2
单位
ns
mA
mA
mA
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[2]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[2]
.................................–0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
7C109BN-12
7C1009BN-12
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
描述
测试条件
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，V
OUT
= GND
V
CC
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
–1
–5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
90
45
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
输出高电压V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
输出低电压V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
输入高电压
输入低电压
[2]
输入漏
当前
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[3]
V
CC
操作
电源电流
7C109BN-15
7C1009BN-15
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
80
40
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
7C109BN-20
7C1009BN-20
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
–300
75
30
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH
自动CE
掉电电流或CE
2
＆ LT ; V
IL
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
-TTL输入
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动CE
最大。 V
CC
,
掉电电流CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或CE
2
＆ LT ; 0.3V ，
-CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
I
SB2
10
2
10
2
10
2
mA
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
8
单位
pF
pF
注意事项：
2.最小电压是-2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06430修订版**
第2 9
[+ ]反馈
CY7C109BN
CY7C1009BN
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
R1 480
R1 480
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3纳秒
3.0V
90%
10%
90%
10%
≤
3纳秒
所有的输入脉冲
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[5]
在整个工作范围
7C109BN-12
7C1009BN-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[7]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[6, 7]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低
掉电
写周期时间
[9]
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
0
12
3
6
0
15
0
6
3
7
0
20
3
12
6
0
7
3
8
12
12
3
15
7
0
8
15
15
3
20
8
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C109BN-15
7C1009BN-15
分钟。
马克斯。
7C109BN-20
7C1009BN-20
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
20
15
15
0
0
12
10
0
3
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
5.试验条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
高启动
写，和任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据的建立时间和保持时间应参考的前缘
信号终止写。
9.最小写入周期时间为写周期第3号（WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06430修订版**
第3 9
[+ ]反馈
CY7C109BN
CY7C1009BN
开关波形
（续）
写周期第1号（ CE
1
或CE
2
控制）
[13, 14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[13, 14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
SCE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
数据
IN
有效
t
HD
注意事项：
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE变为高电平时，输出保持在高阻抗状态。
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不宜应用。
文件编号： 001-06430修订版**
第5 9
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
