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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第29页 > CY7C1007D-10VXI
CY7C107D
CY7C1007D
1兆位（ 1M ×1）静态RAM
特点
与CY7C107B / CY7C1007B引脚和功能兼容
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供CY7C107D无铅28引脚400密耳宽模压
SOJ包装。 CY7C1007D提供无铅28引脚
300密耳宽模压SOJ包装
功能说明
[1]
该CY7C107D和CY7C1007D是高性能
CMOS静态RAM， 1位组织为1,048,576字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE）和三态驱动器。这些设备有一个
自动断电功能，可降低功耗
取消选择时，由多于65％的消耗。输出
销（D
OUT
）被放置在高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
当写操作被激活（ CE和WE为低电平）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。输入引脚上的数据（D
IN
）被写入
入上的地址引脚指定的存储单元（A
0
至A
19
).
从设备读取采取芯片使能（ CE） ，而低
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这样的条件
中，请在存储器位置的由指定的内容
地址引脚上出现的数据输出（D
OUT
）引脚。
逻辑框图
DIN
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
CE
WE
输入缓冲器
行解码器
1M ×1
ARRAY
检测放大器
DOUT
列解码器
动力
下
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05469牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年2月22日
CY7C107D
CY7C1007D
引脚配置
[2]
SOJ
顶视图
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
A
16
A
17
A
18
A
19
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
D
IN
CE
D
OUT
WE
GND
选购指南
CY7C107D-10
CY7C1007D-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流，I
SB2
10
80
3
单位
ns
mA
mA
记
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05469牧师* E
第10 2
CY7C107D
CY7C1007D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
储存温度
..................................... 65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源应用................................................ ..
55°C
至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[3]
....0.5V
至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
...................................... 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................. 0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
=
4.0
mA
I
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
1
–1
7C107D-10
7C1007D-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
最大
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05469牧师* E
第10 3
CY7C107D
CY7C1007D
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
7
10
10
单位
pF
pF
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
300-Mil
广SOJ
59.16
40.84
400-Mil
广SOJ
58.76
40.54
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间：
≤
3纳秒
(a)
高阻抗特性：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
(b)
下降时间：
≤
3纳秒
R1 480
R2
255
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05469牧师* E
第10 4
CY7C107D
CY7C1007D
开关特性
（在整个工作范围内）
[6]
参数
读周期
t
电力[ 7 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
聚氨酯[10]
t
PD [10]
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[8, 9]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
3
10
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
7C107D-10
7C1007D-10
最大
单位
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZCE
和T
HZWE
的采用5 pF的负载电容被指定为在（c）部分
第4页的“ [ 5 ] AC测试负载和波形” 。
当输出端输入一个过渡时测得的
高阻抗状态。
10，此参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05469牧师* E
第10个5
CY7C107D
CY7C1007D
1兆位（ 1M ×1）静态RAM
特点
■
■
功能说明
[1]
该CY7C107D和CY7C1007D是高性能CMOS
静态RAM由1位组织为1,048,576字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和三态驱动器。这些设备有一个自动
掉电功能，可降低功耗更
超过65％时，取消选择。输出引脚（D
OUT
）被放置在一个
当高阻抗状态：
■
■
引脚和功能兼容CY7C107B / CY7C1007B
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
■
■
低的互补金属氧化物半导体（CMOS）
待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
取消选择（ CE HIGH ）
当写操作有效（CE和WE为低电平）
■
■
■
■
■
2.0 V数据保留
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
晶体管晶体管逻辑（ TTL ）兼容的输入和输出
CY7C107D在提供无铅28引脚400密耳宽模压
SOJ包装。 CY7C1007D提供无铅28引脚300mil的
全模压SOJ包装
通过采取芯片使能（ CE）和写使能写入设备
（ WE）输入低电平。输入引脚上的数据（D
IN
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
至A
19
).
从设备读取采取芯片使能（ CE） ，而低
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这些条件下
的存储单元的地址所指定的内容
标签出现在数据输出（D
OUT
）引脚。
逻辑框图
DIN
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
CE
WE
输入缓冲器
行解码器
1M ×1
ARRAY
检测放大器
DOUT
列解码器
动力
下
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05469牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年4月7日
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
目录
引脚配置................................................ ............. 3
选型指南................................................ ................ 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4 ..
电容................................................. ...................... 5
热阻................................................ 5 ...........
交流测试负载和波形....................................... 5
开关特性................................................ 。
6
数据保持特性........................................ 7
数据保存波形............................................... 7
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ........................ 8
订购信息................................................ ........ 9
订购代码定义........................................... 9
包图................................................ .......... 10
与缩略语................................................. ....................... 12
文档约定................................................ 12
计量单位............................................... ........ 12
文档历史记录页............................................... .. 13
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
的PSoC解决方案................................................ ......... 14
文件编号： 38-05469牧师* H
第14页2
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
引脚配置
[2]
SOJ
顶视图
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
A
16
A
17
A
18
A
19
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
D
IN
CE
D
OUT
WE
GND
选购指南
CY7C107D-10
CY7C1007D-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流，I
SB2
10
80
3
单位
ns
mA
mA
记
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05469牧师* H
第14页3
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
储存温度
65
° C至+150°C
环境温度与
动力applied55 ° C至+125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[3]
0.5
V到+6.0 V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
[3]
0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
5 V
0.5 V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
=
4.0
mA
I
OL
= 8.0毫安
2.4
2.2
0.5
1
–1
7C107D-10
7C1007D-10
民
最大
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
记
3. V
IL
（分钟）= -2.0 V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1 V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05469牧师* H
第14页4
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0 V
最大
7
10
10
单位
pF
pF
pF
热阻
[4]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
300-Mil
广SOJ
59.16
40.84
400-Mil
广SOJ
58.76
40.54
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间：
3
ns
(a)
高阻抗特性：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
(b)
下降时间：
3
ns
R1 480
R2
255
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05469牧师* H
第14页5
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
1兆位（ 1M ×1）静态RAM
特点
与CY7C107B / CY7C1007B引脚和功能兼容
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供CY7C107D无铅28引脚400密耳宽模压
SOJ包装。 CY7C1007D提供无铅28引脚
300密耳宽模压SOJ包装
功能说明
[1]
该CY7C107D和CY7C1007D是高性能
CMOS静态RAM， 1位组织为1,048,576字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE）和三态驱动器。这些设备有一个
自动断电功能，可降低功耗
取消选择时，由多于65％的消耗。输出
销（D
OUT
）被放置在高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
当写操作被激活（ CE和WE为低电平）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。输入引脚上的数据（D
IN
）被写入
入上的地址引脚指定的存储单元（A
0
至A
19
).
从设备读取采取芯片使能（ CE） ，而低
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这样的条件
中，请在存储器位置的由指定的内容
地址引脚上出现的数据输出（D
OUT
）引脚。
逻辑框图
DIN
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
CE
WE
输入缓冲器
行解码器
1M ×1
ARRAY
检测放大器
DOUT
列解码器
动力
下
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
A19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05469牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年12月8日
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
引脚配置
[2]
SOJ
顶视图
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
A
16
A
17
A
18
A
19
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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14
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27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
NC
A
3
A
2
A
1
A
0
D
IN
CE
D
OUT
WE
GND
选购指南
CY7C107D-10
CY7C1007D-10
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流，I
SB2
10
80
3
单位
ns
mA
mA
记
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05469牧师* G
第11 2
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
储存温度
65°C
至+ 150°C
环境温度与
动力Applied
55°C
至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[3]
0.5V
至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
0.5V
到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
0.5V
到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
0.5V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
=
4.0
mA
I
OL
= 8.0毫安
2.2
0.5
1
–1
7C107D-10
7C1007D-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
最大
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05469牧师* G
第11 3
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
7
10
10
单位
pF
pF
pF
热阻
[4]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
300-Mil
广SOJ
59.16
40.84
400-Mil
广SOJ
58.76
40.54
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间：
3
ns
(a)
高阻抗特性：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
(b)
下降时间：
3
ns
R1 480
R2
255
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05469牧师* G
第11 4
[+ ]反馈
CY7C107D
CY7C1007D
开关特性
（在整个工作范围内）
[6]
参数
读周期
t
电力[ 7 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
聚氨酯[10]
t
PD [10]
写周期
[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[8, 9]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
6
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
3
10
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
7C107D-10
7C1007D-10
最大
单位
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZCE
和T
HZWE
的采用5 pF的负载电容被指定为在（c）部分
第4页的“ [ 5 ] AC测试负载和波形” 。
当输出端输入一个过渡时测得的
高阻抗状态。
10，此参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05469牧师* G
第11个5
[+ ]反馈
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