CY7C106D
CY7C1006D
1兆位（ 256K ×4 ），静态RAM
特点
与CY7C106B / CY7C1006B引脚和功能兼容
高速
— t
AA
= 10纳秒
低有功功率
— I
CC
= 80毫安， 10纳秒
CMOS低待机功耗
— I
SB2
= 3.0毫安
2.0V数据保留
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
TTL兼容的输入和输出
提供CY7C106D无铅28引脚400密耳宽模压
SOJ包装。 CY7C1006D提供无铅28引脚
300密耳宽模压SOJ包装
功能说明
[1]
该CY7C106D和CY7C1006D是高性能
CMOS静态RAM， 4位组织为262,144字。
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供
使能（ CE ） ，一个低电平有效输出使能（ OE ）和三态
驱动程序。这些器件具有自动断电功能
由65％以上时降低能量消耗的
设备被取消。四个输入和输出引脚（IO
0
通过IO
3
）被置于高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（ CE和WE为低电平）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。在四个IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
3
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚出现指定的四个IO引脚。
逻辑框图
输入缓冲器
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
CE
WE
OE
行解码器
256K ×4
ARRAY
检测放大器
IO0
IO1
IO2
IO3
列解码器
动力
下
记
1.对于SRAM的系统设计指南，请参阅“系统设计指南”赛普拉斯应用笔记，在互联网上可用
www.cypress.com 。
A0
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05459牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年2月22日
[+ ]反馈
CY7C106D
CY7C1006D
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
相对于GND
[3]
... -0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
............................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
0.5V
速度
10纳秒
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–1
–1
7C106D-10
7C1006D-10
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
80
72
58
37
10
3
最大
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V和V
IH
（MAX） = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号： 38-05459牧师* E
第11 3
[+ ]反馈
CY7C106D
CY7C1006D
电容
[4]
参数
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
输出电容
描述
输入电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 5.0V
最大
7
10
10
单位
pF
pF
pF
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
300-Mil
广SOJ
59.16
40.84
400-Mil
广SOJ
58.76
40.54
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
Z = 50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
3.0V
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
30 pF的*
GND
上升时间：
≤
3纳秒
(a)
(b)
下降时间：
≤
3纳秒
高阻抗特性：
5V
产量
INCLUDING
夹具
范围
5 pF的
R2
255
R1 480
(c)
笔记
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
如图（ c）所示。
文件编号： 38-05459牧师* E
第11 4
[+ ]反馈
CY7C106D
CY7C1006D
开关特性
（在整个工作范围内）
[6]
参数
读周期
t
电力[ 7 ]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
聚氨酯[10]
t
PD [10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
10
7
7
0
0
7
6
0
3
5
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
7C106D-10
7C1006D-10
最大
单位
写周期
[11, 12]
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
的采用5 pF的负载电容被指定为在（c）部分
“交流测试负载和波形
[5]
“第4页。
过渡进行测量时的输出
进入高阻抗状态。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10，此参数由设计保证，未经测试。
存储器11的内部写入时间由CE的重叠和WE低限定。 CE和我们必须低到开始写，而这两种信号的转换
可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 38-05459牧师* E
第11个5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
