初步
CY7C1001
CY7C1002
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
高速
t
AA
= 12 ns的
透明写（ 7C1001 ）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
910毫瓦
低待机功耗
275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
100
W
自动电源关闭时，
取消
TTL兼容的输入和输出
该CY7C1001和CY7C1002高
高性能CMOS静态RAM奥尔加
的发布为262,144 ×4位具有独立的I / O 。
易内存扩展是由AC提供
略去低芯片使能（ CE ）和三个
态驱动器。这两款器件都提供了自动
马蒂奇断电功能，减少了
耗电量的65％以上
取消的时候。
写入设备被实现的
服用这两种芯片使能（ CE ）和write恩
能（ WE）输入低。上的四个数据
输入引脚（我
0
通过I
3
）被写入到
内存位置上指定的地址
销（A
0
至A
17
).
读设备是由德完成
荷兰国际集团的芯片使能（ CE）低，而写恩
I
0
I
1
功能说明
256K ×4的静态RAM
具有独立的I / O
能（ WE）仍然很高。在这些
条件下，内存LO的内容
阳离子的地址引脚指定将AP
梨树上的四个数据输出引脚（O
0
到O
3
).
数据输出引脚上的CY7C1001
和CY7C1002被放置在一个高
阻抗状态时，该设备是DESE
lected （ CE HIGH ） 。该CY7C1002的出
看跌期权也放置在高阻抗
在写操作期间的状态（ CE和WE
LOW ） 。在上一个写操作
CY7C1001 ，输出引脚将携带
相同的数据作为指定后的输入
延时。
该CY7C1001和CY7C1002是无济于事
能够在标准的300英寸宽DIP和
SOJs 。
DIP / SOJ
顶视图
逻辑框图
引脚配置
I
2
I
3
NC
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
9
I
3
I
2
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
7C1001
7C1002
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
NC
I
0
I
1
O
0
O
1
O
2
O
3
WE
C1001-2
输入缓冲器
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
检测放大器
A
1
行解码器
A
0
O
0
O
1
512 x 512 x 4
ARRAY
O
2
O
3
COLUMN
解码器
动力
下
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
10
A
11
A
9
CE
7C1002 ONLY
WE
7C1001 ONLY
C1001-1
选购指南
7C1001-12
7C1001-15
7C1002-15
7C1001-20
7C1002-20
7C1001-25
7C1002-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
7C1002-12
广告
军事
最大待机电流（mA ）商业
军事
赛普拉斯半导体公司
12
165
50
15
155
165
40
40
20
140
150
30
30
25
130
140
30
30
D
3901北一街
1
D
圣荷西
D
CA 95134
D
408-943-2600
1991年11月 - 修订1995年4月
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
CY7C1001
CY7C1002
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
环境
温度
[2]
0
_
C至+ 70
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
[3]
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
7C1001-12 7C1001-15 7C1001-20 7C1001-25
7C1002-12 7C1002-15 7C1002-20 7C1002-25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
2.4
0.4
2.2
-0.3
-1
-5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
2.2
-0.3
-1
-5
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
155
165
50
40
40
2
2
2
2.2
-0.3
-1
-5
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
140
150
30
30
2
2
2.2
-0.3
-1
-5
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
130
140
30
30
2
2
mA
mA
V
V
V
V
输入负载电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
TTL输入
自动CE
掉电
当前
C
t
CMOS输入
[5]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0毫安
毫安，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE > V
IH ，
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
- 0.3V
,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V
0 3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
m
A
m
A
mA
mA
165
I
SB1
I
SB2
电容
参数
描述
输入电容
p
p
输出电容
测试条件
T
A
= 25
_
C，F = 1MHz时，
,
,
V
CC
= 5.0V
5 0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
1.
2.
3.
注意事项：
V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
T
A
是？即时on"外壳温度。
请参见本规范A组分组测试中的最后一页
形成。
4.
5.
不超过1输出应在同一时间被短路。持续时间
短路不应该超过30秒。
测试的最初和之后的任何设计或工艺变更可能影响
这些参数。
2
初步
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
CY7C1001
CY7C1002
W
R1 480
5V
产量
W
R2
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
255
W
夹具
范围
5 pF的
INCLUDING
255
W
GND
＆ LT ; 3纳秒
＆ LT ; 3纳秒
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
(b)
C1001-3
C1001-4
W
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[3, 6]
7C1001-12
7C1002-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE低到通电
CE高到掉电
0
12
3
6
0
15
3
12
3
7
0
20
12
12
3
15
3
8
0
25
15
15
3
20
3
10
20
20
3
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7C1001-15
7C1002-15
分钟。
马克斯。
7C1001-20
7C1002-20
分钟。
马克斯。
7C1001-25
7C1002-25
分钟。
马克斯。
单位
描述
分钟。
马克斯。
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
DWE
t
DCE
t
ADV
写周期时间
CE低到写结束
地址设置为写入结束
从写端地址保持
地址设置为写开始
WE脉冲宽度
数据设置为写入结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[7, 8]
WE低到数据有效（ 7C1001 ）
CE低到数据有效（ 7C1001 ）
数据有效到输出有效（ 7C1001 ）
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
12
12
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
15
15
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
20
20
20
25
20
20
0
0
20
15
0
3
10
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，计时裁判
的0 1.5V输入脉冲电平erence水平和3.0V输出负载
,
,
指定I的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.
8.
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于
t
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容中被指定
交流测试负载（b）部分。过渡测量± 500 mV的距离
稳态电压。
9.
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
和WE低。 CE和我们必须低到开始写，而
任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入
数据建立时间和保持时间应参考前缘
因此终止了写入的信号。
3
初步
CY7C1001
CY7C1002
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
高速
t
AA
= 12 ns的
透明写（ 7C1001 ）
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
910毫瓦
低待机功耗
275毫瓦
2.0V数据保留（可选）
100
W
自动电源关闭时，
取消
TTL兼容的输入和输出
该CY7C1001和CY7C1002高
高性能CMOS静态RAM奥尔加
的发布为262,144 ×4位具有独立的I / O 。
易内存扩展是由AC提供
略去低芯片使能（ CE ）和三个
态驱动器。这两款器件都提供了自动
马蒂奇断电功能，减少了
耗电量的65％以上
取消的时候。
写入设备被实现的
服用这两种芯片使能（ CE ）和write恩
能（ WE）输入低。上的四个数据
输入引脚（我
0
通过I
3
）被写入到
内存位置上指定的地址
销（A
0
至A
17
).
读设备是由德完成
荷兰国际集团的芯片使能（ CE）低，而写恩
I
0
I
1
功能说明
256K ×4的静态RAM
具有独立的I / O
能（ WE）仍然很高。在这些
条件下，内存LO的内容
阳离子的地址引脚指定将AP
梨树上的四个数据输出引脚（O
0
到O
3
).
数据输出引脚上的CY7C1001
和CY7C1002被放置在一个高
阻抗状态时，该设备是DESE
lected （ CE HIGH ） 。该CY7C1002的出
看跌期权也放置在高阻抗
在写操作期间的状态（ CE和WE
LOW ） 。在上一个写操作
CY7C1001 ，输出引脚将携带
相同的数据作为指定后的输入
延时。
该CY7C1001和CY7C1002是无济于事
能够在标准的300英寸宽DIP和
SOJs 。
DIP / SOJ
顶视图
逻辑框图
引脚配置
I
2
I
3
NC
A
16
A
17
A
0
A
1
A
2
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
9
I
3
I
2
CE
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
7C1001
7C1002
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
NC
I
0
I
1
O
0
O
1
O
2
O
3
WE
C1001-2
输入缓冲器
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
检测放大器
A
1
行解码器
A
0
O
0
O
1
512 x 512 x 4
ARRAY
O
2
O
3
COLUMN
解码器
动力
下
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
10
A
11
A
9
CE
7C1002 ONLY
WE
7C1001 ONLY
C1001-1
选购指南
7C1001-12
7C1001-15
7C1002-15
7C1001-20
7C1002-20
7C1001-25
7C1002-25
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
7C1002-12
广告
军事
最大待机电流（mA ）商业
军事
赛普拉斯半导体公司
12
165
50
15
155
165
40
40
20
140
150
30
30
25
130
140
30
30
D
3901北一街
1
D
圣荷西
D
CA 95134
D
408-943-2600
1991年11月 - 修订1995年4月
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南，
未测试）。
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
_
C至+150
_
C
环境温度与
电源中的应用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
_
C至+ 125
_
C
在V电源电压
CC
相对于GND
[1]
。 -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
CC
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
CY7C1001
CY7C1002
静电放电电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >2001V
（每MIL STD 883 ，方法3015 ）
闩锁电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >200毫安
工作范围
范围
广告
军事
环境
温度
[2]
0
_
C至+ 70
_
C
-55
_
C至+ 125
_
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
[3]
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
[1]
测试条件
V
CC
=最小值，
I
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
7C1001-12 7C1001-15 7C1001-20 7C1001-25
7C1002-12 7C1002-15 7C1002-20 7C1002-25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
2.4
0.4
2.2
-0.3
-1
-5
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
2.2
-0.3
-1
-5
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
155
165
50
40
40
2
2
2
2.2
-0.3
-1
-5
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
140
150
30
30
2
2
2.2
-0.3
-1
-5
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+5
-300
130
140
30
30
2
2
mA
mA
V
V
V
V
输入负载电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[4]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
TTL输入
自动CE
掉电
当前
C
t
CMOS输入
[5]
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0毫安
毫安，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
,
CE > V
IH ，
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
- 0.3V
,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V
0 3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l
米尔
Com'l
米尔
Com'l
米尔
m
A
m
A
mA
mA
165
I
SB1
I
SB2
电容
参数
描述
输入电容
p
p
输出电容
测试条件
T
A
= 25
_
C，F = 1MHz时，
,
,
V
CC
= 5.0V
5 0V
马克斯。
7
10
10
单位
pF
pF
pF
C
IN
：地址
C
IN
：控制
C
OUT
1.
2.
3.
注意事项：
V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
T
A
是？即时on"外壳温度。
请参见本规范A组分组测试中的最后一页
形成。
4.
5.
不超过1输出应在同一时间被短路。持续时间
短路不应该超过30秒。
测试的最初和之后的任何设计或工艺变更可能影响
这些参数。
2
初步
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
CY7C1001
CY7C1002
W
R1 480
5V
产量
W
R2
所有的输入脉冲
3.0V
90%
10%
90%
10%
255
W
夹具
范围
5 pF的
INCLUDING
255
W
GND
＆ LT ; 3纳秒
＆ LT ; 3纳秒
(a)
相当于：
戴维南等效
167
产量
(b)
C1001-3
C1001-4
W
1.73V
开关特性
在整个工作范围
[3, 6]
7C1001-12
7C1002-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[7, 8]
CE低到通电
CE高到掉电
0
12
3
6
0
15
3
12
3
7
0
20
12
12
3
15
3
8
0
25
15
15
3
20
3
10
20
20
3
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7C1001-15
7C1002-15
分钟。
马克斯。
7C1001-20
7C1002-20
分钟。
马克斯。
7C1001-25
7C1002-25
分钟。
马克斯。
单位
描述
分钟。
马克斯。
写周期
[9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
DWE
t
DCE
t
ADV
写周期时间
CE低到写结束
地址设置为写入结束
从写端地址保持
地址设置为写开始
WE脉冲宽度
数据设置为写入结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[7, 8]
WE低到数据有效（ 7C1001 ）
CE低到数据有效（ 7C1001 ）
数据有效到输出有效（ 7C1001 ）
12
10
10
0
0
10
7
0
3
6
12
12
12
15
12
12
0
0
12
8
0
3
7
15
15
15
20
15
15
0
0
15
10
0
3
8
20
20
20
25
20
20
0
0
20
15
0
3
10
25
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，计时裁判
的0 1.5V输入脉冲电平erence水平和3.0V输出负载
,
,
指定I的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.
8.
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于
t
LZCE
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容中被指定
交流测试负载（b）部分。过渡测量± 500 mV的距离
稳态电压。
9.
存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
和WE低。 CE和我们必须低到开始写，而
任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入
数据建立时间和保持时间应参考前缘
因此终止了写入的信号。
3
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