赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY54/74FCT841T
SCCS035 - 1994年9月 - 修订2000年3月
10位锁存器
高速并行锁存器
常见的缓冲锁存使能输入
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT ，女兼容，
AM29841逻辑
FCT -C速度5.5 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -B的速度为6.5 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能
匹配的上升和下降时间
ESD > 2000V
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
64毫安（ Com'l ）
32毫安（ MIL）
源电流32 mA （ Com'l ）
12毫安（ MIL）
功能说明
该FCT841T总线接口锁存器被设计为消除
需要额外的软件包，以现有的缓冲锁存器，并提供
额外的数据宽度更宽的地址/数据路径或公交车
携带奇偶校验。该FCT841T是一个缓冲的10 - bit宽版
的FCT373功能。
该FCT841T高性能的接口是专为
高电容负载驱动能力，同时提供
低电容总线负载的输入和输出。
输出是专为低电容总线负载在
高阻抗状态，并设计有关闭电源
禁用功能，允许电路板的带电插入。
功能框图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
N- 1
D
N
D
LE
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
LE
OE
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
N- 1
Y
N
逻辑框图
D
10
D
LE
LE
OE
Q
10
销刀豆网络gurations
DIP / QSOP / SOIC
顶视图
Y
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
LE
版权
2000年，德州仪器
CY54/74FCT841T
引脚说明
名字
D
LE
Y
OE
I
I
O
I
I / O
锁存器的数据输入。
锁存使能输入。锁存器是透明的，当LE为高。输入数据被锁存的
高到低的跳变。
三态锁存器输出。
输出使能控制。当OE为低电平时，输出被使能。当OE为高电平时，输出
Y
1
处于高阻抗（关）状态。
描述
功能表
[1]
输入
OE
H
H
H
H
L
L
L
LE
X
H
H
L
H
H
L
D
X
L
H
X
L
H
X
内部输出
O
X
L
H
NC
L
H
NC
Y
Z
Z
Z
Z
L
H
NC
功能
高Z
锁存（高阻）
透明
LATCHED
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 65 ° C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[4]
范围
所有
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
注意事项：
1. H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓， NC =无变化， Z =高阻抗。
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2
CY54/74FCT841T
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
32
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
15
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
12
mA
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
=
18
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
60
120
0.2
0.7
1.2
5
±1
±1
10
10
225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 32毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
3
CY54/74FCT841T
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
（ TTL输入高电平）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
静态电源电流V
CC
=最大，V
IN
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
-0.2V
动态电源电流
[9]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一个输入切换， OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
总电源电流
[10]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
十位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
十位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
I
C
0.7
1.4
mA
1.0
2.4
mA
1.0
3.2
[11]
mA
4.1
13.2
[11]
mA
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对HLH或LHL电流）
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
4
CY54/74FCT841T
开关特性
在整个工作范围
[12]
FCT841AT
军事
参数
t
PLH
t
PHL
描述
传播延迟
D
1
为Y
1
（L =高）
传播延迟
D
1
为Y
1
（ LE =高）
t
SU
t
H
t
PLH
t
PHL
数据LE建立
时间
数据LE保持时间
传播延迟
LE为Y
1
传播延迟
LE为Y
1 [12]
t
W
t
PZH
t
PZL
测试负载
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
分钟。
1.5
1.5
2.5
3.0
1.5
1.5
5.0
1.5
1.5
1.5
1.5
13.0
25.0
9.0
10.0
13.0
20.0
马克斯。
10.0
15.0
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
11.5
23.0
7.0
8.0
12.0
16.0
马克斯。
9.0
13.0
FCT841BT
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
8.0
14.0
6.0
7.0
8.0
15.5
马克斯。
6.5
13.0
FCT841CT
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
6.5
12.0
5.7
6.0
6.4
15.0
5.5
13.0
图。
马克斯。单元号
[13]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1, 3
1, 3
9
9
1, 3
1, 3
5
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 7, 8
LE脉冲宽度（高）C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
输出使能时间
OE为Y
1
输出使能时间
OE为Y
1[12]
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
C
L
= 5 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE为Y
1[12]
输出禁止时间
OE为Y
1
订购信息
速度
（纳秒）
5.5
6.5
9.0
10.0
订购代码
CY74FCT841CTQCT
CY74FCT841CTSOC/SOCT
CY74FCT841BTPC
CY74FCT841ATSOC/SOCT
CY54FCT841ATDMB
包
名字
Q13
S13
P13/P13A
S13
D14
套餐类型
24引脚（ 150 mil）的QSOP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300 mil）的模制DIP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300密耳） CERDIP
广告
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军事
操作
范围
广告
注意事项：
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
文件编号： 38-00273 -B
5
赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY54/74FCT841T
SCCS035 - 1994年9月 - 修订2000年3月
10位锁存器
高速并行锁存器
常见的缓冲锁存使能输入
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT ，女兼容，
AM29841逻辑
FCT -C速度5.5 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -B的速度为6.5 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能
匹配的上升和下降时间
ESD > 2000V
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
64毫安（ Com'l ）
32毫安（ MIL）
源电流32 mA （ Com'l ）
12毫安（ MIL）
功能说明
该FCT841T总线接口锁存器被设计为消除
需要额外的软件包，以现有的缓冲锁存器，并提供
额外的数据宽度更宽的地址/数据路径或公交车
携带奇偶校验。该FCT841T是一个缓冲的10 - bit宽版
的FCT373功能。
该FCT841T高性能的接口是专为
高电容负载驱动能力，同时提供
低电容总线负载的输入和输出。
输出是专为低电容总线负载在
高阻抗状态，并设计有关闭电源
禁用功能，允许电路板的带电插入。
功能框图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
N- 1
D
N
D
LE
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
D
LE
Q
Q
LE
OE
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
N- 1
Y
N
逻辑框图
D
10
D
LE
LE
OE
Q
10
销刀豆网络gurations
DIP / QSOP / SOIC
顶视图
Y
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
LE
版权
2000年，德州仪器
CY54/74FCT841T
引脚说明
名字
D
LE
Y
OE
I
I
O
I
I / O
锁存器的数据输入。
锁存使能输入。锁存器是透明的，当LE为高。输入数据被锁存的
高到低的跳变。
三态锁存器输出。
输出使能控制。当OE为低电平时，输出被使能。当OE为高电平时，输出
Y
1
处于高阻抗（关）状态。
描述
功能表
[1]
输入
OE
H
H
H
H
L
L
L
LE
X
H
H
L
H
H
L
D
X
L
H
X
L
H
X
内部输出
O
X
L
H
NC
L
H
NC
Y
Z
Z
Z
Z
L
H
NC
功能
高Z
锁存（高阻）
透明
LATCHED
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 65 ° C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压-0.5V ............................................至+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
工作范围
范围
广告
军事
[4]
范围
所有
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
注意事项：
1. H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓， NC =无变化， Z =高阻抗。
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
2
CY54/74FCT841T
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
32
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
15
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
12
mA
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
=
18
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
60
120
0.2
0.7
1.2
5
±1
±1
10
10
225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 32毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
3
CY54/74FCT841T
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
（ TTL输入高电平）
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
静态电源电流V
CC
=最大，V
IN
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
-0.2V
动态电源电流
[9]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一个输入切换， OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
总电源电流
[10]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
十位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
十位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
I
C
0.7
1.4
mA
1.0
2.4
mA
1.0
3.2
[11]
mA
4.1
13.2
[11]
mA
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对HLH或LHL电流）
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
4
CY54/74FCT841T
开关特性
在整个工作范围
[12]
FCT841AT
军事
参数
t
PLH
t
PHL
描述
传播延迟
D
1
为Y
1
（L =高）
传播延迟
D
1
为Y
1
（ LE =高）
t
SU
t
H
t
PLH
t
PHL
数据LE建立
时间
数据LE保持时间
传播延迟
LE为Y
1
传播延迟
LE为Y
1 [12]
t
W
t
PZH
t
PZL
测试负载
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
分钟。
1.5
1.5
2.5
3.0
1.5
1.5
5.0
1.5
1.5
1.5
1.5
13.0
25.0
9.0
10.0
13.0
20.0
马克斯。
10.0
15.0
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
11.5
23.0
7.0
8.0
12.0
16.0
马克斯。
9.0
13.0
FCT841BT
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
8.0
14.0
6.0
7.0
8.0
15.5
马克斯。
6.5
13.0
FCT841CT
广告
分钟。
1.5
1.5
2.5
2.5
1.5
1.5
4.0
1.5
1.5
1.5
1.5
6.5
12.0
5.7
6.0
6.4
15.0
5.5
13.0
图。
马克斯。单元号
[13]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1, 3
1, 3
9
9
1, 3
1, 3
5
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 7, 8
1, 7, 8
LE脉冲宽度（高）C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
输出使能时间
OE为Y
1
输出使能时间
OE为Y
1[12]
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
C
L
= 300 pF的
R
L
= 500
C
L
= 5 pF的
R
L
= 500
C
L
= 50 pF的
R
L
= 500
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间
OE为Y
1[12]
输出禁止时间
OE为Y
1
订购信息
速度
（纳秒）
5.5
6.5
9.0
10.0
订购代码
CY74FCT841CTQCT
CY74FCT841CTSOC/SOCT
CY74FCT841BTPC
CY74FCT841ATSOC/SOCT
CY54FCT841ATDMB
包
名字
Q13
S13
P13/P13A
S13
D14
套餐类型
24引脚（ 150 mil）的QSOP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300 mil）的模制DIP
24引脚（ 300密耳）模压SOIC
24引脚（ 300密耳） CERDIP
广告
广告
军事
操作
范围
广告
注意事项：
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
文件编号： 38-00273 -B
5
CY54FCT841T ， CY74FCT841T
10位锁存器
具有三态输出
SCCS035A - 1994年9月 - 修订2001年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
功能，引脚和驱动器兼容
随着FCT ，F和AM29841逻辑
降低V
OH
（通常= 3.3V ）的版本
相当于FCT功能
边缘速率控制电路
显著改善噪声
特征
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
匹配的上升和下降时间
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
完全兼容TTL输入和
输出逻辑电平
高速并行锁存器
常见的缓冲锁存使能输入
三态输出
CY54FCT841T
- 32 mA的输出灌电流
- 12 mA输出源电流
CY74FCT841T
- 64 mA的输出灌电流
- 32 mA输出源电流
CY54FCT841T 。 。 。 ，D封装
CY74FCT841T 。 。 。 P，Q ，或SO封装
（ TOP VIEW ）
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
LE
描述
在“ FCT841T总线接口锁存器的设计，以消除缓冲已有所需的其他包
锁存器，并提供额外的数据宽度为贯彻平价更宽的地址/数据路径或总线。在“ FCT841T
设备被缓冲的FCT373函数的10比特宽的版本。
的' FCT841T器件的高性能的接口被设计用于高电容负载的驱动能力，而
提供低电容总线负载的输入和输出。输出是专为低电容
总线负载在高阻抗状态。
这些设备的使用I局部断电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路将禁用
输出，以防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
引脚说明
名字
D
LE
Y
OE
I / O
I
I
O
I
锁存数据输入
锁存使能输入。锁存器是透明的，当LE是高的。
输入数据被锁存高至低跳变。
三态输出锁存器
输出使能控制。当OE为低电平时，输出被使能。
当OE为高电平时，输出处于高阻抗（关）状态。
描述
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2001年，德州仪器
关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试
除非另有说明。在所有其他产品，生产
加工不一定包括所有参数进行测试。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
CY54FCT841T ， CY74FCT841T
10位锁存器
具有三态输出
SCCS035A - 1994年9月 - 修订2001年10月
订购信息
TA
包装
QSOP - Q
SOIC - SO
40°C
-40 ° C至85°C
DIP - P
SOIC - SO
-55 ° C至125°C
CDIP - D
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
管
速度
（纳秒）
5.5
5.5
5.5
6.5
9
9
10
订购
产品型号
CY74FCT841CTQCT
CY74FCT841CTSOC
CY74FCT841CTSOCT
CY74FCT841BTPC
CY74FCT841ATSOC
CY74FCT841ATSOCT
CY54FCT841ATDMB
TOP- SIDE
记号
FCT841C
FCT841C
CY74FCT841BTPC
FCT841A
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
H
H
H
H
L
L
L
LE
X
H
H
L
H
H
L
D
X
L
H
X
L
H
X
国内
输出
O
X
L
H
NC
L
H
NC
Y
Z
Z
Z
Z
L
H
NC
锁存（ Z）
透明
LATCHED
Z
功能
H =高逻辑电平，L =低逻辑电平，X =无关，
NC =无变化，Z =高阻抗状态
逻辑图（正逻辑）
OE
1
LE
13
LE
2
23
Q
Y0
D0
D
九其他渠道
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
CY54FCT841T ， CY74FCT841T
10位锁存器
具有三态输出
SCCS035A - 1994年9月 - 修订2001年10月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
直流输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
DC输出电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
直流输出电流（最大灌电流/针） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
（见注2 ） ：Q包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
（见注2 ） ： SO封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W
使用环境温度范围内具有功率应用，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至135°C的
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
CY54FCT841T
民
VCC
VIH
VIL
IOH
IOL
TA
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
–55
4.5
2
0.8
–12
32
125
–40
喃
5
最大
5.5
CY74FCT841T
民
4.75
2
0.8
–32
64
85
喃
5
最大
5.25
单位
V
V
V
mA
mA
°C
注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
CY54FCT841T ， CY74FCT841T
10位锁存器
具有三态输出
SCCS035A - 1994年9月 - 修订2001年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VCC = 4.5 V ，
VCC = 4.75 V ，
VCC = 4.5 V ，
VOH
VCC = 4 75 V
4.75
VCC = 4.5 V ，
VCC = 4.75 V ，
所有的输入
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 0 V ，
VCC = 5.5 V ，
VCC = 5.25 V ，
VIN = VCC
VIN = VCC
VIN = 2.7 V
VIN = 2.7 V
VIN = 0.5 V
VIN = 0.5 V
VOUT = 2.7 V
VOUT = 2.7 V
VOUT = 0.5 V
VOUT = 0.5 V
VOUT = 0 V
VOUT = 0 V
VOUT = 4.5 V
0.1
0.5
±1
0.2
0.1
2
0.5
0.06
0.12
毫安/
兆赫
2
0.2
–60
–120
–10
–10
–225
–60
–120
–225
±1
10
10
±1
±1
±1
±1
测试条件
IIN = -18毫安
IIN = -18毫安
IOH = -12毫安
IOH = -32毫安
IOH = -15毫安
IOL = 32毫安
IOL = 64毫安
0.2
5
5
0.3
0.55
0.3
0.2
0.55
2.4
3.3
2
2.4
3.3
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
mA
mA
V
CY54FCT841T
MIN TYP
最大
–0.7
–1.2
–0.7
–1.2
CY74FCT841T
MIN TYP
最大
单位
VIK
V
VOL
VHYS
II
IIH
IIL
IOZH
IOZL
IOS
IOFF
ICC
I
CC
VIN
≤
0.2 V,
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN
≤
0.2 V,
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VCC = 5.5 V ， VIN = 3.4 V§ ， F1 = 0时，输出开路
VCC = 5.25 V ， VIN = 3.4 V§ ， F1 = 0时，输出开路
Vcc = 5.5伏，其中输入开关，在50 ％的占空比，
输出开路， OE = GND ， LE = VCC ，
VIN
≤
0.2 V或VIN
≥
VCC - 0.2 V
Vcc = 5.25伏，其中输入开关，在50 ％的占空比，
输出开路， OE = GND ， LE = VCC ，
0.06
0.12
VIN
≤
0.2 V或VIN
≥
VCC - 0.2 V
典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备
和/或采样和保持技术是优选的，以减少内部的芯片加热并更准确地反映工作值。否则，
高输出长时间短路可提高芯片的温度远高于正常而导致无效的读数在其他参数测试。在
参数测试中的任何序列， IOS测试应该在最后进行。
§每TTL驱动的输入端（ VIN = 3.4 V） ;所有其他输入在VCC或GND
此参数推导出总电源计算中使用。
ICCD
4
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达拉斯，德克萨斯州75265
CY54FCT841T ， CY74FCT841T
10位锁存器
具有三态输出
SCCS035A - 1994年9月 - 修订2001年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明） （续）
参数
测试条件
一号位开关
在F1 = 10 MHz的
在50％的占空比
10位转换
在F1 = 2.5 MHz的
在50％的占空比
一号位开关
在F1 = 10 MHz的
在50％的占空比
10位转换
在F1 = 2.5 MHz的
在50％的占空比
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
5
9
10
12
CY54FCT841T
MIN TYP
最大
0.7
1
1
4.1
1.4
2.4
3.2||
13.2||
0.7
1
1
4.1
5
9
1.4
2.4
3.2||
13.2||
10
12
pF
pF
mA
CY74FCT841T
MIN TYP
最大
单位
VCC = 5 V
5.5 V,
输出打开，
,
OE = GND ，
LE = VCC
IC ＃
VCC = 5 25 V
5.25 V,
输出打开，
,
OE = GND ，
LE = VCC
Ci
Co
典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
＃ IC
= ICC +
I
CC
×
DH
×
NT + ICCD （ F0 / 2 + F1
×
N1)
其中：
IC
=总电源电流
ICC =电源电流与CMOS输入电平
I
CC =电源电流为TTL高输入电压（VIN = 3.4 V）
DH
=占空比为TTL输入高电平
NT
=的TTL输入的DH数
造成输入转换对（ HLH或LHL ） ICCD =动态电流
f0
=时钟频率为注册设备，否则为零
f1
=输入信号的频率
N1
=输入数在不断变化的F1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
||值对这些条件的IC卡公式的例子。
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图1）
CY54FCT841AT
民
tw
TSU
th
脉冲持续时间， LE高
建立时间， LE ↑前数据
保持时间， LE ↑后的数据
5
2.5
3
最大
CY74FCT841AT
民
4
2.5
2.5
最大
CY74FCT841BT
民
4
2.5
2.5
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