CY74FCT821T
10位总线接口寄存器
SCCS033A - 1994年5月 - 修订2001年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
功能，引脚和驱动器兼容
随着FCT ， F逻辑和AM29821
降低V
OH
（通常= 3.3V ）的版本
相当于FCT功能
边缘速率控制电路
显著改善噪声
特征
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
匹配的上升和下降时间
完全兼容TTL输入和
输出逻辑电平
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
64 mA输出灌电流
32 mA输出源电流
高速并行注册
正边沿触发的D型触发器
P，Q ，或SO封装
（ TOP VIEW ）
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
D
9
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
Y
9
CP
描述
该总线接口寄存器的目的是消除缓冲寄存器现有所需的额外软件包和
实施平价更宽的地址/数据路径或总线提供额外的数据宽度。该CY74FCT821T是
10位宽度的缓冲版本的流行的CY74FCT374功能。此设备是非常适合用作输出端口
需要高I
OL
/I
OH
.
该器件是专为高容性负载驱动能力，同时提供低电容总线负载
在两个输入端和输出端。输出是专为低电容总线负载在高阻抗状态。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
引脚说明
名字
D
CP
Y
OE
I / O
I
O
O
I
D触发器的数据输入端
时钟脉冲的寄存器。把数据输入上的低到高的时钟转变的寄存器。
寄存器3态输出
输出控制。当OE为高电平时，Y输出处于高阻抗状态。
当OE为低电平时，真正的寄存器中的数据存在于在Y输出。
描述
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2001年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
CY74FCT821T
10位总线接口寄存器
SCCS033A - 1994年5月 - 修订2001年10月
订购信息
TA
包装
QSOP - Q
SOIC - SO
DIP - P
-40 ° C至85°C
SOIC - SO
QSOP - Q
SOIC - SO
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
管
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
速度
（纳秒）
6
6
6
7.5
7.5
7.5
10
10
10
订购
产品型号
CY74FCT821CTQCT
CY74FCT821CTSOC
CY74FCT821CTSOCT
CY74FCT821BTPC
CY74FCT821BTSOC
CY74FCT821BTSOCT
CY74FCT821ATQCT
CY74FCT821ATSOC
CY74FCT821ATSOCT
TOP- SIDE
记号
FCT821C
FCT821C
CY74FCT821BTPC
FCT821B
FCT821A
FCT821A
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
功能表
输入
OE
H
H
H
L
L
D
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
↑
↑
↑
国内
输出
Q
L
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
H
负载
Z
功能
H =高逻辑电平，L =低逻辑电平，X =无关，
NC =无变化，
↑
=低到高的转变，
Z =高阻抗状态
逻辑图（正逻辑）
OE
1
CP
13
C0
Q
D0
2
D0
23
Y0
九其他渠道
2
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CY74FCT821T
10位总线接口寄存器
SCCS033A - 1994年5月 - 修订2001年10月
绝对最大额定值在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
电源电压范围到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
直流输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
DC输出电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
直流输出电流（最大灌电流/针） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安
封装的热阻抗，
q
JA
（见注1 ） ：P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
（见注2 ） ：Q包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W
（见注2 ） ： SO封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W
使用环境温度范围内具有功率应用，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至135°C的
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”是不是暗示。
暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注： 1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-3 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注3 ）
民
VCC
VIH
VIL
IOH
IOL
TA
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
–40
4.75
2
0.8
–32
64
85
喃
5
最大
5.25
单位
V
V
V
mA
mA
°C
注3 ：该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。
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3
CY74FCT821T
10位总线接口寄存器
SCCS033A - 1994年5月 - 修订2001年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VOH
VOL
VHYS
II
IIH
IIL
IOZH
IOZL
IOS
IOFF
ICC
I
CC
ICCD
VCC = 4.75 V ，
VCC = 4 75 V
4.75
VCC = 4.75 V ，
所有的输入
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 0 V ，
VCC = 5.25 V ，
测试条件
IIN = -18毫安
IOH = -32毫安
IOH = -15毫安
IOL = 64毫安
VIN = VCC
VIN = 2.7 V
VIN = 0.5 V
VOUT = 2.7 V
VOUT = 0.5 V
VOUT = 0 V
–60
–120
0.1
0.5
0.06
0.7
1.2
1.6
3.9
5
9
民
2
2.4
3.3
0.3
0.2
5
±1
±1
10
–10
–225
±1
0.2
2
0.12
1.4
3.4
3.2||
12.2||
10
12
pF
pF
mA
0.55
TYP
–0.7
最大
–1.2
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
mA
mA
毫安/
兆赫
VOUT = 4.5 V
VIN
≤
0.2 V,
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VCC = 5.25 V ， VIN = 3.4 V§ ， F1 = 0时，输出开路
VCC = 5.25伏，一个比特转换为50 ％的占空比，输出打开，
OE = EN = GND ， VIN
≤
0.2 V或VIN
≥
VCC - 0.2 V
一号位开关
在F1 = 5兆赫
在50％的占空比
八位开关
在F1 = 2.5 MHz的
在50％的占空比
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
IC ＃
VCC = 5.25 V ，
输出打开，
开放
OE = EN = GND
Ci
Co
典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或
采样和保持技术是优选的，以减少内部的芯片加热并更准确地反映工作值。否则，长时间
高输出的短路可提高芯片的温度远高于正常而导致无效的读数在其他参数测试。以任何顺序
参数测试， IOS测试应该在最后进行。
§每TTL驱动的输入端（ VIN = 3.4 V） ;所有其他输入在VCC或GND
此参数推导出总电源计算中使用。
＃ IC
= ICC +
I
CC
×
DH
×
NT + ICCD （ F0 / 2 + F1
×
N1)
其中：
IC
=总电源电流
ICC =电源电流与CMOS输入电平
I
CC =电源电流为TTL高输入电压（VIN = 3.4 V）
DH
=占空比为TTL输入高电平
NT
=的TTL输入的DH数
造成输入转换对（ HLH或LHL ） ICCD =动态电流
f0
=时钟频率为注册设备，否则为零
f1
=输入信号的频率
N1
=输入数在不断变化的F1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
||值对这些条件的IC卡公式的例子。
4
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CY74FCT821T
10位总线接口寄存器
SCCS033A - 1994年5月 - 修订2001年10月
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图1）
参数
tw
TSU
th
脉冲持续时间
建立时间，在CP ↑
保持时间， CP之后↑
CP
数据
数据
测试负载
CL = 50 pF的，
RL = 500
CL = 50 pF的，
RL = 500
CL = 50 pF的，
RL = 500
CY74FCT821AT
民
7
4
2
最大
CY74FCT821BT
民
6
3
1.5
最大
CY74FCT821CT
民
6
3
1.5
最大
单位
ns
ns
ns
开关特性在工作自由空气的温度范围内（见图1）
参数
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tpZH
tPZL
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
tPHZ
tPLZ
从
（输入）
CP
CP
OE
OE
OE
OE
TO
（输出）
Y
Y
Y
Y
Y
Y
测试负载
CL = 50 pF的，
,
RL = 500
CL = 300 pF的，
,
RL = 500
CL = 50 pF的，
,
RL = 500
CL = 300 pF的，
,
RL = 500
CL = 5 pF的，
,
RL = 500
CL = 50 pF的，
RL = 500
CY74FCT821AT
民
最大
10
10
20
20
12
12
23
23
7
7
8
8
CY74FCT821BT
民
最大
7.5
7.5
15
15
8
8
15
15
6.5
6.5
7.5
7.5
CY74FCT821CT
民
最大
6
6
12.5
12.5
7
7
12.5
12.5
6
6
6.5
6.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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5
赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
SCCS033 - 1994年5月 - 修订2000年3月
8 / 9- / 10位总线接口寄存器
功能说明
这些总线接口寄存器被设计成消除
缓冲寄存器的现有需要额外的软件包和
为更广泛的地址/数据路径或总线提供额外的数据宽度
携带奇偶校验。该FCT821T是一个缓冲， 10位宽的版本
流行FCT374功能。该FCT823T是9位宽
缓冲寄存器的时钟使能（ EN）和清除（ CLR ）的理想选择
奇偶总线的高性能微处理器的接口
编程系统。该FCT825T是一个8位的缓冲寄存器
与所有的FCT823T控制加多个使（ OE
1
,
OE
2
， OE
3
），以允许接口的多用户控制，例如，CS
DMA和RD / WR 。它们理想地用作输出端口
需要高I
OL
/I
OH
.
这些器件专为大容性负载驱动器
能力，同时提供低电容总线负载在两个
输入和输出。输出是专为低电容
总线负载在高阻抗状态，并设计有
断电禁用特性，允许电路板的带电插入。
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT ，女兼容，
Am29821 / 25分之23逻辑
FCT -C速度6.0 ns（最大值） 。
FCT -B的速度为7.5 ns（最大值） 。
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能
匹配的上升和下降时间
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
ESD ＆ GT ; 2000V
灌电流
64毫安
源出电流
32毫安
阳性高速并行寄存器
边沿触发的D - FL型IP- FL OPS
缓冲常见的时钟使能（ EN）和异步
清除输入（ CLR ）
扩展的商业范围
40C
至+ 85°C
逻辑框图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
N- 1
D
N
EN
[1]
CLR
[1]
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
CP
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
OE
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
n- 1
Y
n
注意：
1.不要在FCT821 。
版权
2000年，德州仪器
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
引脚说明
名字
D
CLR
CP
Y
EN
I / O
I
I
O
O
I
对D FL IP- FL运算的数据输入。
当CLR为低和OE是低电平时， Q输出为低。当CLR为高电平时，数据可以是
进入寄存器。
时钟脉冲的寄存器;将数据输入到在低到高的转变寄存器。
寄存器三态输出。
时钟使能。当EN为低时，在D输入的数据传送到在Q输出
低到高的时钟跳变。当EN为高电平时， Q输出不改变状态，
不管数据或时钟输入端的电压的。
输出控制。当OE为高电平时，Y输出处于高阻抗状态。当OE
为低电平时，为TRUE寄存器数据是存在于在Y输出。
描述
OE
I
功能表
[2]
输入
OE
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
CLR
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
EN
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
D
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
X
X
X
X
CP
内部输出
Q
L
H
L
L
NC
NC
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
L
H
功能
高Z
明确
HOLD
负载
最大额定值
[3,4]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导方针，没有测试。 ）
储存温度
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
.............................
65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源的应用
........................................
65 ° C至+ 135°C的
工作范围
范围
广告
范围
所有
环境
温度
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
5%
直流输入电压
.......................................
0.5V至+ 7.0V
直流输出电压
.....................................
0.5V至+ 7.0V
注意事项：
2.
3.
4.
电源电压对地电位
.............
0.5V至+ 7.0V
H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓， NC =没有变化，
=低到高的转变， Z =高阻抗。
除非另有说明，这些限制是在工作的自由空气的温度范围内。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
3
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
描述
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
=
18
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
60
120
0.2
0.7
1.2
5
±1
±1
10
10
225
±1
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
32
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
15
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
3.3
0.3
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
4
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源
当前
静态电源
电流（ TTL输入高电平）
动态电源
当前
[9]
总电源电流
[10]
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
≤0.2V,
V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大，V
IN
=3.4V,
[8]
f
1
= 0时，输出打开
V
CC
=最大值，一号位切换，占空比为50％ ，
输出打开， OE = EN = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，一号位切换
在f
1
= 5 MHz时， OE = EN = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
OE = EN = GND ，V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，八位切换
在f
1
= 2.5 MHz时， OE = EN = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，八位切换
在f
1
= 2.5 MHz时， OE = EN = GND ，
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
10. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
0
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
1
=输入信号的频率
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
0.7
1.4
mA
1.2
3.4
mA
1.6
3.2
[11]
mA
3.9
12.2
[11]
mA
5
赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
SCCS033 - 1994年5月 - 修订2000年3月
8 / 9- / 10位总线接口寄存器
功能说明
这些总线接口寄存器被设计成消除
缓冲寄存器的现有需要额外的软件包和
为更广泛的地址/数据路径或总线提供额外的数据宽度
携带奇偶校验。该FCT821T是一个缓冲， 10位宽的版本
流行FCT374功能。该FCT823T是9位宽
缓冲寄存器的时钟使能（ EN）和清除（ CLR ）的理想选择
奇偶总线的高性能微处理器的接口
编程系统。该FCT825T是一个8位的缓冲寄存器
与所有的FCT823T控制加多个使（ OE
1
,
OE
2
， OE
3
），以允许接口的多用户控制，例如，CS
DMA和RD / WR 。它们理想地用作输出端口
需要高I
OL
/I
OH
.
这些器件专为大容性负载驱动器
能力，同时提供低电容总线负载在两个
输入和输出。输出是专为低电容
总线负载在高阻抗状态，并设计有
断电禁用特性，允许电路板的带电插入。
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT ，女兼容，
Am29821 / 25分之23逻辑
FCT -C速度6.0 ns（最大值） 。
FCT -B的速度为7.5 ns（最大值） 。
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能
匹配的上升和下降时间
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
ESD ＆ GT ; 2000V
灌电流
64毫安
源出电流
32毫安
阳性高速并行寄存器
边沿触发的D - FL型IP- FL OPS
缓冲常见的时钟使能（ EN）和异步
清除输入（ CLR ）
扩展的商业范围
40C
至+ 85°C
逻辑框图
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
N- 1
D
N
EN
[1]
CLR
[1]
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
D
CL
Q
CP
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
CP
Q
OE
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
n- 1
Y
n
注意：
1.不要在FCT821 。
版权
2000年，德州仪器
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
引脚说明
名字
D
CLR
CP
Y
EN
I / O
I
I
O
O
I
对D FL IP- FL运算的数据输入。
当CLR为低和OE是低电平时， Q输出为低。当CLR为高电平时，数据可以是
进入寄存器。
时钟脉冲的寄存器;将数据输入到在低到高的转变寄存器。
寄存器三态输出。
时钟使能。当EN为低时，在D输入的数据传送到在Q输出
低到高的时钟跳变。当EN为高电平时， Q输出不改变状态，
不管数据或时钟输入端的电压的。
输出控制。当OE为高电平时，Y输出处于高阻抗状态。当OE
为低电平时，为TRUE寄存器数据是存在于在Y输出。
描述
OE
I
功能表
[2]
输入
OE
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
CLR
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
EN
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
D
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
X
X
X
X
CP
内部输出
Q
L
H
L
L
NC
NC
L
H
L
H
Y
Z
Z
Z
L
Z
NC
Z
Z
L
H
功能
高Z
明确
HOLD
负载
最大额定值
[3,4]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导方针，没有测试。 ）
储存温度
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
.............................
65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源的应用
........................................
65 ° C至+ 135°C的
工作范围
范围
广告
范围
所有
环境
温度
40°C
至+ 85°C
V
CC
5V
±
5%
直流输入电压
.......................................
0.5V至+ 7.0V
直流输出电压
.....................................
0.5V至+ 7.0V
注意事项：
2.
3.
4.
电源电压对地电位
.............
0.5V至+ 7.0V
H =高电平， L =低电压等级， X =无所谓， NC =没有变化，
=低到高的转变， Z =高阻抗。
除非另有说明，这些限制是在工作的自由空气的温度范围内。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
3
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
描述
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
=
18
mA
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
60
120
0.2
0.7
1.2
5
±1
±1
10
10
225
±1
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
32
mA
V
CC
=最小值，我
OH
=
15
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
3.3
0.3
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意事项：
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
4
CY74FCT821T
CY74FCT823T
CY74FCT825T
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源
当前
静态电源
电流（ TTL输入高电平）
动态电源
当前
[9]
总电源电流
[10]
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
≤0.2V,
V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大，V
IN
=3.4V,
[8]
f
1
= 0时，输出打开
V
CC
=最大值，一号位切换，占空比为50％ ，
输出打开， OE = EN = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，一号位切换
在f
1
= 5 MHz时， OE = EN = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，一位切换在f
1
= 5兆赫兹，
OE = EN = GND ，V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，八位切换
在f
1
= 2.5 MHz时， OE = EN = GND ，
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
0.2V
V
CC
=最大值，女
0
= 10 MHz时，占空比为50％ ，
输出打开，八位切换
在f
1
= 2.5 MHz时， OE = EN = GND ，
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
10. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
0
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
1
=输入信号的频率
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
0.7
1.4
mA
1.2
3.4
mA
1.6
3.2
[11]
mA
3.9
12.2
[11]
mA
5
QQ：2881677436 复制
