CY54FCT543T ， CY74FCT543T

8位锁存户籍收发器

具有三态输出

SCCS030A - 1994年5月 - 修订2001年10月

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

D

功能，引脚和驱动器兼容

随着FCT和F逻辑

降低V

OH

（通常= 3.3V ）版本

等效FCT功能

边缘速率控制电路

显著改善噪声

特征

I

关闭

支持部分掉电模式

手术

匹配的上升和下降时间

完全兼容TTL输入和

输出逻辑电平

三态输出

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

分离控制数据流中的每个

方向

返回到回锁存器用于存储

CY54FCT543T

- 48 mA的输出灌电流

- 12 mA输出源电流

CY74FCT543T

- 64 mA的输出灌电流

- 32 mA输出源电流

CY54FCT543T 。 。 。 ，D封装

CY74FCT543T 。 。 。 q或SO封装

（ TOP VIEW ）

LEBA

OEBA

A

0

A

1

A

2

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

CEAB

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

14

13

V

CC

CEBA

B

0

B

1

B

2

B

3

B

4

B

5

B

6

B

7

LEAB

OEAB

描述

在“ FCT543T八进制锁存收发器包含两套八D型锁存器具有独立锁存使能

（ LEAB ， LEBA ）和输出使能（ OEAB ， OEBA ）输入的每个组，以允许输入的独立控制和

输出的数据流的任何一个方向。用于从所述的数据流至B ，例如，在A至B使能（ CEAB ）输入

必须低，以从A输入数据或采取数据从B中，在功能表中所示。随着CEAB

低，在低信号的A到B锁存使能（ LEAB ）输入使得A到B锁存透明;随后

低到高的LEAB信号的过渡放甲锁存器中的存储方式及它们的输出端不再

改变与A输入。随着CEAB和OEAB低，三态B输出缓冲器是有效的，并反映数据

本在A锁存器的输出。控制数据从B到A相似，但使用CEBA ， LEBA和OEBA

输入。

这些设备的使用I局部断电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路将禁用

输出，以防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

版权

2001年，德州仪器

关于产品符合MIL -PRF- 38535 ，所有参数进行测试

除非另有说明。在所有其他产品，生产

加工不一定包括所有参数进行测试。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

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引脚说明

名字

OEAB

OEBA

CEAB

CEBA

LEAB

LEBA

A

B

描述

A到B输出使能输入（低电平有效）

B对A的输出使能输入（低电平有效）

A到B使能输入（低电平有效）

B对A使能输入（低电平有效）

A到B锁存使能输入（低电平有效）

B-到-A锁存使能输入（低电平有效）

A到B的数据输入端或B至A 3态输出

B-到的数据输入或A至B 3态输出

订购信息

TA

包装

QSOP - Q

SOIC - SO

QSOP - Q

-40 ° C至85°C

SOIC - SO

QSOP - Q

SOIC - SO

-55 ° C至125°C

55°C

CDIP - D

磁带和卷轴

管

磁带和卷轴

磁带和卷轴

管

磁带和卷轴

磁带和卷轴

管

磁带和卷轴

管

管

速度

（纳秒）

5.3

5.3

5.3

6.5

6.5

6.5

8.5

8.5

8.5

10

10

订购

产品型号

CY74FCT543CTQCT

CY74FCT543CTSOC

CY74FCT543CTSOCT

CY74FCT543ATQCT

CY74FCT543ATSOC

CY74FCT543ATSOCT

CY74FCT543TQCT

CY74FCT543TSOC

CY74FCT543TSOCT

CY54FCT543TDMB

CY54FCT543TLMB

TOP- SIDE

记号

FCT543C

FCT543C

FCT543A

FCT543A

FCT543

FCT543

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则

可在www.ti.com/sc/package 。

功能表

输入

CEAB

H

X

X

L

L

LEAB

X

H

X

L

H

OEAB

X

X

H

L

L

LATCH

A TO B§

存储

存储

X

透明

存储

产量

B

Z

X

Z

目前的A输入

以前的A输入

H =高逻辑电平，L =低逻辑电平，X =无关，

Z =高阻抗状态

显示A到B的数据流; B对甲流的控制是一样的，只是使用

CEBA ， LEBA和OEBA 。

在LEAB低到高的转变

2

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逻辑图（正逻辑）

OEBA

CEBA

LEBA

OEAB

CEAB

LEAB

2

23

1

13

11

14

LE

Q

D

22

B0

A0

3

LE

Q

D

七其他渠道

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

直流输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

DC输出电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的

直流输出电流（最大灌电流/针） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注1 ） ：Q包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 61 ° C / W

SO封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46 ° C / W

使用环境温度范围内具有功率应用，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至135°C的

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”是不是暗示。

暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注1 ：该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注2 ）

CY54FCT543T

民

VCC

VIH

VIL

IOH

IOL

TA

电源电压

高电平输入电压

低电平输入电压

高电平输出电流

低电平输出电流

工作自由空气的温度

–55

4.5

2

0.8

–12

48

125

–40

喃

5

最大

5.5

CY74FCT543T

民

4.75

2

0.8

–32

64

85

喃

5

最大

5.25

单位

V

V

V

mA

mA

°C

注2 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。

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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

VIK

VCC = 4.5 V ，

VCC = 4.75 V ，

VCC = 4.5 V ，

VOH

VCC = 4 75 V

4.75

VCC = 4.5 V ，

VCC = 4.75 V ，

所有的输入

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.25 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.25 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.25 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.25 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.25 V ，

VCC = 5.5 V ，

VCC = 5.25 V ，

VCC = 0 V ，

VCC = 5.5 V ，

VIN = VCC

VIN = VCC

VIN = 2.7 V

VIN = 2.7 V

VIN = 0.5 V

VIN = 0.5 V

VOUT = 2.7 V

VOUT = 2.7 V

VOUT = 0.5 V

VOUT = 0.5 V

VOUT = 0 V

VOUT = 0 V

VOUT = 4.5 V

VIN

≤

0.2 V,

VIN

≥

VCC - 0.2 V

VIN

≥

VCC - 0.2 V

–60

–120

测试条件

IIN = -18毫安

IIN = -18毫安

IOH = -12毫安

IOH = -32毫安

IOH = -15毫安

IOL = 48毫安

IOL = 64毫安

0.2

5

5

±1

±1

±1

±1

10

10

–10

–10

–225

–60

±1

0.1

0.5

0.2

0.1

2

0.5

2

0.2

–120

–225

±1

2.4

CY54FCT543T

MIN TYP MAX

–0.7

3.3

2

2.4

0.3

0.55

0.3

0.2

0.55

3.3

V

V

A

A

A

A

A

mA

A

mA

mA

V

–1.2

–0.7

–1.2

CY74FCT543T

MIN TYP MAX

单位

V

VOL

VHYS

II

IIH

IIL

IOZH

IOZL

IOS

IOFF

ICC

I

CC

VCC = 5.25 V ，

VIN

≤

0.2 V,

VCC = 5.5 V ， VIN = 3.4 V§ ， F1 = 0时，输出开路

VCC = 5.25 V ， VIN = 3.4 V§ ， F1 = 0时，输出开路

VCC = 5.5 V ，输出开路，

一个输入开关以50％的占空比，

0.06

0.12

CEAB和OEAB =低， CEBA = HIGH ，

VIN

≤

0.2 V或VIN

≥

VCC - 0.2 V

毫安/

ICCD

兆赫

VCC = 5.25 V ，输出开路，

一个输入开关以50％的占空比，

0.06

0.12

CEAB和OEAB =低， CEBA = HIGH ，

VIN

≤

0.2 V或VIN

≥

VCC - 0.2 V

典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。

不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或

采样和保持技术是优选的，以减少内部的芯片加热并更准确地反映工作值。否则，长时间

高输出的短路可提高芯片的温度远高于正常而导致无效的读数在其他参数测试。以任何顺序

参数测试， IOS测试应该在最后进行。

§每TTL驱动的输入端（ VIN = 3.4 V） ;所有其他输入在VCC或GND

此参数推导出总电源计算中使用。

4

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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明） （续）

参数

测试条件

一号位

开关

在F1 = 5兆赫

在50 ％的占空

周期

VIN

≤

0.2 V或

VIN

≥

VCC - 0.2 V

VIN = 3.4 V或GND

VIN

≤

0.2 V或

VIN

≥

VCC - 0.2 V

VIN = 3.4 V或GND

VIN

≤

0.2 V或

VIN

≥

VCC - 0.2 V

VIN = 3.4 V或GND

VIN

≤

0.2 V或

VIN

≥

VCC - 0.2 V

VIN = 3.4 V或GND

5

9

10

12

CY54FCT543T

MIN TYP MAX

0.7

1.2

2.8

5.1

1.4

3.4

5.6||

14.6||

mA

0.7

1.2

2.8

5.1

5

9

1.4

3.4

5.6||

14.6||

10

12

pF

pF

CY74FCT543T

MIN TYP MAX

单位

IC ＃

VCC = 5.5 V ，

F0 = 10 MHz时，

输出打开，

,

CEAB和OEAB =八位

低， CEBA =高，

开关

f0的= LEAB = 10兆赫在f = 5MHz的

1

在50 ％的占空

周期

一号位

开关

在F1 = 5兆赫

在50 ％的占空

周期

VCC = 5.25 V ，

F0 = 10 MHz时，

,

输出打开，

CEAB和OEAB =八位

低， CEBA =高，

开关

f0的= LEAB = 10兆赫在f = 5MHz的

1

在50 ％的占空

周期

Ci

Co

典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。

＃ IC

= ICC +

I

CCDHNT + ICCD （ F0 / 2 + f1N1 ）

ICC =静态电流， CMOS输入电平

I

CC =电源电流为TTL高输入电压（VIN = 3.4 V）

DH

=占空比为TTL输入高电平

NT

=的TTL输入的DH数

造成输入转换对（ HLH或LHL ） ICCD =动态电流

f0

=时钟频率为注册设备，否则为零

f1

=输入信号的频率

N1

=输入数在不断变化的F1

所有电流都毫安，所有频率在兆赫。

||值对这些条件的IC卡公式的例子。

时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有

说明）（参见图1）

参数

tw

TSU

th

脉冲持续时间， LEAB或LEBA

建立时间， LEAB ↓或LEBA ↓前数据

保持时间， LEAB ↓或LEBA ↓后的数据

CY54FCT543T

民

5

3

2

最大

CY74FCT543T

民

5

2

2

最大

CY74FCT543AT

民

5

2

2

最大

CY74FCT543CT

民

5

2

2

最大

单位

ns

ns

ns

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5