1CY74FCT2573T
赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY74FCT2373T
CY74FCT2573T
SCCS039 - 1994年9月 - 修订2000年3月
8位锁存器
功能说明
该FCT2373T和FCT2573T是8位，高速CMOS
TTL兼容的缓冲锁存器具有三态输出，
是理想的，用于驱动高电容负载，如存储器
和地址缓冲器。片上25Ω终端电阻有
被添加到输出端，以减少所造成的系统噪声
再FL ections 。 FCT2373T可以用来代替FCT373T ，并
FCT2573T取代FCT573T减少在现有的噪声
设计。
当锁存使能（LE）是高电平时，佛罗里达州的ip-佛罗里达州欢声笑语出现反
父数据。数据符合要求的设置时间
当LE转换从高电平变为低电平被锁定。数据
当出现输出使能（ OE ）在总线上是低的。
当输出使能为高，总线输出是在高
阻抗状态。在这种模式中，数据仍然可以被输入到
所述锁存器。
输出设计有断电禁用功能
允许电路板带电插入。
特点
功能和引脚以最快的双极兼容
逻辑
25Ω输出串联电阻，以减少传输线
refelection噪音
FCT -C速度4.7 ns（最大值） 。
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
断电禁用功能
匹配的上升和下降时间
ESD ＆ GT ; 2000V
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
12毫安
源出电流
15毫安
扩展商业温度。 + 85℃范围-40℃
逻辑符号
销刀豆网络gurations
SOIC / QSOP
顶视图
D
0
LE
OE
O
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
OE
O
0
D
0
1
2
3
4
5
20
19
18
17
V
CC
O
7
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
D
4
O
4
LE
FCT2373T-4
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
D
1
O
1
O
2
FCT2373T-1
D
2
D
3
O
3
GND
16
6 FCT2373T15
14
7
8
9
10
13
12
11
逻辑框图
D
0
LE
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
CP
D
Q
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
OE
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
OE
D
5
D
6
D
7
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
FCT2373T-2
GND
SOIC / QSOP
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
LE
FCT2373T-6
版权
2000年，德州仪器
CY74FCT2373T
CY74FCT2573T
功能表
[1]
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
O
H
L
Q
0
Z
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压........................................... -0.5V到+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 65 ° C至+ 135°C的
工作范围
范围
广告
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
5%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
R
OUT
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
描述
输出高电压
输出低电压
输出电阻
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
V
CC
=最大，V
IN
=V
CC
V
CC
=最大，V
IN
=2.7V
V
CC
=最大，V
IN
=0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
=2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
=0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
=0.0V
V
CC
=0V, V
OUT
=4.5V
–60
–120
0.2
–0.7
–1.2
5
±1
±1
10
–10
–225
±1
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -15毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 12毫安
20
2.0
0.8
分钟。
2.4
典型值。
[5]
3.3
0.3
28
0.55
40
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
注意事项：
1. H
=高电压电平
L
=低电压电平
X
= DO NOT CARE
Z
=高阻
Q
n
=先前状态FL IP FL OPS （Q
n–1
)
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
2
CY74FCT2373T
CY74FCT2573T
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
输入电容
输出电容
描述
典型值。
[5]
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
静态电源电流
（ TTL输入）
动态电源
当前
[9]
总电源电流
[10]
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
IN
=3.4V,
[8]
f
1
= 0时，输出打开
V
CC
=最大值，一个输入切换，
50％的占空比，输出打开， OE = GND ，
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE = GND ， LE = V
CC
,V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC
,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE = GND ， LE = V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
=的TTL输入的D号
H
N
T
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
=改变在f输入数
1
N
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
mA
I
C
0.7
1.4
1.0
2.4
mA
1.3
2.6
[11]
mA
3.3
10.6
[11]
mA
3
CY74FCT2373T
CY74FCT2573T
开关特性
在整个工作范围
[12]
CY74FCT2373T
CY74FCT2573T
参数
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
t
S
t
H
t
W
描述
传播延迟与O
传播延迟LE与O
输出使能时间
输出禁止时间
建立时间，高到低
D钮LE
保持时间，高到低
D钮LE
LE脉冲宽高
分钟。
1.5
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
6.0
马克斯。
8.0
13.0
11.0
7.0
CY74FCT2373AT
CY74FCT2573AT
分钟。
1.5
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
5.0
马克斯。
5.2
8.5
6.5
5.5
CY74FCT2373CT
CY74FCT2573CT
分钟。
1.5
2.0
1.5
1.5
2.0
1.5
5.0
马克斯。
4.2
5.5
5.5
5.0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图。
号
[13]
1, 3
1, 5
1, 7, 8
1, 7, 8
9
9
5
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
订购信息
速度
（纳秒）
4.2
5.2
8.0
订购代码
CY74FCT2373CTQCT
CY74FCT2373CTSOC/SOCT
CY74FCT2373ATQCT
CY74FCT2373ATSOC/SOCT
CY74FCT2373TQCT
包
名字
Q5
S5
Q5
S5
Q5
套餐类型
20引脚（ 150 mil）的QSOP
20引脚（ 300密耳）模压SOIC
20引脚（ 150 mil）的QSOP
20引脚（ 300密耳）模压SOIC
20引脚（ 150 mil）的QSOP
广告
广告
操作
范围
广告
订购信息
速度
（纳秒）
4.2
5.2
8.0
订购代码
CY74FCT2573CTQCT
CY74FCT2573CTSOC/SOCT
CY74FCT2573ATQCT
CY74FCT2573TSOC/SOCT
包
名字
Q5
S5
Q5
S5
套餐类型
20引脚（ 150 mil）的QSOP
20引脚（ 300密耳）模压SOIC
20引脚（ 150 mil）的QSOP
20引脚（ 300密耳）模压SOIC
广告
广告
操作
范围
广告
文件编号： 38-00338 -B
4
CY74FCT2373T
8位锁存器
具有三态输出
SCCS039B - 1994年9月 - 修订2001年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
功能和引脚兼容
最快的双极逻辑
25 Ω输出串联电阻降低
传输线反射噪声
降低V
OH
（通常= 3.3V ）的版本
相当于FCT功能
边缘速率控制电路
显著改善噪声
特征
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
匹配的上升和下降时间
三态输出
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
完全兼容TTL输入和
输出逻辑电平
12 mA的输出灌电流
15 mA输出源电流
q或SO封装
（ TOP VIEW ）
OE
O
0
D
0
D
1
O
1
O
2
D
2
D
3
O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
O
7
D
7
D
6
O
6
O
5
D
5
D
4
O
4
LE
描述
该CY74FCT2373T是一个8位，高速CMOS ， TTL兼容的缓冲锁存器与三态输出的是
理想的，用于驱动高电容负载，如存储器和地址缓冲器。片内25 Ω终端
电阻器的输出减少反射造成的系统噪声。该CY74FCT2373T可更换
CY74FCT373T以减少噪声的现有设计。
当锁存使能（ LE）的输入为高电平时，触发器出现透明的数据。数据满足
当LE转变，从高分到低分所需的准备时间被锁定。数据出现在总线上时，
输出使能（ OE ）输入为低。当OE为高电平时，总线输出处于高阻抗状态。在这种模式下，
数据可以被输入到锁存器。
这个装置是用我的部分掉电应用完全指定
关闭
。在我
关闭
电路禁止输出，
防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。
订购信息
TA
包装
QSOP - Q
-40 ° C至85°C
SOIC - SO
QSOP - Q
QSOP - Q
磁带和卷轴
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
速度
（纳秒）
4.7
4.7
4.7
5.2
8
订购
产品型号
CY74FCT2373CTQCT
CY74FCT2373CTSOC
CY74FCT2373CTSOCT
CY74FCT2373ATQCT
CY74FCT2373TQCT
TOP- SIDE
记号
FCT2373C
FCT2373C
FCT2373A
FCT2373
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2001年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
CY74FCT2373T
8位锁存器
具有三态输出
SCCS039B - 1994年9月 - 修订2001年10月
功能表
输入
OE
L
L
L
H
LE
H
H
L
X
D
H
L
X
X
产量
O
H
L
Q0
Z
H =高逻辑电平，L =低逻辑电平，
X =无关，Z =高阻抗
状态， Q0 =上一状态翻转触发器
(Q0–1)
逻辑图
OE
1
LE
11
CP
2
D0
3
Q
D
O0
七其他渠道
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压范围到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
直流输入电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
DC输出电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V的
直流输出电流（最大灌电流/针） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 120毫安
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ：Q包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 68 ° C / W
SO封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
使用环境温度范围内具有功率应用，T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至135°C的
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件（见注2 ）
民
VCC
VIH
VIL
IOH
IOL
TA
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
低电平输出电流
工作自由空气的温度
–40
4.75
2
0.8
–15
12
85
喃
5
最大
5.25
单位
V
V
V
mA
mA
°C
注2 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
CY74FCT2373T
8位锁存器
具有三态输出
SCCS039B - 1994年9月 - 修订2001年10月
电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非
另有说明）
参数
VIK
VOH
VOL
大败
VHYS
II
IIH
IIL
IOZH
IOZL
IOS
IOFF
ICC
I
CC
ICCD
VCC = 4.75 V ，
VCC = 4.75 V ，
VCC = 4.75 V ，
VCC = 4.75 V ，
所有的输入
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 5.25 V ，
VCC = 0 V ，
VCC = 5.25 V ，
VIN = VCC
VIN = 2.7 V
VIN = 0.5 V
VOUT = 2.7 V
VOUT = 0.5 V
VOUT = 0 V
–60
–120
0.1
0.5
0.06
0.7
1
1.3
3.3
6
8
测试条件
IIN = -18毫安
IOH = -15毫安
IOL = 12毫安
IOL = 12毫安
民
2.4
20
TYP
–0.7
3.3
0.3
28
0.2
5
±1
±1
10
–10
–225
±1
0.2
2
0.12
1.4
2.4
2.6||
10.6||
10
12
pF
pF
mA
0.55
40
最大
–1.2
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
mA
mA
毫安/
兆赫
VOUT = 4.5 V
VIN
≤
0.2 V,
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VCC = 5.25 V ， VIN = 3.4 V§ ， F1 = 0时，输出开路
Vcc = 5.25伏，其中输入开关，在50 ％的占空比，输出打开，
OE = GND ， VIN
≤
0.2 V或VIN
≥
VCC - 0.2 V
一个输入切换
在F1 = 10 MHz的
在50％的占空比
八位开关
在F1 = 2.5 MHz的
在50％的占空比
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
VIN
≤
0.2 V或
VIN
≥
VCC - 0.2 V
VIN = 3.4 V或GND
IC ＃
VCC = 5 25 V
5.25 V,
输出打开，
,
OE = GND ，
LE = VCC
Ci
Co
典型值是在VCC = 5V ， TA = 25 ℃。
不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备
和/或采样和保持技术是优选的，以减少内部的芯片加热并更准确地反映工作值。否则，
高输出长时间短路可提高芯片的温度远高于正常而导致无效的读数在其他参数测试。在
参数测试中的任何序列， IOS测试应该在最后进行。
§每TTL驱动的输入端（ VIN = 3.4 V） ;所有其他输入在VCC或GND
此参数推导出总电源计算中使用。
＃ IC
= ICC +
I
CC
×
DH
×
NT + ICCD （ F0 / 2 + F1
×
N1)
其中：
IC
=总电源电流
ICC =电源电流与CMOS输入电平
I
CC =电源电流为TTL高输入电压（VIN = 3.4 V）
DH
=占空比为TTL输入高电平
NT
=的TTL输入的DH数
造成输入转换对（ HLH或LHL ） ICCD =动态电流
f0
=时钟频率为注册设备，否则为零
f1
=输入信号的频率
N1
=输入数在不断变化的F1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
||值对这些条件的IC卡公式的例子。
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达拉斯，德克萨斯州75265
3
CY74FCT2373T
8位锁存器
具有三态输出
SCCS039B - 1994年9月 - 修订2001年10月
时序要求在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有
说明）（参见图1）
CY74FCT2373T
民
tw
TSU
th
脉冲持续时间， LE高
建立时间，D为LE
保持时间，D为LE
前高后低
前高后低
6
2
1.5
最大
CY74FCT2373AT
民
5
2
1.5
最大
CY74FCT2373CT
民
5
2
1.5
最大
单位
ns
ns
ns
开关特性在工作自由空气的温度范围内（见图1）
参数
TPLH
的TPH1
TPLH
的TPH1
tpZH
tPZL
tPHZ
tPLZ
从
（输入）
D
LE
TO
（输出）
O
O
O
O
CY74FCT2373T
民
1.5
1.5
2
2
1.5
1.5
1.5
1.5
最大
8
8
13
13
11
11
7
7
CY74FCT2373AT
民
1.5
1.5
2
2
1.5
1.5
1.5
1.5
最大
5.2
5.2
8.5
8.5
6.5
6.5
5.5
5.5
CY74FCT2373CT
民
1.5
1.5
2
2
1.5
1.5
1.5
1.5
最大
4.7
4.7
5.5
5.5
5.5
5.5
5
5
单位
ns
ns
ns
ns
OE
OE
4
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CY74FCT2373T
8位锁存器
具有三态输出
SCCS039B - 1994年9月 - 修订2001年10月
参数测量信息
7V
从输出
被测
CL = 50 pF的
（见注一）
TEST
点
500
从输出
被测
CL = 50 pF的
（见注一）
500
S1
开放
GND
500
TEST
tPLH的/的TPH1
tPLZ / tPZL
tPHZ / tPZH
S1
开放
7V
开放
负载电路是否
图腾柱输出
负载电路是否
三态输出
3V
定时输入
tw
3V
TSU
数据输入
0V
1.5 V
1.5 V
0V
th
3V
1.5 V
0V
电压波形
建立和保持时间
3V
3V
1.5 V
1.5 V
0V
tPZL
VOH
1.5 V
1.5 V
VOL
TPLH
VOH
1.5 V
1.5 V
VOL
产量
波形2
（见注B）
产量
波形1
（见注B）
tpZH
1.5 V
1.5 V
tPLZ
≈3.5
V
VOL + 0.3 V
tPHZ
VOH - 0.3 V
VOH
≈0
V
电压波形
启用和禁用时报
低收入和高级别ENABLING
VOL
输入
1.5 V
1.5 V
电压波形
脉冲持续时间
输入
TPLH
在相
产量
的TPH1
乱相
产量
1.5 V
1.5 V
0V
的TPH1
产量
控制
电压波形
传播延迟时间
反相和同相产出
注：A CL包括探针和夹具电容。
B.波形1是内部条件的输出，使得输出为低电平除非输出控制禁止时。
波形2是内部条件的输出，使得输出为高，除去被禁止输出的时候。
C的输出被测量的一个在每个测量一个输入转换的时间。
图1.负载电路和电压波形
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