1CY 626 4
初步
CY6264
8K ×8静态RAM
特点
55 ， 70 ns访问时间
CMOS的最佳速度/功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE为特色的
Tures的
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
如果取消70％以上。该CY6264封装在一个
450密耳（ 300 - mil主体） SOIC 。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
看跌期权是低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-
上的地址引脚穿着由所述信息存在于
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY6264是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
由8位认列8192字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。这两款器件都具有自动pow-
ER-断特性（ CE
1
） ，降低了功率消耗
逻辑框图
引脚配置
SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
CY6264-2
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
2
I / O
3
256 x 32 x 8
ARRA
Y
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
CY6264-1
列解码器
动力
下
I / O
7
选购指南
CY6264-55
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
阴影区域包含先进的信息。
CY6264-70
70
100
20/15
55
100
20/15
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1994年10月 - 修订1996年6月
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[1]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
CY6264
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
6264-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
1
掉电电流
自动CE
1
掉电电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH ，
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
6264-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
阴影区域包含先进的信息。
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
2.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R1 481
5V
产量
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
R2
255
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
CY6264-4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
(b)
CY6264-3
戴维南等效
产量
167
1.73V
2
初步
开关特性
在整个工作范围
[4]
6264-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[5]
WE高到低Z
5
50
40
30
40
0
0
25
25
0
20
5
70
60
50
55
0
0
40
35
0
30
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
CE
1
低到低Z
[6]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5, 6]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
1
高到掉电
0
25
5
3
20
0
30
3
20
5
5
30
5
55
40
25
5
30
55
55
5
70
70
35
70
70
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
6264-70
CY6264
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域包含先进的信息。
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。这两个信号必须为低电平启动写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
初步
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 11, 12]
t
WC
地址
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE2
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
t
HD
t
HA
t
SCE1
CY6264
CY6264-8
注意：
12.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
5.0
I
SB
5.5
6.0
0.4
0.2
0.0
55
I
SB
25
125
V
CC
=5.0V
V
IN
=5.0V
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
CC
0.8
1.2
1.0
归一化电源电流
- 环境温度
输出源电流
与输出电压
120
100
80
I
CC
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
电源电压（ V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
T
A
=25°C
1.0
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.8
0.6
55
1.0
1.6
1.4
环境温度（ ℃）
归一化存取时间
- 环境温度
140
120
100
80
60
V
CC
=5.0V
40
20
25
125
0
0.0
输出电压（V）
输出灌电流
与输出电压
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
1.0
2.0
3.0
4.0
电源电压（ V）
环境温度（ ℃）
输出电压（V）
5
1CY 626 4
初步
CY6264
8K ×8静态RAM
特点
55 ， 70 ns访问时间
CMOS的最佳速度/功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE为特色的
Tures的
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
如果取消70％以上。该CY6264封装在一个
450密耳（ 300 - mil主体） SOIC 。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE
1
而我们在 -
看跌期权是低和CE
2
为高电平时，对八个数据数据
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被写入到存储器
位置上的地址寻址的地址本
销（A
0
至A
12
） 。读出装置通过完成
选择器件和使能输出端，CE
1
和OE
低电平有效，CE
2
高电平有效，当我们处于非活动状态或
HIGH 。在这些条件下，该位置的内容AD-
上的地址引脚穿着由所述信息存在于
八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY6264是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
由8位认列8192字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE提供
1
） ，高电平有效
片选（ CE
2
）和低电平有效输出使能（ OE ）和
三态驱动器。这两款器件都具有自动pow-
ER-断特性（ CE
1
） ，降低了功率消耗
逻辑框图
引脚配置
SOIC
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
CY6264-2
I / O
0
输入缓冲器
I / O
1
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
2
I / O
3
256 x 32 x 8
ARRA
Y
I / O
4
I / O
5
I / O
6
CE
1
CE
2
WE
OE
CY6264-1
列解码器
动力
下
I / O
7
选购指南
CY6264-55
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
阴影区域包含先进的信息。
CY6264-70
70
100
20/15
55
100
20/15
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1994年10月 - 修订1996年6月
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
............................................ -0.5V至7.0 V
直流输入电压
[1]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
CY6264
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
广告
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
V
CC
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
6264-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
OS
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏
当前
输出短路
短路电流
[2]
V
CC
操作
电源电流
自动CE
1
掉电电流
自动CE
1
掉电电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0毫安
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
IH ，
分钟。占空比= 100 ％
最大。 V
CC
，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
2.2
–0.5
–5
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
2.2
–0.5
–5
–5
马克斯。
6264-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
0.8
+5
+5
–300
100
20
15
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
阴影区域包含先进的信息。
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
注意事项：
1.最小电压等于-3.0V为脉冲持续时间小于30纳秒。
2.不超过1输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
R1 481
5V
产量
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1 481
所有的输入脉冲
3.0V
R2
255
GND
10%
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
CY6264-4
＆ LT ; 5纳秒
(a)
(b)
CY6264-3
戴维南等效
产量
167
1.73V
2
初步
开关特性
在整个工作范围
[4]
6264-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE1
t
ACE2
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE1
t
LZCE2
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[7]
t
WC
t
SCE1
t
SCE2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
低到写结束
CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[5]
WE高到低Z
5
50
40
30
40
0
0
25
25
0
20
5
70
60
50
55
0
0
40
35
0
30
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效
CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[5]
CE
1
低到低Z
[6]
CE
2
高到低Z
CE
1
高到高阻
[5, 6]
CE
2
低到高Z
CE
1
低到电
CE
1
高到掉电
0
25
5
3
20
0
30
3
20
5
5
30
5
55
40
25
5
30
55
55
5
70
70
35
70
70
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
6264-70
CY6264
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
阴影区域包含先进的信息。
注意事项：
4.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
5. t
HZOE ，
t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
对于任何给定的设备。
7.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。这两个信号必须为低电平启动写，要么
信号可以通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
初步
开关波形
（续）
写周期号2 （ CE控制）
[9, 11, 12]
t
WC
地址
CE
1
t
SA
CE
2
t
SCE2
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
DATA IN
数据
IN
有效
t
HZWE
数据I / O
高阻抗
数据中，未定义
t
HD
t
HA
t
SCE1
CY6264
CY6264-8
注意：
12.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
典型的DC和AC特性
归一化电源电流
- 电源电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.6
0.4
0.2
0.0
4.0
4.5
5.0
I
SB
5.5
6.0
0.4
0.2
0.0
55
I
SB
25
125
V
CC
=5.0V
V
IN
=5.0V
60
40
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
CC
0.8
1.2
1.0
归一化电源电流
- 环境温度
输出源电流
与输出电压
120
100
80
I
CC
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
电源电压（ V）
归一化存取时间
- 电源电压
1.4
1.3
1.2
1.2
1.1
T
A
=25°C
1.0
0.9
0.8
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0.8
0.6
55
1.0
1.6
1.4
环境温度（ ℃）
归一化存取时间
- 环境温度
140
120
100
80
60
V
CC
=5.0V
40
20
25
125
0
0.0
输出电压（V）
输出灌电流
与输出电压
V
CC
=5.0V
T
A
=25°C
1.0
2.0
3.0
4.0
电源电压（ V）
环境温度（ ℃）
输出电压（V）
5
QQ：2881677436 复制
