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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1091页 > CY62256VNLL-70SNXI
CY62256VN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
速度： 70纳秒
低电压范围： 2.7V - 3.6V
低有功功率和备用电源
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供标准的无铅和无无铅28引脚
（ 300密耳）窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚
反向TSOP -I封装
功能说明
[1]
该CY62256VN家庭是由两个高性能
CMOS静态RAM的由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
这些器件具有自动断电功能，
降低功率消耗时，超过99％的
取消选择。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K ×8
Y
ARRA
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06512修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62256VN
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
范围
Com'l
Ind'l
汽车-A
汽车-E
分钟。
2.7
2.7
2.7
2.7
典型值。
[2]
工作，我
CC
（MA ）
马克斯。
3.6
3.6
3.6
3.6
典型值。
11
11
11
11
[2]
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
0.1
0.1
0.1
0.1
马克斯。
5
10
10
130
马克斯。
30
30
30
30
3.0
3.0
3.0
3.0
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
0
引脚德网络nitions
引脚数
TYPE
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读进行
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
描述
1-10 ， 21 ， 23-26输入
11–13, 15–19
27
20
22
14
28
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
电源
V
CC
。电源为设备
注意：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06512修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62256VN
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） .......................................... - 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
[3]
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
产业
环境
温度
(T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
2.7V至3.6V
CY62256VN商业
汽车-A
40
°
C至+ 85
°
C
汽车-E
40
°
C至+ 125
°
C
电气特性
在整个工作范围
-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入漏电流电压
输入漏电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l /自动-A
自动-E
输出漏电流接地< V
IN
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l /自动-A
自动-E
所有范围
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–10
–1
–10
11
100
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+10
+1
+10
30
300
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
A
V
CC
= 3.6V ，CE > V
IH
,
所有范围
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
V
CC
= 3.6V ，CE > V
CC
- 0.3V Com'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ;
Ind'l /自动-A
0.3V ， F = 0
自动-E
I
SB2
0.1
5
10
130
A
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度
文件编号： 001-06512修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62256VN
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
相当于：
戴维南等效
R
th
产量
V
th
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
参数
R1
R2
RTH
VTH
价值
1100
1500
645
1.750
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
[6]
分钟。
1.4
0.1
3
6
50
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[6]
t
R[5]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
V
DR
> 1.4V
1.8V
t
R
文件编号： 001-06512修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62256VN
开关特性
在整个工作范围
[7]
CY62256VN-70
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
我们前高后低-Z
[8]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
描述
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或V以下的定时基准电平信号转换时间
CC
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC
指定的，和输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06512修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62256VN
256K （ 32K × 8 ）静态RAM
256K （ 32K × 8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY62256VN
[1]
家族由两个高性能
CMOS静态RAM的由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
这些器件具有自动断电功能，降低
取消选择时的功率消耗了99％以上。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置寻址
通过地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现，并
使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸
不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容
位置上的地址引脚寻址的信息，
本上的八个数据输入/输出管脚。
在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态
该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）
为高。
温度范围
商业： 0 ° C至+ 70°C
工业： -40 ° C至+85°C
汽车-A ： -40°C至+85°C
汽车-E ： -40°C至+125°C
速度： 70纳秒
低电压范围： 2.7 V至3.6 V
低电平有效电源和备用电源
易内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供标准的无铅和无无铅28引脚（ 300密耳）
窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚TSOP反向-I
套餐
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K ×8
ARRA
Y
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
.
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记的“系统设计指南”
http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06512修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月4日
[+ ]反馈
CY62256VN
目录
产品组合................................................ .............. 3
引脚配置................................................ ........... 3
引脚定义................................................ .................. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 5
开关特性................................................ 6
典型的直流和交流特性................................ 9
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义......................................... 11
包图................................................ .......... 12
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 14
全球销售和设计支持....................... 14
产品................................................. ................... 14
的PSoC解决方案................................................ ......... 14
文件编号： 001-06512修订版* D
第14页2
[+ ]反馈
CY62256VN
产品组合
产品
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
范围
民
广告
产业
汽车-A
汽车-E
2.7
2.7
2.7
2.7
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
3.0
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
3.6
3.6
功耗
工作，我
CC
（MA ）
典型值
[2]
11
11
11
11
最大
30
30
30
30
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
0.1
0.1
0.1
0.1
最大
5
10
10
130
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
0
引脚德网络nitions
引脚数
1-10 ， 21 ， 23-26输入
11–13, 15–19
27
20
22
14
28
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
电源
TYPE
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。作为根据操作的输入或输出线路。
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读进行。
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
V
CC
。电源为设备
描述
记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25℃和T
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06512修订版* D
第14页3
[+ ]反馈
CY62256VN
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用........................................... -55°C至+125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14 ） ........................................... -0.5 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
.................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
DC输入
电压
[3]
............................... –0.5
V到V
CC
+ 0.5 V
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
(T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
2.7 V至3.6 V
CY62256VN商业
产业
汽车-A
汽车-E -40
°
C至+ 125
°
C
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
商用/
工业箱/
汽车-A
汽车-E
I
OZ
输出漏电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
，输出
残
商用/
工业箱/
汽车-A
汽车-E
I
CC
I
SB1
I
SB2
V
CC
工作电源
当前
V
CC
= 3.6 V，I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
所有范围
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7 V
V
CC
= 2.7 V
–70
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
典型值
[5]
–
–
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
单位
V
V
V
V
A
–10
–1
–
–
+10
+1
A
A
–10
–
–
–
–
–
–
11
100
0.1
+10
30
300
5
10
130
A
mA
A
A
自动电源CE认证
V
CC
= 3.6 V ， CE > V
IH
,
所有范围
断电流 - TTL输入V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
自动电源CE认证
断电流 - CMOS
输入
V
CC
= 3.6 V ， CE > V
CC
- 0.3 V ，商业
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3 V或V
IN
< 0.3 V ，
工业箱/
f=0
汽车-A
汽车-E
笔记
3. V
IL
（分钟）= -2.0 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
5.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25℃和T
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06512修订版* D
第14页4
[+ ]反馈
CY62256VN
电容
参数
[6]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= 3.0 V
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
[6]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图1. AC测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
相当于：
戴维南等效
R
th
产量
V
th
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
参数
R1
R2
RTH
VTH
价值
1100
1500
645
1.750
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4 V,
CE > V
CC
– 0.3 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3 V
或V
IN
< 0.3 V
广告
工业箱/
汽车-A
汽车-E
条件
[7]
民
1.4
–
–
–
0
t
RC
–
–
典型值
[8]
–
0.1
最大
–
3
6
50
–
–
ns
ns
单位
V
A
t
CDR[6]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
笔记
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.无输入可能超过V
CC
+ 0.3 V.
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25℃和T
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06512修订版* D
第14页5
[+ ]反馈
CY62256VN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
速度： 70纳秒
低电压范围： 2.7V - 3.6V
低有功功率和备用电源
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供标准的无铅和无无铅28引脚
（ 300密耳）窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚
反向TSOP -I封装
功能说明
[1]
该CY62256VN家庭是由两个高性能
CMOS静态RAM的由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
这些器件具有自动断电功能，
降低功率消耗时，超过99％的
取消选择。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K ×8
Y
ARRA
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06512修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62256VN
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
范围
Com'l
Ind'l
汽车-A
汽车-E
分钟。
2.7
2.7
2.7
2.7
典型值。
[2]
工作，我
CC
（MA ）
马克斯。
3.6
3.6
3.6
3.6
典型值。
11
11
11
11
[2]
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
0.1
0.1
0.1
0.1
马克斯。
5
10
10
130
马克斯。
30
30
30
30
3.0
3.0
3.0
3.0
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
0
引脚德网络nitions
引脚数
TYPE
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读进行
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
描述
1-10 ， 21 ， 23-26输入
11–13, 15–19
27
20
22
14
28
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
电源
V
CC
。电源为设备
注意：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06512修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62256VN
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） .......................................... - 0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
[3]
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
产业
环境
温度
(T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
2.7V至3.6V
CY62256VN商业
汽车-A
40
°
C至+ 85
°
C
汽车-E
40
°
C至+ 125
°
C
电气特性
在整个工作范围
-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入漏电流电压
输入漏电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
Com'l / Ind'l /自动-A
自动-E
输出漏电流接地< V
IN
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l /自动-A
自动-E
所有范围
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–10
–1
–10
11
100
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+10
+1
+10
30
300
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
A
V
CC
= 3.6V ，CE > V
IH
,
所有范围
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
V
CC
= 3.6V ，CE > V
CC
- 0.3V Com'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ;
Ind'l /自动-A
0.3V ， F = 0
自动-E
I
SB2
0.1
5
10
130
A
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度
文件编号： 001-06512修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62256VN
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
相当于：
戴维南等效
R
th
产量
V
th
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
参数
R1
R2
RTH
VTH
价值
1100
1500
645
1.750
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
[6]
分钟。
1.4
0.1
3
6
50
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[6]
t
R[5]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
V
DR
> 1.4V
1.8V
t
R
文件编号： 001-06512修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62256VN
开关特性
在整个工作范围
[7]
CY62256VN-70
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
我们前高后低-Z
[8]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
描述
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或V以下的定时基准电平信号转换时间
CC
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC
指定的，和输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06512修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62256VN
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY62256VN
[1]
家族由两个高性能
CMOS静态RAM的由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
这些器件具有自动断电功能，降低
取消选择时的功率消耗了99％以上。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置寻址
通过地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现，并
使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸
不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容
位置上的地址引脚寻址的信息，
本上的八个数据输入/输出管脚。
在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态
该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）
为高。
温度范围
商业： 0 ° C至70℃
工业： -40 ° C至85°C
汽车-A ： -40 ° C至85°C
汽车-E ： -40°C至125°C
速度： 70纳秒
低电压范围： 2.7V至3.6V
低电平有效电源和备用电源
易内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供标准的无铅和无无铅28引脚（ 300密耳）
窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚TSOP反向-I
套餐
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K ×8
Y
ARRA
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
.
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记的“系统设计指南”
http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06512修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年9月25日
[+ ]反馈
CY62256VN
产品组合
产品
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
CY62256VNLL
Com'l
Ind'l
汽车-A
汽车-E
范围
民
2.7
2.7
2.7
2.7
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
3.0
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
3.6
3.6
功耗
工作，我
CC
（MA ）
典型值
[2]
11
11
11
11
最大
30
30
30
30
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[2]
0.1
0.1
0.1
0.1
最大
5
10
10
130
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
0
引脚德网络nitions
引脚数
1-10 ， 21 ， 23-26输入
11–13, 15–19
27
20
22
14
28
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
电源
TYPE
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读进行
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时， I / O引脚用作
输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入数据引脚
GND 。
地为设备
V
CC
。电源为设备
描述
记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 001-06512修订版* B
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY62256VN
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
DC输入
电压
[3]
................................ –0.5V
到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
(T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
40
°
C至+ 125
°
C
V
CC
2.7V至3.6V
CY62256VN商业
产业
汽车-A
汽车-E
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动电源CE认证
断电流 -
TTL输入
自动电源CE认证
向下电流 - CMOS
输入
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
Com'l / Ind'l /自动-A
自动-E
Com'l / Ind'l /自动-A
自动-E
所有范围
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–10
–1
–10
11
100
-70
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
0.8
+1
+10
+1
+10
30
300
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
μA
μA
mA
μA
V
CC
= 3.6V ，CE > V
IH
,
所有范围
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
V
CC
= 3.6V ，CE > V
CC
- 0.3V Com'l
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ，
Ind'l /自动-A
f=0
自动-E
I
SB2
0.1
5
10
130
μA
笔记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
文件编号： 001-06512修订版* B
第13 3
[+ ]反馈
CY62256VN
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图1. AC测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
相当于：
戴维南等效
R
th
产量
V
th
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
参数
R1
R2
RTH
VTH
价值
1100
1500
645
1.750
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
图2.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
笔记
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
条件
[6]
民
1.4
典型值
[2]
0.1
最大
3
6
50
单位
V
μA
t
CDR[6]
t
R[5]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
V
DR
> 1.4V
1.8V
t
R
文件编号： 001-06512修订版* B
第13 4
[+ ]反馈
CY62256VN
开关特性
在整个工作范围
[7]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
WE高到
低Z
[8]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE低到通电
CE高到掉电
0
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
CY62256VN-70
民
最大
单位
笔记
7.测试条件假设为5纳秒或V以下的定时基准电平信号转换时间
CC
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
10.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 001-06512修订版* B
第13个5
[+ ]反馈
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