CY62256V
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
高速
= 70纳秒
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
低电压范围：
— 2.7V – 3.6V
低有功功率和备用电源
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅标准的28引脚
窄体SOIC ， 28引脚TSOP - 1和28引脚的反向
TSOP - 1封装
功能说明
[1]
该CY62256V家庭是由两个高性能
CMOS静态RAM的由8位， 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。
这些器件具有自动断电功能，
降低功率消耗时，超过99％的
取消选择。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K × 8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05057牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月25日
[+ ]反馈
CY62256V
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62256VLL
范围
Com'l / Ind'l
汽车
分钟。
2.7
典型值。
[2]
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
70
工作，我
CC
（MA ）
典型值。
[2]
11
马克斯。
30
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
0.1
马克斯。
5
130
销刀豆网络gurations
窄体SOIC
顶视图
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A
4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
0
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
引脚德网络nitions
引脚数
1–10, 21, 23–26
11–13, 15–19
27
20
22
输入
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
TYPE
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读
进行
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚
表现为输出。当拉高高， I / O引脚处于三态，并作为
输入数据引脚
GND 。
地为设备
V
CC
。电源为设备
描述
14
28
地
电源
注意：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 ℃，和叔
AA
= 70纳秒。
文件编号： 38-05057牧师* F
第12页2
[+ ]反馈
CY62256V
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度（T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
40
°
C至+ 85
°
C
40
°
C至+ 125
°
C
V
CC
2.7V至3.6V
CY62256V商业
产业
汽车
电气特性
在整个工作范围
CY62256V-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
Com'l ， Ind'l
汽车
I
OZ
输出漏电流
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
，禁止输出Com'l ， Ind'l
汽车
I
CC
I
SB1
I
SB2
V
CC
工作电源电流V
CC
= 3.6V ，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
CE自动断电
电流 - TTL输入
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
CC
= 3.6V ，CE > V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
所有范围
所有范围
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–10
–1
–10
11
100
0.1
0.1
0.1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.8
+1
+10
+1
+10
30
300
5
10
130
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
A
A
Com'l
V
CC
= 3.6V ，CE > V
CC
– 0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Ind'l
汽车
注意事项：
3. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
文件编号： 38-05057牧师* F
第12页3
[+ ]反馈
CY62256V
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[6]
热阻
（结点到外壳）
[5]
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
3.3V
1100
1500
645
1.750
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4V ，CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l
AUTO
t
CDR[6]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
0
t
RC
条件
[6]
分钟。
1.4
0.1
0.1
0.1
3
6
50
ns
ns
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.4V
V
CC（分钟）
t
R
CE
注意事项：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
文件编号： 38-05057牧师* F
第12页4
[+ ]反馈
CY62256V
开关特性
在整个工作范围
[7]
CY62256V-70
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[10, 11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
我们前高后低-Z
[8]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
0
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或V以下的定时基准电平信号转换时间
CC
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC
指定的，和输出负载
I
OL
/I
OH
和50 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05057牧师* F
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2880707522 复制
