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CY62256N

256 K（ 32千× 8 ）静态RAM

256K （ 32K × 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY62256N是一种高性能的CMOS静态RAM

由8位， 32K字。简单的内存扩展

由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效

输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一

自动关断功能，减少了功率消耗

99.9 ％的时候取消。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE

输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据

（ I / O

通过I / O

）被写入到存储器位置寻址

通过地址本上的地址引脚（A

至A

读出装置通过选择装置来实现，并

使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸

不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容

位置上的地址引脚寻址的信息，

本上的八个数据输入/输出管脚。

在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态

该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）

为高。

温度范围

商业： 0 ° C至+ 70°C

工业： -40 ° C至+85°C

汽车-A ： -40°C至+85°C

汽车-E ： -40°C至+125°C

高速： 55纳秒

电压范围： 4.5 V至5.5 V的操作

低有功功率

275毫瓦（最大）

低待机功耗（ LL版）

82.5

μW

（最大）

易内存扩展CE和OE特点

TTL兼容的输入和输出

取消时自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅和无无铅28引脚（ 600 mil）的PDIP ，

28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚

反向TSOP -I封装

■

逻辑框图

INPUTBUFFER

行解码器

I / O

检测放大器

I / O

32K ×8

ARRA

COLUMN

解码器

动力

下

I / O

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-06511修订版* F

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年11月9日

CY62256N

产品组合................................................ .............. 3

引脚配置................................................ ........... 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

电容................................................. ..................... 4

热阻................................................ .......... 5

数据保持特性....................................... 5

开关特性................................................ 6

开关波形................................................ ...... 6

典型的直流和交流特性................................ 9

真值表................................................ ...................... 10

订购信息................................................ ...... 11

订购代码定义......................................... 11

包图................................................ .......... 12

参考信息................................................ ... 14

与缩略语................................................. ................. 14

文档约定............................................. 14

文档历史记录页............................................... 15 ..

销售，解决方案和法律信息...................... 16

全球销售和设计支持....................... 16

产品................................................. ................... 16

的PSoC解决方案................................................ ......... 16

文件编号： 001-06511修订版* F

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CY62256N

产品组合

产品

CY62256NLL

产业

汽车-A

汽车-E

民

4.5

范围（V ）

典型值

[1]

5.0

最大

5.5

速度

（纳秒）

55/70

功耗

工作，我

待机情况下，我

SB2

(μA)

（MA ）

典型值

[1]

最大

典型值

[1]

最大

0.1

销刀豆网络gurations

图1. 28引脚DIP和窄体SOIC

图2. 28引脚TSOP I和反向TSOP I

表1.引脚定义

引脚数

1–10, 21, 23–26

11–13, 15–19,

TYPE

输入

输入/输出

输入/控制

描述

–A

。地址输入

I / O

-I / O

。数据线。用作输入或输出线取决于操作

WE 。

当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是

进行

CE 。

当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片

OE 。

输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚

表现为输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入

数据引脚

GND 。

地为设备

。电源为设备

地

电源

记

1.典型的指标测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

= 25 ° C，V

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

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CY62256N

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度-65 ................................

°C

+150

°C

环境温度与

电源采用........................................... -55

°C

+125

°C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14 ） ........................................... -0.5 V至7.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[2]

.................................. -0.5 V到V

+ 0.5 V

直流输入电压

[2]

............................... -0.5 V到V

+ 0.5 V

输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001年V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安

工作范围

范围

产业

汽车-A

汽车-E

环境温度（T

)

[3]

C至+70

–40

C至+ 85

–40

C至+ 85

–40

C至+ 125

5 V

10%

5 V

10%

5 V

10%

5 V

10%

电气特性

在整个工作范围

参数

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

工作电源

当前

GND

≤

=最大，

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

LL-商用

LL - 工业

LL - 汽车-A

LL - 汽车-E

SB1

自动CE

掉电电流 -

TTL输入

最大。 V

，CE

≥

， LL-商用

≥

或V

≤

， LL - 工业

f = f

最大

LL - 汽车-A

LL - 汽车-E

SB2

自动CE

掉电电流 -

CMOS输入

最大。 V

LL - 商业

≥

0.3 V

LL - 工业

≥

0.3 V或

LL - 汽车-A

≤

0.3 V ， F = 0

LL - 汽车-E

输出漏电流GND

≤

，输出禁用

测试条件

=最小，我

1.0

=最小，我

= 2.1毫安

–55

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

典型值

[4]

–

0.3

–

0.1

最大

–

0.4

0.5 V

0.8

+0.5

–

0.5

–

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

–70

典型值

[4]

–

0.3

–

0.1

–

最大

–

0.4

0.5 V

0.8

+0.5

–

0.5

–

单位

μA

电容

参数

[5]

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

= 25

°C,

F = 1MHz时， V

= 5.0 V

最大

单位

笔记

2. V

（分钟） =

2.0V，对于小于20纳秒的脉冲持续时间。

3. T

是“瞬捷”外壳温度。

4.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

= 25 ° C，V

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

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CY62256N

热阻

参数

[6]

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125

寸， 4层印刷电路板

DIP

75.61

43.12

SOIC

76.56

36.07

TSOP

93.89

24.64

RTSOP

93.89

24.64

单位

° C / W

图3. AC测试负载和波形

R1 1800

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

990Ω

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

990Ω

3.0 V

10%

GND

R1 1800

所有的输入脉冲

90%

10%

＆ LT ; 5纳秒

≤

5纳秒

(a)

(b)

相当于：

该

蛇毒等效

639Ω

产量

1.77 V

数据保持特性

参数

CCDR

描述

数据保留

数据保持电流

LL - 商业

LL - 工业/

汽车-A

LL - 汽车-E

CDR

R[7]

[7]

条件

[7]

= 2.0 V， CE

≥

0.3 V,

≥

0.3 V或V

≤

0.3 V

民

2.0

–

典型值

[8]

–

0.1

–

最大

–

单位

μA

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

CY62256NLL-55

CY62256NLL-70

图4.数据保存波形

数据保持方式

3.0 V

CDR

≥

2 V

3.0 V

笔记

6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

7.无输入可能超过V

+ 0.5 V.

8.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

= 25 ° C，V

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

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