CY62256N
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY62256N
[1]
是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32K字。简单的内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效
输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，从而降低功率消耗
99.9 ％的时候取消。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置寻址
通过地址本上的地址引脚（A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现，并
使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸
不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容
位置上的地址引脚寻址的信息，
本上的八个数据输入/输出管脚。
在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态
该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）
为高。
温度范围
商业： 0 ° C至70℃
工业： -40 ° C至85°C
汽车-A ： -40 ° C至85°C
汽车-E ： -40°C至125°C
高速： 55纳秒
电压范围： 4.5V至5.5V工作电压
低有功功率
275毫瓦（最大）
低待机功耗（ LL版）
82.5
μW
（最大）
易内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅和无无铅28引脚（ 600 mil）的PDIP ，
28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚
反向TSOP -I封装
■
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K ×8
Y
ARRA
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
记
1.为了达到最佳实践建议，请参阅赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”上http://www.cypress.com
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06511修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年6月3日
[+ ]反馈
CY62256N
产品组合
产品
CY62256NL
CY62256NLL
CY62256NLL
CY62256NLL
CY62256NLL
商用/
产业
广告
产业
汽车-A
汽车-E
民
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
5.0
最大
5.5
速度
（纳秒）
70
70
55/70
55/70
55
功耗
工作，我
CC
待机情况下，我
SB2
(μA)
（MA ）
典型值
[2]
最大
典型值
[2]
最大
25
50
2
50
25
25
25
25
50
50
50
50
0.1
0.1
0.1
0.1
5
10
10
15
销刀豆网络gurations
图1. 28引脚DIP和窄体SOIC
图2. 28引脚TSOP I和反向TSOP I
表1.引脚定义
引脚数
1–10, 21, 23–26
11–13, 15–19,
27
20
22
14
28
TYPE
输入
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
地
电源
描述
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是
进行
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚
表现为输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入
数据引脚
GND 。
地为设备
V
CC
。电源为设备
记
2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件下（T
A
= 25 ° C，V
CC
） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
文件编号： 001-06511修订版* B
第14页2
[+ ]反馈
CY62256N
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... 。 - 0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
.................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境温度（T
A
)
[4]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
L-商业/
产业
LL-商用
LL - 工业
LL - 自动-A
LL - 自动-E
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
, L
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
， LL-商用
f = f
最大
LL - 工业
LL - 自动-A
LL - 自动-E
I
SB2
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
,
L
CE > V
CC
0.3V
LL-商用
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
LL - 工业
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
LL - 自动-A
LL - 自动-E
25
25
25
50
50
50
0.4
0.3
0.3
0.3
0.3
0.5
0.5
0.5
2
0.1
0.1
0.1
0.1
10
10
15
0.1
0.1
50
5
10
10
0.3
0.3
0.6
0.5
0.5
0.5
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
–0.5
–0.5
-55
民
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
2.2
–0.5
–0.5
–0.5
25
25
25
25
典型值
[2]
最大
民
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
50
50
50
50
-70
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
μA
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
[5]
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
笔记
3. V
IL
（分钟） =
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06511修订版* B
第14页3
[+ ]反馈
CY62256N
开关特性
在整个工作范围
[7]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8, 9]
描述
CY62256N-55
民
55
55
5
55
25
5
20
5
20
0
55
55
45
45
0
0
40
25
0
20
5
5
0
5
5
5
最大
CY62256N-70
民
70
70
70
35
25
25
70
70
60
60
0
0
50
30
0
25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE低到通电
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
我们前高后低-Z
[8]
写周期
[10, 11]
开关波形
图5.读周期第1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
笔记
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 001-06511修订版* B
第14页5
[+ ]反馈
CY62256N
256K （ 32K ×8 ）静态RAM
特点
温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
高速： 55纳秒
电压范围： 4.5V - 5.5V操作
低有功功率
- 275毫瓦（最大）
低待机功耗（ LL版）
—
82.5
W
（ MAX 。 ）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和非无铅28引脚（ 600密耳）
PDIP ， 28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I
和28引脚的反向TSOP -I封装
功能说明
[1]
该CY62256N是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 32K字。简单的内存扩展
由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效
输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能，降低功耗
取消的时候了99.9 ％的消费。
一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制
所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE
输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据
（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入到存储器位置
通过地址本上的地址引脚（A解决
0
至A
14
） 。读取装置，通过选择完成
该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，
虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下
的位置通过对信息处理的内容
地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态
该芯片被选择，输出被使能，和写使能
（WE）为HIGH 。
逻辑框图
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
32K ×8
Y
ARRA
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06511修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月3日
[+ ]反馈
CY62256N
产品组合
功耗
V
CC
范围（V ）
产品
CY62256NL
CY62256NLL
CY62256NLL
CY62256NLL
CY62256NLL
Com'l / Ind'l
广告
产业
汽车-A
汽车-E
分钟。
4.5
典型值。
[2]
5.0
马克斯。
5.5
速度
（纳秒）
70
70
55/70
55/70
55
工作，我
CC
（MA ）
典型值。
[2]
25
25
25
25
25
马克斯。
50
50
50
50
50
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[2]
2
0.1
0.1
0.1
0.1
马克斯。
50
5
10
10
15
销刀豆网络gurations
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
DIP
顶视图
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A
4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
I/O0
I/O1
I/O2
GND
窄体SOIC
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A
4
A3
A2
A1
OE
A0
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
7
6
5
4
3
2
1
28
27
26
25
24
23
22
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
TSOP I
反向引脚
顶视图
（不按比例）
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
0
引脚德网络nitions
引脚数
1–10, 21, 23–26
11–13, 15–19,
27
20
22
TYPE
输入
输入/输出
输入/控制
输入/控制
输入/控制
A
0
–A
14
。地址输入
I / O
0
-I / O
7
。数据线。用作输入或输出线取决于操作
WE 。
当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是
进行
CE 。
当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片
OE 。
输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚
表现为输出。当拉高高， I / O引脚处于三态，并作为输入
数据引脚
GND 。
地为设备
描述
14
28
地
电源
V
CC
。电源为设备
注意：
2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件
(T
A
= 25 ° C，V
CC
） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
文件编号： 001-06511修订版**
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY62256N
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
汽车-A
汽车-E
环境温度（T
A
)
[7]
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
–40
°
C至+ 125
°
C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
L- Comm'l /
Ind'l
LL- Comm'l
LL - Ind'l
LL - 自动-A
LL - 自动-E
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
,
f = f
最大
L
LL- Comm'l
LL - Ind'l
LL - 自动-A
LL - 自动-E
I
SB2
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
LL- Comm'l
LL - Ind'l
LL - 自动-A
LL - 自动-E
0.1
0.1
0.1
10
10
15
0.3
0.3
0.3
0.5
0.5
0.5
2
0.1
0.1
0.1
50
5
10
10
25
25
25
50
50
50
0.4
0.3
0.3
0.3
0.6
0.5
0.5
0.5
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
–0.5
–0.5
MIN 。 TYP 。
[2]
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
2.2
–0.5
–0.5
–0.5
25
25
25
25
马克斯。
2.4
0.4
V
CC
+0.5V
0.8
+0.5
+0.5
50
50
50
50
-70
MIN 。 TYP 。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
3. V
IL
（分钟） =
2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06511修订版**
第13 3
[+ ]反馈
CY62256N
开关特性
在整个工作范围
[7]
CY62256N-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[8, 9]
我们前高后低-Z
[8]
5
55
45
45
0
0
40
25
0
20
5
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
25
5
20
0
70
5
20
5
25
5
55
25
5
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62256N-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V
IL
.
13.我们是高的读周期。
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第13个5
[+ ]反馈
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