【CY62256N256K （ 32K ×8 ）静态RAM特点温度范围- 商业： 0 ° C至70℃-】,IC型号CY62256NLL-55ZXA,CY62256NLL-55ZXA PDF资料,CY62256NLL-55ZXA经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY62256N

256K （ 32K ×8 ）静态RAM

特点

温度范围

- 商业： 0 ° C至70℃

- 工业级： -40 ° C至85°C

- 汽车-A ： -40 ° C至85°C

- 汽车-E ： -40°C至125°C

高速： 55纳秒

电压范围： 4.5V - 5.5V操作

低有功功率

- 275毫瓦（最大）

低待机功耗（ LL版）

—

82.5

W

（ MAX 。）

易于内存扩展CE和OE特点

TTL兼容的输入和输出

自动断电时取消

CMOS的最佳速度/功耗

提供无铅和非无铅28引脚（ 600密耳）

PDIP ， 28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I

和28引脚的反向TSOP -I封装

功能说明

[1]

该CY62256N是一个高性能的CMOS静态RAM

由8位， 32K字。简单的内存扩展

由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效

输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一

自动断电功能，降低功耗

取消的时候了99.9 ％的消费。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE

输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据

（ I / O

0

通过I / O

7

）被写入到存储器位置

通过地址本上的地址引脚（A解决

0

至A

14

）。读取装置，通过选择完成

该设备并启用输出， CE和OE低电平有效，

虽然我们仍然处于非活动状态还是很高的。在这些条件下

的位置通过对信息处理的内容

地址引脚上存在八个数据输入/输出管脚。

输入/输出引脚保持，除非高阻抗状态

该芯片被选择，输出被使能，和写使能

（WE）为HIGH 。

逻辑框图

INPUTBUFFER

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

CE

WE

OE

A

14

A

13

A

12

A

11

A

1

A

0

行解码器

I / O

0

I / O

1

检测放大器

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

32K ×8

Y

ARRA

COLUMN

解码器

动力

下

I / O

6

I / O

7

注意：

1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-06511修订版**

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2006年8月3日

[+ ]反馈

CY62256N

产品组合

功耗

V

CC

范围（V ）

产品

CY62256NL

CY62256NLL

Com'l / Ind'l

产业

汽车-A

汽车-E

分钟。

4.5

典型值。

[2]

5.0

马克斯。

5.5

速度

（纳秒）

70

55/70

55

工作，我

CC

（MA ）

典型值。

[2]

25

马克斯。

50

待机情况下，我

SB2

(A)

典型值。

[2]

2

0.1

马克斯。

50

5

10

15

销刀豆网络gurations

OE

A

1

A

2

A

3

A

4

WE

V

CC

A

5

A

6

A

7

A

8

A

9

A

10

A

11

22

23

24

25

26

27

28

1

2

3

4

5

6

7

21

20

19

18

17

16

15

14

13

12

11

10

9

8

DIP

顶视图

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

I/O0

I/O1

I/O2

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

WE

A

4

A3

A2

A1

OE

A0

CE

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

I/O0

I/O1

I/O2

GND

窄体SOIC

顶视图

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

VCC

WE

A

4

A3

A2

A1

OE

A0

CE

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

TSOP I

顶视图

（不按比例）

A

0

CE

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

I / O

3

GND

I / O

2

I / O

1

I / O

0

A

14

A

13

A

12

A

11

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

V

CC

WE

A

4

A

3

A

2

A

1

OE

7

6

5

4

3

2

1

28

27

26

25

24

23

22

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

TSOP I

反向引脚

顶视图

（不按比例）

A

12

A

13

A

14

I / O

0

I / O

1

I / O

2

GND

I / O

3

I / O

4

I / O

5

I / O

6

I / O

7

CE

A

0

引脚德网络nitions

引脚数

1–10, 21, 23–26

11–13, 15–19,

27

20

22

TYPE

输入

输入/输出

输入/控制

A

0

–A

14

。地址输入

I / O

0

-I / O

7

。数据线。用作输入或输出线取决于操作

WE 。

当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是

进行

CE 。

当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片

OE 。

输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚

表现为输出。当拉高高， I / O引脚处于三态，并作为输入

数据引脚

GND 。

地为设备

描述

14

28

地

电源

V

CC

。电源为设备

注意：

2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

文件编号： 001-06511修订版**

分页： 13 2

[+ ]反馈

CY62256N

最大额定值

（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -

线，没有测试。）

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高阻抗状态

[3]

....................................- 0.5V至V

CC

+ 0.5V

直流输入电压

[3]

.................................- 0.5V至V

CC

+ 0.5V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安

工作范围

范围

产业

汽车-A

汽车-E

环境温度（T

A

)

[7]

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

–40

°

C至+ 125

°

C

V

CC

5V

±

10%

5V

±

10%

5V

±

10%

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

-55

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

V

CC

工作电源

当前

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

L- Comm'l /

Ind'l

LL- Comm'l

LL - Ind'l

LL - 自动-A

LL - 自动-E

I

SB1

自动CE

掉电电流 -

TTL输入

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

,

V

IN

＆ GT ; V

IH

或V

IN

＆ LT ; V

IL

,

f = f

最大

L

LL- Comm'l

LL - Ind'l

LL - 自动-A

LL - 自动-E

I

SB2

自动CE

掉电电流 -

CMOS输入

最大。 V

CC

,

CE > V

CC

0.3V

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或

V

IN

＆ LT ; 0.3V ， F = 0

L

LL- Comm'l

LL - Ind'l

LL - 自动-A

LL - 自动-E

0.1

10

15

0.3

0.5

2

0.1

50

5

10

25

50

0.4

0.3

0.6

0.5

输出漏电流接地< V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

1.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 2.1毫安

2.2

–0.5

MIN 。 TYP 。

[2]

2.4

0.4

V

CC

+0.5V

0.8

+0.5

2.2

–0.5

25

马克斯。

2.4

0.4

V

CC

+0.5V

0.8

+0.5

50

-70

MIN 。 TYP 。

[2]

马克斯。

单位

V

A

mA

A

电容

[8]

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

6

8

单位

pF

注意事项：

3. V

IL

（分钟） =

2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

4. T

A

是“瞬捷”外壳温度。

5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 001-06511修订版**

第13 3

[+ ]反馈

CY62256N

热阻

[5]

参数

Θ

JA

Θ

JC

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125

寸， 4层印刷电路板

DIP

75.61

43.12

SOIC

76.56

36.07

TSOP

93.89

24.64

RTSOP

93.89

24.64

单位

° C / W

交流测试负载和波形

R1 1800

5V

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990

3.0V

10%

GND

＆ LT ; 5纳秒

R1 1800

所有的输入脉冲

90%

10%

＆ LT ; 5纳秒

(a)

(b)

相当于：

该

蛇毒等效

639

产量

1.77V

数据保持特性

参数

V

DR

I

CCDR

描述

V

CC

数据保留

数据保持电流

L

LL- Comm'l

LL - Ind'l /自动-A

LL - 自动-E

t

CDR[8]

t

R[8]

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

0

t

RC

V

CC

= 2.0V ， CE＆ GT ; V

CC

0.3V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V

条件

[6]

分钟。

2.0

2

0.1

50

5

10

典型值。

[2]

马克斯。

单位

V

A

ns

数据保存波形

数据保持方式

V

CC

3.0V

t

CDR

CE

V

DR

＆ GT ; 2V

3.0V

t

R

注意：

6.无输入可能超过V

CC

+ 0.5V.

文件编号： 001-06511修订版**

第13 4

[+ ]反馈

CY62256N

开关特性

在整个工作范围

[7]

CY62256N-55

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

读周期时间

地址到数据有效

从地址变化数据保持

CE低到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

[8]

OE高来高-Z

[8, 9]

CE低到低Z

[8]

CE高来高-Z

[8, 9]

CE为低电时

CE高到掉电

写周期时间

CE低到写结束

地址建立撰写完

从写端地址保持

地址建立到开始写

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高-Z

[8, 9]

我们前高后低-Z

[8]

5

55

45

0

40

25

0

20

5

0

55

70

60

0

50

30

0

25

5

20

0

70

5

20

5

25

5

55

25

5

25

55

5

70

35

70

ns

描述

分钟。

马克斯。

CY62256N-70

分钟。

马克斯。

单位

写周期

[10, 11]

开关波形

读周期1号

[12, 13]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

注意事项：

7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载

I

OL

/I

OH

100 - pF负载电容。

8.在任何给定的温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZOE

小于吨

LZOE

和叔

HZWE

小于吨

LZWE

对于任何给定的设备。

9. t

HZOE

, t

HZCE

和叔

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。过渡测

±500

毫伏从稳态电压。

10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号

通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。

11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和

HZWE

和T

SD

.

12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V

IL

.

13.我们是高的读周期。

文件编号： 001-06511修订版**

第13个5

[+ ]反馈

CY62256N

256K （ 32K ×8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY62256N

[1]

是一种高性能的CMOS静态RAM

由8位， 32K字。简单的内存扩展

由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效

输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一

自动断电功能，从而降低功率消耗

99.9 ％的时候取消。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE

输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据

（ I / O

0

通过I / O

7

）被写入到存储器位置寻址

通过地址本上的地址引脚（A

0

至A

14

).

读出装置通过选择装置来实现，并

使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸

不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容

位置上的地址引脚寻址的信息，

本上的八个数据输入/输出管脚。

在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态

该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）

为高。

温度范围

商业： 0 ° C至70℃

工业： -40 ° C至85°C

汽车-A ： -40 ° C至85°C

汽车-E ： -40°C至125°C

高速： 55纳秒

电压范围： 4.5V至5.5V工作电压

低有功功率

275毫瓦（最大）

低待机功耗（ LL版）

82.5

μW

（最大）

易内存扩展CE和OE特点

TTL兼容的输入和输出

取消的时候自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅和无无铅28引脚（ 600 mil）的PDIP ，

28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚

反向TSOP -I封装

■

逻辑框图

INPUTBUFFER

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

CE

WE

OE

A

14

A

13

A

12

A

11

A

1

A

0

行解码器

I / O

0

I / O

1

检测放大器

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

32K ×8

Y

ARRA

COLUMN

解码器

动力

下

I / O

6

I / O

7

记

1.为了达到最佳实践建议，请参阅赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”上http://www.cypress.com

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-06511修订版* B

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2009年6月3日

[+ ]反馈

CY62256N

产品组合

产品

CY62256NL

CY62256NLL

商用/

产业

汽车-A

汽车-E

民

4.5

V

CC

范围（V ）

典型值

[2]

5.0

最大

5.5

速度

（纳秒）

70

55/70

55

功耗

工作，我

CC

待机情况下，我

SB2

(μA)

（MA ）

典型值

[2]

最大

典型值

[2]

最大

25

50

2

50

25

50

0.1

5

10

15

销刀豆网络gurations

图1. 28引脚DIP和窄体SOIC

图2. 28引脚TSOP I和反向TSOP I

表1.引脚定义

引脚数

1–10, 21, 23–26

11–13, 15–19,

27

20

22

14

28

TYPE

输入

输入/输出

输入/控制

地

电源

描述

A

0

–A

14

。地址输入

I / O

0

-I / O

7

。数据线。用作输入或输出线取决于操作

WE 。

当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是

进行

CE 。

当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片

OE 。

输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚

表现为输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入

数据引脚

GND 。

地为设备

V

CC

。电源为设备

记

2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件下（T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

文件编号： 001-06511修订版* B

第14页2

[+ ]反馈

CY62256N

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14） ........................................... 。 - 0.5V至+ 7.0V

直流电压应用到输出的

在高阻抗状态

[3]

.................................... -0.5V到V

CC

+ 0.5V

直流输入电压

[3]

................................ -0.5V到V

CC

+ 0.5V

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流............................................... ..... > 200毫安

工作范围

范围

产业

汽车-A

汽车-E

环境温度（T

A

)

[4]

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

–40

°

C至+ 125

°

C

V

CC

5V

±

10%

5V

±

10%

5V

±

10%

5V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

V

CC

工作电源

当前

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

L-商业/

产业

LL-商用

LL - 工业

LL - 自动-A

LL - 自动-E

I

SB1

自动CE

掉电电流 -

TTL输入

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

, L

V

IN

＆ GT ; V

IH

或V

IN

＆ LT ; V

IL

， LL-商用

f = f

最大

LL - 工业

LL - 自动-A

LL - 自动-E

I

SB2

自动CE

掉电电流 -

CMOS输入

最大。 V

CC

,

L

CE > V

CC

0.3V

LL-商用

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或

LL - 工业

V

IN

＆ LT ; 0.3V ， F = 0

LL - 自动-A

LL - 自动-E

25

50

0.4

0.3

0.5

2

0.1

10

15

0.1

50

5

10

0.3

0.6

0.5

输出漏电流接地< V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

测试条件

V

CC

=最小值，我

OH

=

1.0

mA

V

CC

=最小值，我

OL

= 2.1毫安

2.2

–0.5

-55

民

2.4

0.4

V

CC

+0.5V

0.8

+0.5

2.2

–0.5

25

典型值

[2]

最大

民

2.4

0.4

V

CC

+0.5V

0.8

+0.5

50

-70

典型值

[2]

最大

单位

V

μA

mA

μA

电容

参数

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

[5]

T

A

= 25 ° C，F = 1MHz时，

V

CC

= 5.0V

马克斯。

6

8

单位

pF

笔记

3. V

IL

（分钟） =

2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。

4. T

A

是“瞬捷”外壳温度。

5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 001-06511修订版* B

第14页3

[+ ]反馈

CY62256N

热阻

参数

Θ

JA

Θ

JC

描述

[5]

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125

寸， 4层印刷电路板

DIP

75.61

43.12

SOIC

76.56

36.07

TSOP

93.89

24.64

RTSOP

93.89

24.64

单位

° C / W

图3. AC测试负载和波形

5V

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990Ω

R1 1800Ω

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990Ω

3.0V

GND

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

＆ LT ; 5纳秒

(a)

(b)

相当于：

该

蛇毒等效

639Ω

产量

1.77V

数据保持特性

参数

V

DR

I

CCDR

描述

V

CC

数据保留

数据保持电流

L

LL-商用

LL - 工业/汽车-A

LL - 自动-E

t

CDR[8]

t

R

[8]

条件

[6]

V

CC

= 2.0V ， CE＆ GT ; V

CC

0.3V,

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V

民

2.0

典型值

[2]

2

0.1

最大

50

5

10

单位

V

μA

ns

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

0

t

RC

图4.数据保存波形

数据保持方式

V

CC

CE

3.0V

t

CDR

V

DR

＆ GT ; 2V

3.0V

t

R

记

6.无输入可能超过V

CC

+ 0.5V.

文件编号： 001-06511修订版* B

第14页4

[+ ]反馈

CY62256N

开关特性

在整个工作范围

[7]

参数

读周期

t

RC

t

AA

t

OHA

t

ACE

t

美国能源部

t

LZOE

t

HZOE

t

LZCE

t

HZCE

t

PU

t

PD

t

WC

t

SCE

t

AW

t

HA

t

SA

t

PWE

t

SD

t

HD

t

HZWE

t

LZWE

读周期时间

地址到数据有效

从地址变化数据保持

CE低到数据有效

OE低到DATA有效

OE低到低Z

[8]

OE高来高-Z

[8, 9]

CE低到低Z

[8]

CE高来高-Z

[8, 9]

描述

CY62256N-55

民

55

5

55

25

5

20

5

20

0

55

45

0

40

25

0

20

5

0

5

最大

CY62256N-70

民

70

35

25

70

60

0

50

30

0

25

最大

单位

ns

CE低到通电

CE高到掉电

写周期时间

CE低到写结束

地址设置写到底

从写端地址保持

地址设置为Write开始

WE脉冲宽度

数据建立到写结束

从写端数据保持

WE低到高-Z

[8, 9]

我们前高后低-Z

[8]

写周期

[10, 11]

开关波形

图5.读周期第1号

[12, 13]

t

RC

地址

t

OHA

数据输出

以前的数据有效

t

AA

数据有效

笔记

7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载

I

OL

/I

OH

100 - pF负载电容。

8.在任何温度和电压条件下，叔

HZCE

小于吨

LZCE

, t

HZOE

小于吨

LZOE

和叔

HZWE

小于吨

LZWE

对于任何设备。

9. t

HZOE

, t

HZCE

和叔

HZWE

用C指定

L

= 5 pF的作为交流测试负载（ b）所示。过渡测

±500

毫伏从稳态电压。

10.存储器的内部写时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号

通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考终止写信号的上升沿。

11.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和

HZWE

和T

SD

.

12.设备被连续地选择。 OE ，CE = V

IL

.

13.我们是高的读周期。

文件编号： 001-06511修订版* B

第14页5

[+ ]反馈

CY62256N

256K （ 32K × 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY62256N

[1]

是一种高性能的CMOS静态RAM

由8位， 32K字。简单的内存扩展

由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效

输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一

自动断电功能，从而降低功率消耗

99.9 ％的时候取消。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE

输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据

（ I / O

0

通过I / O

7

）被写入到存储器位置寻址

通过地址本上的地址引脚（A

0

至A

14

).

读出装置通过选择装置来实现，并

使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸

不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容

位置上的地址引脚寻址的信息，

本上的八个数据输入/输出管脚。

在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态

该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）

为高。

温度范围

商业： 0 ° C至+ 70°C

工业： -40 ° C至+85°C

汽车-A ： -40°C至+85°C

汽车-E ： -40°C至+125°C

高速： 55纳秒

电压范围： 4.5 V至5.5 V的操作

低有功功率

275毫瓦（最大）

低待机功耗（ LL版）

82.5

W

（最大）

易内存扩展CE和OE特点

TTL兼容的输入和输出

取消的时候自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅和无无铅28引脚（ 600 mil）的PDIP ，

28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚

反向TSOP -I封装

■

逻辑框图

INPUTBUFFER

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

CE

WE

OE

A

14

A

13

A

12

A

11

A

1

A

0

行解码器

I / O

0

I / O

1

检测放大器

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

32K ×8

Y

ARRA

COLUMN

解码器

动力

下

I / O

6

I / O

7

记

1.为了达到最佳实践建议，请参阅赛普拉斯应用笔记的“系统设计指南”

http://www.cypress.com 。

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-06511修订版* D

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年1月4日

[+ ]反馈

CY62256N

产品组合................................................ .............. 3

引脚配置................................................ ........... 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

电容................................................. ..................... 4

热阻................................................ .......... 5

数据保持特性....................................... 5

开关特性................................................ 6

开关波形................................................ ...... 6

典型的直流和交流特性................................ 9

真值表................................................ ...................... 10

订购信息................................................ ...... 11

订购代码定义......................................... 11

包图................................................ .......... 12

文档历史记录页............................................... .. 14

销售，解决方案和法律信息...................... 14

全球销售和设计支持....................... 14

产品................................................. ................... 14

的PSoC解决方案................................................ ......... 14

文件编号： 001-06511修订版* D

第14页2

[+ ]反馈

CY62256N

产品组合

产品

CY62256NLL

产业

汽车-A

汽车-E

民

4.5

V

CC

范围（V ）

典型值

[2]

5.0

最大

5.5

速度

（纳秒）

70

55/70

55

功耗

工作，我

CC

待机情况下，我

SB2

(A)

（MA ）

典型值

[2]

最大

典型值

[2]

最大

25

50

0.1

5

25

50

0.1

10

25

50

0.1

10

25

50

0.1

15

销刀豆网络gurations

图1. 28引脚DIP和窄体SOIC

图2. 28引脚TSOP I和反向TSOP I

表1.引脚定义

引脚数

1–10, 21, 23–26

11–13, 15–19,

27

20

22

14

28

TYPE

输入

输入/输出

输入/控制

地

电源

描述

A

0

–A

14

。地址输入

I / O

0

-I / O

7

。数据线。用作输入或输出线取决于操作

WE 。

当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是

进行

CE 。

当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片

OE 。

输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚

表现为输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入

数据引脚

GND 。

地为设备

V

CC

。电源为设备

记

2.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

文件编号： 001-06511修订版* D

第14页3

[+ ]反馈

CY62256N

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度-65 ................................

C

+150

C

环境温度与

电源采用........................................... -55

C

+125

C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14 ） ........................................... -0.5 V至7.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[3]

.................................. -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

直流输入电压

[3]

............................... -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001年V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流............................................... ...... > 200毫安

工作范围

范围

产业

汽车-A

汽车-E

环境温度（T

A

)

[4]

0

C至+70

C

–40

C至+ 85

C

–40

C至+ 85

C

–40

C至+ 125

C

V

CC

5 V

10%

5 V

10%

5 V

10%

5 V

10%

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

工作电源

当前

GND < V

I

＆ LT ; V

CC

GND < V

O

＆ LT ; V

CC

，输出禁用

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

LL-商用

LL - 工业

LL - 自动-A

LL - 自动-E

I

SB1

自动CE

掉电电流 -

TTL输入

最大。 V

CC

， CE＆ GT ; V

IH

， LL-商用

V

IN

＆ GT ; V

IH

或V

IN

＆ LT ; V

IL

， LL - 工业

f = f

最大

LL - 自动-A

LL - 自动-E

I

SB2

自动CE

掉电电流 -

CMOS输入

最大。 V

CC

,

LL-商用

CE > V

CC

0.3 V

LL - 工业

V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3 V或

LL - 自动-A

V

IN

< 0.3 V ， F = 0

LL - 自动-E

测试条件

V

CC

=最小，我

OH

=

1.0

mA

V

CC

=最小，我

OL

= 2.1毫安

–55

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

典型值

[5]

–

25

–

0.3

–

0.1

最大

–

0.4

V

CC

+

0.5 V

0.8

+0.5

–

50

–

0.5

–

10

15

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

–70

典型值

[5]

–

25

–

0.3

–

0.1

–

最大

–

0.4

V

CC

+

0.5 V

0.8

+0.5

50

–

0.5

–

5

10

–

单位

V

A

mA

A

电容

参数

[6]

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25

C,

F = 1MHz时， V

CC

= 5.0 V

最大

6

8

单位

pF

笔记

3. V

IL

（分钟） =

2.0V，对于小于20纳秒的脉冲持续时间。

4. T

A

是“瞬捷”外壳温度。

5.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 001-06511修订版* D

第14页4

[+ ]反馈

CY62256N

热阻

参数

[7]

JA

JC

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125

寸， 4层印刷电路板

DIP

75.61

43.12

SOIC

76.56

36.07

TSOP

93.89

24.64

RTSOP

93.89

24.64

单位

° C / W

图3. AC测试负载和波形

5V

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990

R1 1800

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990

3.0 V

GND

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

＆ LT ; 5纳秒

(a)

(b)

相当于：

该

蛇毒等效

639

产量

1.77 V

数据保持特性

参数

V

DR

I

CCDR

描述

V

CC

数据保留

数据保持电流

LL - 商业

LL - 自动-E

t

CDR[7]

t

R[7]

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

V

CC

= 2.0V ， CE＆ GT ; V

CC

0.3V,

LL - 工业/汽车- A V

IN

＆ GT ; V

CC

0.3V或V

IN

＆ LT ; 0.3V

条件

[8]

民

2.0

–

0

t

RC

图4.数据保存波形

数据保持方式

V

CC

CE

3.0 V

t

CDR

V

DR

＆ GT ; 2 V

3.0 V

t

R

典型值

[9]

–

0.1

–

最大

–

5

10

–

单位

V

A

ns

笔记

7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

8.无输入可能超过V

CC

+ 0.5 V.

9.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

文件编号： 001-06511修订版* D

第14页5

[+ ]反馈

CY62256N

256 K（ 32千× 8 ）静态RAM

256K （ 32K × 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY62256N是一种高性能的CMOS静态RAM

由8位， 32K字。简单的内存扩展

由低电平有效的芯片提供使能（ CE）和低电平有效

输出使能（OE ）和三态驱动器。此装置具有一

自动关断功能，减少了功率消耗

99.9 ％的时候取消。

一个低电平有效写使能信号（ WE ）控制

所述存储器的写入/读出操作。当CE和WE

输入均为低时，在八个数据输入/输出管脚的数据

（ I / O

0

通过I / O

7

）被写入到存储器位置寻址

通过地址本上的地址引脚（A

0

至A

14

).

读出装置通过选择装置来实现，并

使输出CE和OE低电平有效，虽然我们的遗骸

不活动或HIGH 。的在这些条件下，将内容

位置上的地址引脚寻址的信息，

本上的八个数据输入/输出管脚。

在输入/输出引脚保持在除高阻抗状态

该芯片被选中，输出使能，写使能（ WE）

为高。

温度范围

商业： 0 ° C至+ 70°C

工业： -40 ° C至+85°C

汽车-A ： -40°C至+85°C

汽车-E ： -40°C至+125°C

高速： 55纳秒

电压范围： 4.5 V至5.5 V的操作

低有功功率

275毫瓦（最大）

低待机功耗（ LL版）

82.5

μW

（最大）

易内存扩展CE和OE特点

TTL兼容的输入和输出

取消时自动断电

CMOS的最佳速度和力量

可提供无铅和无无铅28引脚（ 600 mil）的PDIP ，

28引脚（ 300 mil）的窄体SOIC ， 28引脚TSOP -I和28引脚

反向TSOP -I封装

■

逻辑框图

INPUTBUFFER

A

10

A

9

A

8

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

CE

WE

OE

A

14

A

13

A

12

A

11

A

1

A

0

行解码器

I / O

0

I / O

1

检测放大器

I / O

2

I / O

3

I / O

4

I / O

5

32K ×8

Y

ARRA

COLUMN

解码器

动力

下

I / O

6

I / O

7

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 001-06511修订版* F

198冠军苑

圣荷西

,

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年11月9日

CY62256N

产品组合................................................ .............. 3

引脚配置................................................ ........... 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

电容................................................. ..................... 4

热阻................................................ .......... 5

数据保持特性....................................... 5

开关特性................................................ 6

开关波形................................................ ...... 6

典型的直流和交流特性................................ 9

真值表................................................ ...................... 10

订购信息................................................ ...... 11

订购代码定义......................................... 11

包图................................................ .......... 12

参考信息................................................ ... 14

与缩略语................................................. ................. 14

文档约定............................................. 14

文档历史记录页............................................... 15 ..

销售，解决方案和法律信息...................... 16

全球销售和设计支持....................... 16

产品................................................. ................... 16

的PSoC解决方案................................................ ......... 16

文件编号： 001-06511修订版* F

第16页2

CY62256N

产品组合

产品

CY62256NLL

产业

汽车-A

汽车-E

民

4.5

V

CC

范围（V ）

典型值

[1]

5.0

最大

5.5

速度

（纳秒）

70

55/70

55

功耗

工作，我

CC

待机情况下，我

SB2

(μA)

（MA ）

典型值

[1]

最大

典型值

[1]

最大

25

50

0.1

5

25

50

0.1

10

25

50

0.1

10

25

50

0.1

15

销刀豆网络gurations

图1. 28引脚DIP和窄体SOIC

图2. 28引脚TSOP I和反向TSOP I

表1.引脚定义

引脚数

1–10, 21, 23–26

11–13, 15–19,

27

20

22

TYPE

输入

输入/输出

输入/控制

描述

A

0

–A

14

。地址输入

I / O

0

-I / O

7

。数据线。用作输入或输出线取决于操作

WE 。

当选择LOW ，写进行。当选择高，一个读的是

进行

CE 。

当低，选择芯片。当HIGH ，取消选择芯片

OE 。

输出使能。控制的I / O引脚的方向。当低时，I / O引脚

表现为输出。当拉高高， I / O引脚为三态，并作为输入

数据引脚

GND 。

地为设备

V

CC

。电源为设备

14

28

地

电源

记

1.典型的指标测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

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CY62256N

最大额定值

超出最大额定值可能损害的使用寿命

装置。这些用户指导未经测试。

存储温度-65 ................................

°C

+150

°C

环境温度与

电源采用........................................... -55

°C

+125

°C

电源电压对地电位

（引脚28至引脚14 ） ........................................... -0.5 V至7.0 V

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[2]

.................................. -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

直流输入电压

[2]

............................... -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安

静电放电电压.......................................... > 2001年V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安

工作范围

范围

产业

汽车-A

汽车-E

环境温度（T

A

)

[3]

0

°

C至+70

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

–40

°

C至+ 85

°

C

–40

°

C至+ 125

°

C

V

CC

5 V

±

10%

5 V

±

10%

5 V

±

10%

5 V

±

10%

电气特性

在整个工作范围

参数

V

OH

V

OL

V

IH

V

IL

I

IX

I

OZ

I

CC

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

V

CC

工作电源

当前

GND

≤

V

I

≤

V

CC

V

CC

=最大，

I

OUT

= 0 mA时，

f = f

最大

= 1/t

RC

LL-商用

LL - 工业

LL - 汽车-A

LL - 汽车-E

I

SB1

自动CE

掉电电流 -

TTL输入

最大。 V

CC

，CE

≥

V

IH

， LL-商用

V

IN

≥

V

IH

或V

IN

≤

V

IL

， LL - 工业

f = f

最大

LL - 汽车-A

LL - 汽车-E

I

SB2

自动CE

掉电电流 -

CMOS输入

最大。 V

CC

,

LL - 商业

CE

≥

V

CC

0.3 V

LL - 工业

V

IN

≥

V

CC

0.3 V或

LL - 汽车-A

V

IN

≤

0.3 V ， F = 0

LL - 汽车-E

输出漏电流GND

≤

V

O

≤

V

CC

，输出禁用

测试条件

V

CC

=最小，我

OH

=

1.0

mA

V

CC

=最小，我

OL

= 2.1毫安

–55

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

典型值

[4]

–

25

–

0.3

–

0.1

最大

–

0.4

V

CC

+

0.5 V

0.8

+0.5

–

50

–

0.5

–

10

15

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

–70

典型值

[4]

–

25

–

0.3

–

0.1

–

最大

–

0.4

V

CC

+

0.5 V

0.8

+0.5

50

–

0.5

–

5

10

–

单位

V

μA

mA

μA

电容

参数

[5]

C

IN

C

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

T

A

= 25

°C,

F = 1MHz时， V

CC

= 5.0 V

最大

6

8

单位

pF

笔记

2. V

IL

（分钟） =

2.0V，对于小于20纳秒的脉冲持续时间。

3. T

A

是“瞬捷”外壳温度。

4.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

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CY62256N

热阻

参数

[6]

θ

JA

θ

JC

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在4.25 × 1.125

寸， 4层印刷电路板

DIP

75.61

43.12

SOIC

76.56

36.07

TSOP

93.89

24.64

RTSOP

93.89

24.64

单位

° C / W

图3. AC测试负载和波形

R1 1800

Ω

5V

产量

100 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990Ω

5V

产量

5 pF的

INCLUDING

夹具

范围

R2

990Ω

3.0 V

10%

GND

R1 1800

Ω

所有的输入脉冲

90%

10%

＆ LT ; 5纳秒

≤

5纳秒

(a)

(b)

相当于：

该

蛇毒等效

639Ω

产量

1.77 V

数据保持特性

参数

V

DR

I

CCDR

描述

V

CC

数据保留

数据保持电流

LL - 商业

LL - 工业/

汽车-A

LL - 汽车-E

t

CDR

t

R[7]

[7]

条件

[7]

V

CC

= 2.0 V， CE

≥

V

CC

0.3 V,

V

IN

≥

V

CC

0.3 V或V

IN

≤

0.3 V

民

2.0

–

0

典型值

[8]

–

0.1

–

最大

–

5

10

–

单位

V

μA

ns

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

CY62256NLL-55

CY62256NLL-70

55

70

图4.数据保存波形

数据保持方式

V

CC

3.0 V

t

CDR

CE

V

DR

≥

2 V

3.0 V

t

R

笔记

6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

7.无输入可能超过V

CC

+ 0.5 V.

8.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件

(T

A

= 25 ° C，V

CC

）。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。

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