CY62187EV30 ，的MoBL
64兆位（ 4M ×16 ）静态RAM
理想提供更多的电池Life （的MoBL
）在便携式应用程序
阳离子，例如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
99 ％的消费时，地址不切换。
该设备还可以置于待机模式取消选择时
（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的高） 。该
输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个高
当阻抗状态：取消（ CE
1
高或CE
2
LOW ）
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在
写操作（ CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
21
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（IO
8
通过IO
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
21
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在IO
8
到IO
15
。见
真值表
第9页
用于读取和写入模式的完整描述。
特点
■
非常高速
55纳秒
宽电压范围
2.2V至3.7V
超低待机功耗
典型待机电流： 8
μA
最大待机电流： 48
μA
超低有功功率
典型工作电流4.0毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2,
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅48球FBGA封装
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62187EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为4M字
[1]
。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这是
逻辑框图
数据的驱动程序
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
4096K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
A
21
CE
2
CE
1
掉电
电路
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记的“系统设计指南”
http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-48998修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月10日
[+ ]反馈
CY62187EV30
引脚配置
图1. 48球VFBGA
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
A
19
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
A
21
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
VCC
VSS
IO
6
IO
7
A
20
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
速度
（纳秒）
典型值
[2]
55
70
4.0
4.0
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
民
CY62187EV30LL
2.2
典型值
[2]
3.0
最大
3.7
最大
6
6
f = f
最大
典型值
[2]
45
35
最大
55
45
待我
SB2
(μA)
典型值
[2]
8
8
最大
48
48
记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 001-48998修订版* C
第12页2
[+ ]反馈
CY62187EV30
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在..........................................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
........................ -0.3V到V
CC （最大）
+ 0.3V
直流输入电压
[3, 4]
.................... -0.3V到V
CC （最大）
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62187EV30LL
范围
环境
温度
V
CC
[5]
工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V至3.7V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [6]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电
目前， CMOS输入
测试条件
2.2V < V
CC
<我2.7V
OH
= -0.1毫安
2.7V < V
CC
<我3.7V
OH
= -1.0毫安
2.2V < V
CC
<我2.7V
OL
- 0.1毫安
2.7V < V
CC
<我3.7V
OL
= 2.1毫安
2.2V < V
CC
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
CC
＆ LT ; 3.7V
2.2V< V
CC
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
CC
＆ LT ; 3.7V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
45
4.0
8
55纳秒
最小值典型值
[2]
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V 1.8
V
CC
+ 0.3V 2.2
0.6
0.7
+1
+1
55
6
48
–0.3
–0.3
–1
–1
35
4.0
8
最大
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
0.6
0.7
+1
+1
45
6
48
70纳秒
最小值典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
mA
μA
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.7V
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
25
35
单位
pF
pF
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
6.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-48998修订版* C
第12页3
[+ ]反馈
CY62187EV30
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图2.交流测试负载和波形
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R1
V
CC
GND
R2
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
FBGA
59.06
14.08
单位
° C / W
° C / W
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
产量
R
TH
V
表1. AC测试负载
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.2V至3.7V
1103
1554
645
V
CC
/2
1.5
单位
Ω
Ω
Ω
V
V
2.2V < V
CC
＆ LT ; 3V
3V < V
CC
＆ LT ; 3.7V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR [6]
t
CDR[7]
t
R[8]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
图3.数据保存波形
[9]
V
CC（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
条件
V
CC
= 1.5V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
民
1.5
典型值
[2]
最大
48
单位
V
μA
ns
ns
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
or
CE
2
笔记
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
9. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片是由两种禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消。
文件编号： 001-48998修订版* C
第12页4
[+ ]反馈
CY62187EV30
开关特性
在整个工作范围
[10]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[11, 12]
WE高到
低Z
[11]
10
55
45
45
0
0
40
45
25
0
20
10
70
60
60
0
0
50
60
35
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低
Z
[11]
[11, 12]
描述
55纳秒
民
55
55
6
55
25
5
20
10
20
0
55
55
10
20
10
0
10
5
6
最大
民
70
70纳秒
最大
单位
ns
70
70
35
25
25
70
70
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
OE高到高Z
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[11]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[11, 12]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[11]
[11, 12]
BLE / BHE高到高阻
笔记
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns的信号过渡时间，定时V的基准水平
TH
， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）
,
和输出指定我的负荷
OL
/I
OH
如图
AC测试负载
第4页。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
12. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始写
任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间应被引用到终止信号的边缘
写。
文件编号： 001-48998修订版* C
第12页5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
