CY62177DV30
的MoBL
32兆位（ 2M ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 15毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48球FBGA封装提供
降低功耗。该设备也可以投入
当取消待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
20
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
20
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真情表的完整说明
读写模式。
功能说明
[1]
该CY62177DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为2M的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝telephones.The设备
还具有自动关机功能，可显著
逻辑框图
数据的驱动程序
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
2048K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
A
20
CE
2
CE
1
掉电
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05633牧师* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年6月14日
[+ ]反馈
CY62177DV30
的MoBL
引脚配置
[2]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
A
20
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62177DV30L
CY62177DV30LL
分钟。
2.20
典型值。
[3]
3.0
马克斯。
3.60
速度
（纳秒）
55
70
55
70
2
4
F = 1 MHz的
典型值。
[3]
2
马克斯。
4
15
12
15
12
f = f
最大
典型值。
[3]
马克斯。
30
25
30
25
5
50
待我
SB2
(A)
典型值。
[3]
5
马克斯。
60
注意事项：
2. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05633牧师* C
第11 2
[+ ]反馈
CY62177DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位.......- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
.................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
DC输入
电压
[4, 5]
.............................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62177DV30L
CY62177DV30LL
范围
环境
温度
V
CC
[6]
2.20V至
3.60V
工业-40 ° C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
CY62177DV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
描述
输出高
电压
输出低
电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
-0.3
–1
–1
15
2
5
5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+0.3V
V
CC
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
30
4
100
100
1.8
2.2
–0.3
-0.3
–1
–1
12
2
5
5
典型值。
[3]
马克斯。
CY62177DV30-70
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+0.3V
V
CC
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
25
4
100
100
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
输入高电压V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
供应
当前
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V,
CE
2
＆ LT ; 0.2V ，L
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
LL
f = f
最大
（地址和数据
只） ， F = 0 （ OE ， WE ， BHE和
BLE ） ，V
CC
=3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，L
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， LL
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2
5
5
60
50
5
5
60
50
A
注意事项：
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
坡道从0到V
CC（分钟）
＆ GT ; 500
s.
文件编号： 38-05633牧师* C
第11 3
[+ ]反馈
CY62177DV30
的MoBL
电容
[7, 8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
12
12
单位
pF
pF
热阻
[7]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
2.5V （ 2.2V至2.7V ）
16667
15385
8000
1.20
3.0V （ 2.7V至3.6V ）
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V,
CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
30
25
ns
ns
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[7]
t
R[9]
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
注意事项：
7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
8.这适用于所有的软件包。
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05633牧师* C
第11 4
[+ ]反馈
CY62177DV30
的MoBL
数据保存波形
[10, 11]
数据保持方式
V
DR
> 1.5V
V
CC
CE
or
BHE
.
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
V
CC
，分钟。
t
R
开关特性
在整个工作范围
[11, 12]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[15]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高到高Z
[13, 14]
CE低到低Z
[13]
CE高到高阻
[13, 14]
CE LOW HIGH到电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高到高阻
[13, 14]
10
20
0
55
55
5
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
10. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
11. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
0至V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止信号的边缘
写。
文件编号： 38-05633牧师* C
第11个5
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
16兆位（ 2M ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1.5
A
- 最大待机电流： 12
A
超低有功功率
- 典型工作电流2.2毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅48球FBGA封装。无铅
48引脚TSOP封装我，请CY62167EV30数据表。
切换。将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（芯片
启用1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
） LOW ） 。输入
和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）被放置在一个高
当阻抗状态：取消选择器件（芯片使能
1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
） LOW ） ，输出
禁用（ OE高） ，或写操作正在进行中（芯片
启用1 （ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）很高，我们
低） 。
通过采取芯片使能1写入设备（ CE
1
）和LOW
芯片使能2 （ CE
2
）高，写使能（ WE）输入
低。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
20
).
从设备读取采取芯片使能1 （ CE
1
）和
输出使能（ OE ）低和芯片使能2 （ CE
2
）高
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这样的条件
中，请在存储器位置的由指定的内容
地址引脚将出现在IO引脚。
八个输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）置于
在当设备被取消选择一个高阻抗状态（CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
写操作正在进行中（ CE
1
LOW和CE
2
高，
WE LOW ） 。见
“真值表”第8页
对于一个完整的
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62168EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 2M的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低90％时的地址不
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
WE
OE
数据驱动因素
行解码器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
2M ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A13
A14
A15
A16
A17
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
A19
A20
A18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07721修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月7日
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
引脚配置
[2]
48球FBGA
顶视图
1
NC
NC
IO
0
V
SS
V
CC
IO
3
NC
A
18
2
OE
NC
NC
IO
1
IO
2
NC
A
20
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
NC
IO
5
IO
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
IO
4
V
CC
V
SS
IO
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
民
CY62168EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[3]
2.2
最大
4.0
f = f
最大
典型值
[3]
25
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1.5
最大
12
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
文件编号： 001-07721修订版* B
第10 2
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在....................................... -0.3V到V
CC
（最大） + 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
....................... -0.3V到V
CC
（最大） + 0.3V
直流输入电压
[4, 5]
.................... -0.3V到V
CC
（最大） + 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
[6]
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[7]
2.2V – 3.6V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OH
= 2.1毫安
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
25
2.2
1.5
CY62168EV30-45
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
30
4.0
12
A
V
V
V
A
A
mA
典型值
[3]
最大
单位
V
I
SB1
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
= 3.6V
I
SB2[8]
1.5
12
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC
（典型值）
测试条件
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL
（分钟） = -0.2V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和100
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-07721修订版* B
第10 3
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接一个3× 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
所有的输入脉冲
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V （ 2.2V至2.7V ）
16600
15400
8000
1.2
3.0V （ 2.7V至3.6V ）
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[8]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.5
典型值
[3]
最大
3.6
10
单位
V
A
t
CDR[9]
t
R[10]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
or
CE
2
记
10.完整的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
（分钟） > 100
s
或稳定在V
CC
（分钟）
＆ GT ;
100
s.
文件编号： 001-07721修订版* B
第10 4
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[12]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC
（典型值） / 2 ，输入
0脉冲电平到V
CC
（典型值） ，输出负载指定我的
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 001-07721修订版* B
第10个5
[+ ]反馈
QQ：2881677436 复制
