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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第103页 > CY62168EV30LL-45BVXI
CY62168EV30的MoBL
16兆位（2M × 8 ）静态RAM
16兆位（2M × 8 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
超低待机功耗
典型待机电流： 1.5 μA
最大待机电流： 12 μA
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅48球FBGA封装。对于无铅48引脚
TSOP封装我，请参阅
CY62167EV30
数据表。
■
自动断电功能，可显著降低功耗
由90 ％的消费时，地址不切换。配售
器件进入待机模式功耗降低
取消超过99 ％的时候（芯片使能1 （ CE
1
）或高
芯片使能2 （ CE
2
） LOW ） 。的输入和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被置于高阻抗状态时：所述
取消选择器件（芯片使能1 （ CE
1
）或高
芯片使能2 （ CE
2
） LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，或
一个写操作正在进行中（芯片使能1 （ CE
1
）和LOW
芯片使能2 （ CE
2
）很高，我们LOW ） 。
通过采取芯片使能1写入设备（ CE
1
）和LOW
芯片使能2 （ CE
2
）高，写使能（ WE）输入
低。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
至A
20
).
从设备读取采取芯片使能1 （ CE
1
）和
输出使能（ OE ）低和芯片使能2 （ CE
2
）高，而
强迫写使能（ WE） HIGH 。在这些条件下，该
由地址引脚指定的存储单元的内容
将出现在I / O引脚。
八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在
当取消选择器件为高阻抗状态（CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
写操作正在进行中（ CE
1
LOW和CE
2
高和WE
LOW ） 。见
第11页上的真值表
的完整描述
读写模式。
■
■
■
■
功能说明
该CY62168EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为2M的话由8位。该器件具有先进
电路设计，以提供超低有功电流。这是理想的
提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
WE
OE
数据驱动因素
行解码器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
2M ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
I / O 7
A13
A14
A15
A16
A17
A19
A20
A18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07721修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月10日
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
直流电气特性.......................................... 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ ............ 13
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 001-07721修订版* D
第16页2
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
引脚配置
图1. 48球FBGA
顶视图
[1]
1
NC
NC
I / O
0
V
SS
V
CC
I / O
3
NC
A
18
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
2
OE
NC
NC
I / O
1
I / O
2
NC
A
20
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
5
A
2
CE
1
NC
I / O
5
I / O
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
民
CY62168EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[2]
2.2
最大
4.0
f = f
最大
典型值
[2]
25
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1.5
最大
12
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-07721修订版* D
第16页3
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在....................................... -0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
........................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流输入电压
[3, 4]
.................. -0.3 V到V
CC
（最大值） + 0.3 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度（T
A
)
[5]
-40 ° C至+85°C
V
CC
[6]
2.2 V至3.6 V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1[8]
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
CC
= 3.6 V,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OH
= 2.1毫安
CY62168EV30-45
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[7]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
25
2.2
1.5
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
30
4.0
12
A
V
V
V
A
A
mA
单位
V
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2 V, V
IN
< 0.2 V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2 V或V
IN
< 0.2 V ， F = 0 ，
V
CC
= 3.6 V
I
SB2[8]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
–
1.5
12
A
笔记
3. V
IL
（分钟）= -0.2 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
6.全部设备交流操作假定一个100 μs的斜坡时间从0到V
CC
（分钟）和200 μs的等待时间V后
CC
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 °C.
8.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-07721修订版* D
第16页4
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
电容
参数
[9]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
8
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[9]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
48球FBGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图2.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
所有的输入脉冲
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V （ 2.2 V至2.7 V ）
16600
15400
8000
1.2
3.0 V（ 2.7 V至3.6 V ）
1103
1554
645
1.75
单位
V
记
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-07721修订版* D
第16页5
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
16兆位（ 2M ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1.5
A
- 最大待机电流： 12
A
超低有功功率
- 典型工作电流2.2毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅48球FBGA封装。无铅
48引脚TSOP封装我，请CY62167EV30数据表。
切换。将器件置于待机模式，降低功耗
取消选择时，由多于99 ％的消费（芯片
启用1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
） LOW ） 。输入
和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）被放置在一个高
当阻抗状态：取消选择器件（芯片使能
1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
） LOW ） ，输出
禁用（ OE高） ，或写操作正在进行中（芯片
启用1 （ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）很高，我们
低） 。
通过采取芯片使能1写入设备（ CE
1
）和LOW
芯片使能2 （ CE
2
）高，写使能（ WE）输入
低。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
20
).
从设备读取采取芯片使能1 （ CE
1
）和
输出使能（ OE ）低和芯片使能2 （ CE
2
）高
而强迫写使能（ WE） HIGH 。在这样的条件
中，请在存储器位置的由指定的内容
地址引脚将出现在IO引脚。
八个输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
）置于
在当设备被取消选择一个高阻抗状态（CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
写操作正在进行中（ CE
1
LOW和CE
2
高，
WE LOW ） 。见
“真值表”第8页
对于一个完整的
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62168EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 2M的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低90％时的地址不
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
WE
OE
数据驱动因素
行解码器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
2M ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A13
A14
A15
A16
A17
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
A19
A20
A18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07721修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月7日
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
引脚配置
[2]
48球FBGA
顶视图
1
NC
NC
IO
0
V
SS
V
CC
IO
3
NC
A
18
2
OE
NC
NC
IO
1
IO
2
NC
A
20
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
NC
IO
5
IO
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
IO
4
V
CC
V
SS
IO
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
产品组合
功耗
产品
民
CY62168EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[3]
2.2
最大
4.0
f = f
最大
典型值
[3]
25
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1.5
最大
12
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
文件编号： 001-07721修订版* B
第10 2
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在....................................... -0.3V到V
CC
（最大） + 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
....................... -0.3V到V
CC
（最大） + 0.3V
直流输入电压
[4, 5]
.................... -0.3V到V
CC
（最大） + 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
[6]
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[7]
2.2V – 3.6V
DC电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OH
= 2.1毫安
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
25
2.2
1.5
CY62168EV30-45
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
30
4.0
12
A
V
V
V
A
A
mA
典型值
[3]
最大
单位
V
I
SB1
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
< 0.2V ， F = 0 ，
V
CC
= 3.6V
I
SB2[8]
1.5
12
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC
（典型值）
测试条件
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL
（分钟） = -0.2V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. T
A
是“瞬捷”外壳温度。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和100
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-07721修订版* B
第10 3
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接一个3× 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
所有的输入脉冲
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V （ 2.2V至2.7V ）
16600
15400
8000
1.2
3.0V （ 2.7V至3.6V ）
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[8]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.5
典型值
[3]
最大
3.6
10
单位
V
A
t
CDR[9]
t
R[10]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
or
CE
2
记
10.完整的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
（分钟） > 100
s
或稳定在V
CC
（分钟）
＆ GT ;
100
s.
文件编号： 001-07721修订版* B
第10 4
[+ ]反馈
CY62168EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[12]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC
（典型值） / 2 ，输入
0脉冲电平到V
CC
（典型值） ，输出负载指定我的
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 001-07721修订版* B
第10个5
[+ ]反馈
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