CY62168DV30
的MoBL
16兆位（ 2048K ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 15毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48球FBGA封装提供
地址不切换。该装置可被置于待机
模式，功耗降低，当超过99％的
取消芯片使能1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
)
低。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在
取消芯片使能1 ：当一个高阻抗状态
（ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低，输出被禁止
（ OE高） ，或者在写操作期间（芯片使能1 （ CE
1
)
LOW和芯片使能2 （ CE
2
）很高，我们LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）高和写使能
（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
)
将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
20
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低和芯片
启用2 （ CE
2
）高，同时迫使写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
LOW ） 。见真情表中读取一个完整的描述
写模式。
功能说明
[1]
该CY62168DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 2048Kbit话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该装置可被投入
待机模式下降低功率消耗减少90％时
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
1
CE
2
WE
OE
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
2048K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
可在http://www.cypress.com 。
A
17
A
18
A
19
A
20
A
16
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05329牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年9月14日
CY62168DV30
的MoBL
引脚配置
[2]
FBGA
顶视图
1
DNU
2
OE
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
8
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
6
CE
2
A
B
C
D
E
F
G
H
DNU DNU
I / O
0
V
SS
V
CC
I / O
3
DNU
A
18
A
A
DNU
I / O
1
I / O
2
DNU
CE
1
DNU
DNU
I / O
5
I / O
6
DNU
WE
A
11
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
7
DNU
A
19
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62168DV30L
CY62168DV30LL
分钟。
2.2
2.2
典型值。
[3]
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
2
4
F = 1 MHz的
典型值。
[3]
2
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[3]
15
12
15
12
马克斯。
30
25
30
25
2.5
22
待我
SB2
(A)
典型值。
[3]
2.5
马克斯。
30
注意事项：
2. DNU引脚都被悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05329牧师* D
第2 9
CY62168DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在........................................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[4, 5]
......................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
[6]
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[7]
2.2V – 3.6V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62168DV30-55
参数
V
OH
V
OL
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
V
IH
输入高电压
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
VCC = 3.6V ，
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OH
= 2.1毫安
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
2.5
2.5
2.5
2.5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.6
0.8
+1
+1
30
4
30
22
30
22
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
12
2
2.5
2.5
2.5
2.5
典型值。
[3]
马克斯。
CY62168DV30-70
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.6
0.8
+1
+1
25
4
30
22
30
22
A
A
V
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
CMOS输入
V
A
A
mA
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，女= F
最大
（地址
而仅数据） ， F = 0 （ OE ， LL
WE ， ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或LL
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
=3.6V
I
SB2
自动CE
掉电电流
CMOS输入
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
[8]
（结到环境）
热阻
[8]
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，四层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
4.V
IL （ MIN ）
= -0.2V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.T
A
是“瞬捷”外壳温度。
7.Full设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和100
s
等待时间V后
cc
稳定..
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05329牧师* D
第3 9
CY62168DV30
的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[10]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
我们前高后低
Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高来高
Z
[11, 12]
[11]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
55
10
5
10
0
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
CE
1
高或CE
2
从低到高
Z
[11, 12]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3ns以下（ 1V / NS ）的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05329牧师* D
第5 9
CY62168DV30
的MoBL
16兆位（ 2048K ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 15毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48球FBGA封装提供
地址不切换。该装置可被置于待机
模式，功耗降低，当超过99％的
取消芯片使能1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
)
低。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在
取消芯片使能1 ：当一个高阻抗状态
（ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低，输出被禁止
（ OE高） ，或者在写操作期间（芯片使能1 （ CE
1
)
LOW和芯片使能2 （ CE
2
）很高，我们LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）高和写使能
（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
)
将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
20
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低和芯片
启用2 （ CE
2
）高，同时迫使写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
LOW ） 。见真情表中读取一个完整的描述
写模式。
功能说明
[1]
该CY62168DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 2048Kbit话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该装置可被投入
待机模式下降低功率消耗减少90％时
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
1
CE
2
WE
OE
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
2048K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
可在http://www.cypress.com 。
A
17
A
18
A
19
A
20
A
16
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05329牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年9月14日
CY62168DV30
的MoBL
引脚配置
[2]
FBGA
顶视图
1
DNU
2
OE
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
8
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
6
CE
2
A
B
C
D
E
F
G
H
DNU DNU
I / O
0
V
SS
V
CC
I / O
3
DNU
A
18
A
A
DNU
I / O
1
I / O
2
DNU
CE
1
DNU
DNU
I / O
5
I / O
6
DNU
WE
A
11
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
7
DNU
A
19
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62168DV30L
CY62168DV30LL
分钟。
2.2
2.2
典型值。
[3]
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
70
55
70
2
4
F = 1 MHz的
典型值。
[3]
2
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[3]
15
12
15
12
马克斯。
30
25
30
25
2.5
22
待我
SB2
(A)
典型值。
[3]
2.5
马克斯。
30
注意事项：
2. DNU引脚都被悬空或连接到V
SS
以确保适当的应用程序。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05329牧师* D
第2 9
CY62168DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在........................................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[4, 5]
......................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
[6]
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[7]
2.2V – 3.6V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62168DV30-55
参数
V
OH
V
OL
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
V
IH
输入高电压
2.7 < V
CC
< 3.6
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
VCC = 3.6V ，
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
I
OH
=
0.1
mA
I
OH
=
1.0
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
OH
= 2.1毫安
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
2.5
2.5
2.5
2.5
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.6
0.8
+1
+1
30
4
30
22
30
22
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
12
2
2.5
2.5
2.5
2.5
典型值。
[3]
马克斯。
CY62168DV30-70
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3
V
CC
+
0.3
0.6
0.8
+1
+1
25
4
30
22
30
22
A
A
V
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
CMOS输入
V
A
A
mA
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，女= F
最大
（地址
而仅数据） ， F = 0 （ OE ， LL
WE ， ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或LL
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
=3.6V
I
SB2
自动CE
掉电电流
CMOS输入
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
[8]
（结到环境）
热阻
[8]
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，四层印刷
电路板
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
4.V
IL （ MIN ）
= -0.2V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.T
A
是“瞬捷”外壳温度。
7.Full设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和100
s
等待时间V后
cc
稳定..
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05329牧师* D
第3 9
CY62168DV30
的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[10]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
我们前高后低
Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高来高
Z
[11, 12]
[11]
70纳秒
马克斯。
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
55
10
5
10
0
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
CE
1
高或CE
2
从低到高
Z
[11, 12]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3ns以下（ 1V / NS ）的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）。
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05329牧师* D
第5 9
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