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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1245页 > CY62167ELL-45ZXI
CY62167E的MoBL
16兆位（ 1米× 16/2米×8 ）静态RAM
16兆位（ 1M × 16 / 2M × 8 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
可配置为1米× 16或2米×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V至5.5 V
超低待机功耗
典型待机电流： 1.5 μA
最大待机电流： 12 μA
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供48引脚TSOP封装我
功耗降低99％时的地址是不
切换。将设备进入待机模式，当取消
（ CE
1
高，或CE
2
低，或两者BHE和BLE的高） 。该
输入和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个高
当阻抗状态：
■
■
■
■
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和字节使能低禁用（ BHE ，
BLE HIGH ）或
写操作正在进行中（ CE
1
低，CE
2
高，和WE
低）
■
■
■
■
■
功能说明
[1]
该CY62167E是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为1M的话用16位/ 2 M个字×8位。这
器件采用先进的电路设计，提供超低
有功电流。这是理想的提供更多的电池Life
（的MoBL
）在便携式应用中，诸如蜂窝电话。
该器件还具有自动断电功能，
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从我的数据输入/输出
引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
“真值表”
on
第11页的读写模式的完整描述。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1 M × 16 / 2 M × 8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
CE
2
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-15607修订版* B
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2010年8月16日
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ .......... 4
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 5
数据保存波形............................................... 5
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ......
订购代码定义.........................................
包图................................................ ............
与缩略语................................................. .......................
文档约定................................................ 。
计量单位............................................... ........
文档历史记录页............................................... ..
销售，解决方案和法律信息......................
全球销售和设计支持.......................
产品................................................. ...................
的PSoC解决方案................................................ .........
12
12
13
14
14
14
15
15
15
15
15
文件编号： 001-15607修订版* B
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
引脚配置
[2, 3]
48引脚TSOP I
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE
2
NC
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
民
CY62167ELL
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[4]
5.0
最大
5.5
45
速度
（纳秒）
典型值
[4]
2.2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
4.0
25
f = f
最大
典型值
[4]
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[4]
1.5
最大
12
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.在48 TSOPI包BYTE引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个的1M ×16 SRAM中。 48 TSOPI包也可以被用来作为
2米×8 SRAM的字节信号绑到V
SS
。中的2M ×8的配置，销45是A20，而BHE ，BLE和I / O的
8
到I / O
14
引脚未使用。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-15607修订版* B
第15 3
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用........................................... -55°C至+125°C
电源电压对地
潜在................................................. .........- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
...........................................- 0.5 V至6.0 V
直流输入电压
[5, 6]
.......................................- 0.5 V至6.0 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... >2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62167ELL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动断电
目前， CMOS输入
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
（最大）
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
45纳秒
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[9]
–
–
–
–
–
–
25
2.2
1.5
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5 V
0.7
[8]
+1
+1
30
4.0
12
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB2[10]
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V或BHE
和BLE > V
CC
– 0.2 V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或
V
IN
< 0.2 V ， F = 0 ，V
CC
= V
CC
（最大）
电容
参数
[11]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC
（典型值）
测试条件
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[11]
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
TSOP I
60
4.3
单位
° C / W
° C / W
笔记
5. V
IL
（分钟）= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
7.完全设备AC操作是基于一个100微秒上升时间为0至V
CC
（分钟）和200 μs的等待时间V后
CC
稳定。
8.在直流条件下的设备满足V
IL
0.8 V.然而，在动态条件输入低电压施加到器件不能低于0.7 V.高
9.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 °C
10.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-15607修订版* B
第15 4
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
交流测试负载和波形
R1
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
V
CC
产量
V
CC
GND
10%
R2
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
值
1800
990
639
1.77
单位
Ω
Ω
Ω
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[13]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
–
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
＆ LT ;
0.2 V或BHE和BLE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V
–
条件
民
2.0
–
典型值
[12]
–
–
最大
–
12
单位
V
A
t
CDR[14]
t
R[15]
芯片取消到数据
保留时间
0
45
–
–
–
–
ns
ns
手术的恢复时间 -
数据保存波形
[16]
V
CC
CE
1
or
BHE 。 BLE
or
CE
2
V
CC
（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 2.0 V
V
CC
（分钟）
t
R
笔记
12.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 °C.
13.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
14.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
15.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
（分钟） > 100 μs或稳定在V
CC
（分钟） > 100微秒。
16. BHE 。 BLE是BHE和BLE的和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用BHE和BLE取消的芯片。
文件编号： 001-15607修订版* B
第15个5
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
16兆位（ 1M ×16 / 2M ×8 ）静态RAM
特点
可配置为1M ×16或2M ×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5V - 5.5V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1.5
A
- 最大待机电流： 12
A
超低有功功率
- 典型工作电流2.2毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供48引脚TSOP封装我
（ CE
1
高，或CE
2
低，或两者BHE和BLE的高） 。
的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个
当高阻抗状态：
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH）或
写操作正在进行中（ CE
1
低，CE
2
高，并
WE LOW ）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
8
通过IO
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚上出现IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
然后从内存中的数据出现在IO
8
到IO
15
。见
[真相
表“第10页
用于读写的完整说明
模式。
功能说明
[1]
该CY62167E是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为1M字（16位） / 2M字由8位。这
器件采用先进的电路设计，提供超低
有功电流。这是理想的提供更多的电池Life
（的MoBL
）在便携式应用中，诸如蜂窝电话。
该器件还具有自动断电功能，
功耗降低99％时的地址是不
切换。将设备进入待机模式，当取消
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-15607修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月7日
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
引脚配置
[2, 3]
48引脚TSOP I
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE
2
NC
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
IO15/A20
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
民
CY62167ELL
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[4]
5.0
最大
5.5
45
速度
（纳秒）
典型值
[4]
2.2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
4.0
25
f = f
最大
典型值
[4]
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[4]
1.5
最大
12
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.在48 TSOPI包BYTE引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个1M ×16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个2M ×8的SRAM
由BYTE信号绑到V
SS
。在2M ×8配置，引脚45是A20 ，而BHE ， BLE和IO
8
到IO
14
引脚未使用。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
文件编号： 001-15607修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短电池的寿命
该装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. .......... -0.5V至6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
........................................... -0.5V至6.0V
直流输入电压
[5, 6]
........................................- 0.5V至6.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62167ELL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+ 85°C 4.5V至5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
（最大）
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
2.2
–0.5
–1
–1
25
2.2
1.5
45纳秒
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.7
[8]
+1
+1
30
4.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB2[9]
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
测试条件
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
[10]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
TSOP I
60
4.3
单位
° C / W
° C / W
笔记
5. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.完全设备AC操作是基于一个100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.在直流条件下的设备满足V
IL
的0.8V 。然而，在动态条件输入低电压施加到该装置必须不大于0.7V 。
9.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他的输入可以是
悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-15607修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
10%
R2
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
值
1800
990
639
1.77
单位
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= V
DR
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
2.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
A
t
CDR[10]
t
R[11]
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
ns
ns
数据保存波形
[12]
V
CC
（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 2.0 V
V
CC
（分钟）
t
R
V
CC
CE
1
or
BHE 。 BLE
or
CE
2
笔记
11.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
（分钟） > 100
s
或稳定在V
CC
（分钟） > 100
s.
12. BHE 。 BLE是BHE和BLE的和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用BHE和BLE取消的芯片。
文件编号： 001-15607修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[13, 14]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[15]
OE高来高-Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[15]
CE
1
高和CE
2
从低到高-Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[15]
BLE / BHE高来高-Z
[15, 16]
10
18
0
45
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
写周期
[17]
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[15, 16]
我们前高后低-Z
[15]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
13.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1 V / ns的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC
（典型值） / 2 ，输入脉冲电平
0至V
CC
（典型值） ，输出负载指定我的
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
14. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
15.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
16. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
17.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和BLE或两者= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间应参考信号的边沿即
结束写入。
文件编号： 001-15607修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
16兆位（ 1M ×16 / 2M ×8 ）静态RAM
特点
可配置为1M ×16或2M ×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5V - 5.5V
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1.5
A
- 最大待机电流： 12
A
超低有功功率
- 典型工作电流2.2毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供48引脚TSOP封装我
（ CE
1
高，或CE
2
低，或两者BHE和BLE的高） 。
的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被放置在一个
当高阻抗状态：
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH）或
写操作正在进行中（ CE
1
低，CE
2
高，并
WE LOW ）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
8
通过IO
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚上出现IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
然后从内存中的数据出现在IO
8
到IO
15
。见
[真相
表“第10页
用于读写的完整说明
模式。
功能说明
[1]
该CY62167E是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为1M字（16位） / 2M字由8位。这
器件采用先进的电路设计，提供超低
有功电流。这是理想的提供更多的电池Life
（的MoBL
）在便携式应用中，诸如蜂窝电话。
该器件还具有自动断电功能，
功耗降低99％时的地址是不
切换。将设备进入待机模式，当取消
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-15607修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月7日
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
引脚配置
[2, 3]
48引脚TSOP I
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE
2
NC
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
IO15/A20
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
民
CY62167ELL
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[4]
5.0
最大
5.5
45
速度
（纳秒）
典型值
[4]
2.2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
4.0
25
f = f
最大
典型值
[4]
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[4]
1.5
最大
12
笔记
2. NC引脚未连接的芯片。
3.在48 TSOPI包BYTE引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个1M ×16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个2M ×8的SRAM
由BYTE信号绑到V
SS
。在2M ×8配置，引脚45是A20 ，而BHE ， BLE和IO
8
到IO
14
引脚未使用。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25°C.
文件编号： 001-15607修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短电池的寿命
该装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. .......... -0.5V至6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
........................................... -0.5V至6.0V
直流输入电压
[5, 6]
........................................- 0.5V至6.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62167ELL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+ 85°C 4.5V至5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC
（最大）
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
2.2
–0.5
–1
–1
25
2.2
1.5
45纳秒
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.7
[8]
+1
+1
30
4.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB2[9]
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
测试条件
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
[10]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
TSOP I
60
4.3
单位
° C / W
° C / W
笔记
5. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.完全设备AC操作是基于一个100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.在直流条件下的设备满足V
IL
的0.8V 。然而，在动态条件输入低电压施加到该装置必须不大于0.7V 。
9.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他的输入可以是
悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-15607修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
10%
R2
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
值
1800
990
639
1.77
单位
V
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= V
DR
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
2.0
12
典型值
[4]
最大
单位
V
A
t
CDR[10]
t
R[11]
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
ns
ns
数据保存波形
[12]
V
CC
（分钟）
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 2.0 V
V
CC
（分钟）
t
R
V
CC
CE
1
or
BHE 。 BLE
or
CE
2
笔记
11.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC
（分钟） > 100
s
或稳定在V
CC
（分钟） > 100
s.
12. BHE 。 BLE是BHE和BLE的和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用BHE和BLE取消的芯片。
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第12页4
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[13, 14]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[15]
OE高来高-Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[15]
CE
1
高和CE
2
从低到高-Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[15]
BLE / BHE高来高-Z
[15, 16]
10
18
0
45
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
写周期
[17]
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[15, 16]
我们前高后低-Z
[15]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
13.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1 V / ns的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC
（典型值） / 2 ，输入脉冲电平
0至V
CC
（典型值） ，输出负载指定我的
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
14. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
15.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
16. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
17.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和BLE或两者= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间应参考信号的边沿即
结束写入。
文件编号： 001-15607修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
16兆位（ 1米× 16/2米×8 ）静态RAM
16兆位（ 1米× 16/2米×8 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
可配置为1米× 16或2米×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V至5.5 V
超低待机功耗
典型待机电流： 1.5 μA
最大待机电流： 12 μA
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供48引脚TSOP封装我
降低了当地址不切换功率消耗。
将设备进入待机模式，当取消（ CE
1
高，或CE
2
低，或两者BHE和BLE的高） 。输入
和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个高
当阻抗状态：
■
■
■
■
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和字节使能低禁用（ BHE ，
BLE HIGH ）或
写操作正在进行中（ CE
1
低，CE
2
高，和WE
低）
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62167E是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为1M的话用16位/ 2 M个字×8位。这
器件采用先进的电路设计，提供超低
有功电流。这是理想的提供更多的电池Life
（的MoBL
）在便携式应用中，诸如蜂窝电话。
该器件还具有自动断电功能，
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从我的数据输入/输出
引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。看
第12页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1 M × 16 / 2 M × 8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
CE
2
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-15607修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月10日
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 12
订购信息................................................ ...... 13
订购代码定义......................................... 13
包图................................................ ............ 14
与缩略语................................................. ....................... 15
文档约定................................................ 15
计量单位............................................... ........ 15
文档历史记录页............................................... .. 16
销售，解决方案和法律信息...................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 001-15607修订版* C
第17页2
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
引脚配置
48引脚TSOP I
顶视图
[1, 2]
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE
2
NC
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
民
CY62167ELL
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
5.0
最大
5.5
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[3]
2.2
最大
4.0
25
f = f
最大
典型值
[3]
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1.5
最大
12
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.在48引脚封装TSOPI字节引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个的1M ×16 SRAM中。 48 TSOPI包也可以被用作2为M× 8
SRAM的字节信号绑到V
SS
。中的2M ×8的配置，销45是A20，而BHE ，BLE和I / O的
8
到I / O
14
引脚未使用。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-15607修订版* C
第17页3
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. ........- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
..........................................- 0.5 V至6.0 V
直流输入电压
[4, 5]
......................................- 0.5 V至6.0 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62167ELL
范围
产业
环境
温度
V
CC
[6]
-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB2[9]
自动断电
目前， CMOS输入
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
45纳秒
民
2.4
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[8]
–
–
–
–
–
–
25
2.2
1.5
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.5 V
0.7
[7]
+1
+1
30
4.0
12
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V或
BHE和BLE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC
（最大）
笔记
4. V
IL
（分钟）= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6.完全设备AC操作是基于一个100微秒上升时间为0至V
CC
（分钟）和200 μs的等待时间V后
CC
稳定。
7.在直流条件下的设备满足V
IL
0.8 V.然而，在动态条件输入低电压施加到器件不能低于0.7 V.高
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 °C
9.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-15607修订版* C
第17页4
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
电容
参数
[10]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[10]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
48引脚TSOP I组
60
4.3
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图1. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
10%
R2
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
值
1800
990
639
1.77
单位
V
记
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
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第17页5
[+ ]反馈
CY62167E的MoBL
16兆位（ 1米× 16/2米×8 ）静态RAM
16兆位（ 1米× 16/2米×8 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
可配置为1米× 16或2米×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 4.5 V至5.5 V
超低待机功耗
典型待机电流： 1.5 μA
最大待机电流： 12 μA
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2.2毫安
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供48引脚TSOP封装我
和BLE的高） 。的输入和输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和字节使能低禁用（ BHE ，
BLE HIGH ）或
写操作正在进行中（ CE
1
低，CE
2
高，和WE
低）
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从我的数据输入/输出
引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到指定的位置
地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从由地址引脚指定的存储单元出现
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。看
第12页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
该CY62167E装置适用于具有处理器的接口
具有TTL I / P的水平。它不适合于处理器的
需要CMOS I / P的水平。请参阅
电气特性
第4页
有关详细信息，并提出替代方案。
功能说明
该CY62167E是一种高性能的CMOS静态RAM
组织为1M的话用16位/ 2 M个字×8位。这
器件采用先进的电路设计，提供超低
有功电流。这是理想的提供更多的电池Life
（的MoBL
）在便携式应用。该器件还具有一个
自动断电功能，可降低功耗
当地址不切换。将设备置于待机
取消选择模式时（ CE
1
高，或CE
2
低，或两者的BHE
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1 M × 16 / 2 M × 8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
CE
2
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
1
BHE
BLE
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-15607修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2013年6月10日
CY62167E的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 12
订购信息................................................ ...... 13
订购代码定义......................................... 13
包图................................................ ............ 14
与缩略语................................................. ....................... 15
文档约定................................................ 15
计量单位............................................... ........ 15
文档历史记录页............................................... .. 16
销售，解决方案和法律信息...................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 001-15607修订版* D
第17页2
CY62167E的MoBL
引脚配置
48引脚TSOP I引出线（
顶视图）
[1, 2]
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE
2
NC
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
民
CY62167ELL
4.5
V
CC
范围（V ）
典型值
[3]
5.0
最大
5.5
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[3]
2.2
最大
4.0
25
f = f
最大
典型值
[3]
最大
30
待我
SB2
(A)
典型值
[3]
1.5
最大
12
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.在48引脚封装TSOPI字节引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个的1M ×16 SRAM中。 48 TSOPI包也可以被用作2为M× 8
SRAM的字节信号绑到V
SS
。中的2M ×8的配置，销45是A20，而BHE ，BLE和I / O的
8
到I / O
14
引脚未使用。
3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-15607修订版* D
第17页3
CY62167E的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................................. ........- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[4, 5]
..........................................- 0.5 V至6.0 V
直流输入电压
[4, 5]
......................................- 0.5 V至6.0 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ................................. >2001 V
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62167ELL
范围
产业
环境
温度
V
CC
[6]
-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.5 V
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB2[10]
自动断电
目前， CMOS输入
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= -0.1毫安
45纳秒
民
2.4
–
–
2.2
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[7]
–
–
–
–
–
–
–
25
2.2
1.5
最大
–
3.4
[8]
0.4
V
CC
+ 0.5 V
0.7
[9]
+1
+1
30
4.0
12
V
V
V
A
A
mA
mA
A
单位
V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V或
BHE和BLE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC
（最大）
笔记
4. V
IL
（分钟）= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6.完全设备AC操作是基于一个100微秒上升时间为0至V
CC
（分钟）和200 μs的等待时间V后
CC
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC
（典型值） ，T
A
= 25 °C.
8.请注意，最大VOH限值不列入超过3.5V的最小的CMOS VIH如果正在接口对该SRAM与需要一个5伏传统处理器
3.5V的最小VIH ，请参考应用笔记
AN6081
对于技术细节，你可以考虑的选项。
9.在直流条件下的设备满足V
IL
0.8 V.然而，在动态条件输入低电压施加到器件不能低于0.7 V.高
10.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-15607修订版* D
第17页4
CY62167E的MoBL
电容
参数
[11]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[11]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
48引脚TSOP I组
60
4.3
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图1. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
GND
10%
R2
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
上升时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
值
1800
990
639
1.77
单位
V
记
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文件编号： 001-15607修订版* D
第17页5
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