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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第120页 > CY62167DV30LL-55ZXI
CY62167DV30的MoBL
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
TSOP I配置为1M ×16或2M ×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2V - 3.6V
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 18.5毫安@频率= F
最大
（ 45纳秒
速度）
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球VFBGA
和48引脚TSOP封装我
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
功能说明
[1]
该CY62167DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
BLE
CE
2
CE
1
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05328牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月27日
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62167DV30LL
分钟。
2.2
典型值。
[2]
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
45
55
70
F = 1MHz的
典型值。
[2]
2
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[2]
18.5
15
12
马克斯。
37
30
25
待我
SB2
(A)
典型值。
[2]
2.5
马克斯。
22
引脚配置
[3, 4, 5]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
48引脚TSOP I（正向） （ 1M ×16 / 2M ×8 ）
[6]
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4. DNU引脚必须悬空。
5.球H6为FBGA封装可用于升级到32M密度。
6.在48 - TSOP封装我的BYTE引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个1M ×16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个2M ×8
SRAM的字节信号绑到V
SS
。在2M ×8配置，引脚45是A20 ，而BHE ， BLE和I / O8到I / O14引脚未使用（ DNU ） 。
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页2
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压接地电位的...... -0.2V到V
CC
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[7, 8]
................................ -0.2V到V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[7, 8]
............................. -0.2V到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[9]
2.20V至
3.60V
CY62167DV30LL工业
电气特性
在整个工作范围
CY62167DV30-45 CY62167DV30-55 CY62167DV30-70
参数说明
V
OH
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
V
CC
1.8
+0.3V
2.2
0.6
0.8
–1
+1
+1
–1
–1
–0.3
V
CC
1.8
+0.3V
2.2
0.6
0.8
+1
+1
–1
–1
–0.3
V
CC
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
A
A
V
MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 UNIT
2.0
2.4
0.4
2.0
2.4
0.4
2.0
2.4
0.4
V
V
V
OL
V
IH
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
V
I
IX
I
OZ
输入漏GND < V
I
＆ LT ; V
CC
当前
产量
泄漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，禁止输出-1
I
CC
V
CC
工作V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
供应
CMOS电平
当前
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
18.5
2
2.5
37
4
22
15
2
2.5
30
4
22
12
2
2.5
25
4
22
mA
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或
CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE ， BLE ）
V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
A
I
SB2
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
2.5
22
2.5
22
2.5
22
A
注意事项：
7. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
坡道从0到V
CC（分钟）
和V
CC
必须在V是稳定的
CC（分钟）
500
s.
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页3
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
电容
[10, 11]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
热阻
[10]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
55
16
TSOP I
60
4.3
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[12]
V
CC
产量
50
pF
[12]
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[10]
t
R[13]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
ns
ns
注意事项：
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
11.这适用于所有的软件包。
为45毫微秒部分12.测试条件是具有30pF的负载电容。
13.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页4
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
数据保存波形
[14]
V
CC
CE
1
or
BHE
,
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[15]
45纳秒
[12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[18]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[16, 17]
我们前高后低-Z
[16]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[16]
OE高到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[16]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[16]
BLE / BHE高到高阻
[16, 17]
10
15
0
45
45
10
20
10
20
0
55
55
10
25
5
15
10
20
0
70
70
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
55纳秒
分钟。
马克斯。
70纳秒
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
14. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
15.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
0至V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
16.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
17. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
18.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页5
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
TSOP I配置为1M ×16或2M ×8 SRAM
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2V - 3.6V
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 18.5毫安@频率= F
最大
（ 45纳秒
速度）
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球VFBGA
和48引脚TSOP封装我
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
功能说明
[1]
该CY62167DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
BLE
CE
2
CE
1
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05328牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月27日
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62167DV30LL
分钟。
2.2
典型值。
[2]
3.0
马克斯。
3.6
速度
（纳秒）
45
55
70
F = 1MHz的
典型值。
[2]
2
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[2]
18.5
15
12
马克斯。
37
30
25
待我
SB2
(A)
典型值。
[2]
2.5
马克斯。
22
引脚配置
[3, 4, 5]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
48引脚TSOP I（正向） （ 1M ×16 / 2M ×8 ）
[6]
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
注意事项：
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4. DNU引脚必须悬空。
5.球H6为FBGA封装可用于升级到32M密度。
6.在48 - TSOP封装我的BYTE引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个1M ×16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个2M ×8
SRAM的字节信号绑到V
SS
。在2M ×8配置，引脚45是A20 ，而BHE ， BLE和I / O8到I / O14引脚未使用（ DNU ） 。
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页2
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压接地电位的...... -0.2V到V
CC
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[7, 8]
................................ -0.2V到V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[7, 8]
............................. -0.2V到V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[9]
2.20V至
3.60V
CY62167DV30LL工业
电气特性
在整个工作范围
CY62167DV30-45 CY62167DV30-55 CY62167DV30-70
参数说明
V
OH
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
V
CC
1.8
+0.3V
2.2
0.6
0.8
–1
+1
+1
–1
–1
–0.3
V
CC
1.8
+0.3V
2.2
0.6
0.8
+1
+1
–1
–1
–0.3
V
CC
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
A
A
V
MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[2]
MAX 。 UNIT
2.0
2.4
0.4
2.0
2.4
0.4
2.0
2.4
0.4
V
V
V
OL
V
IH
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
V
I
IX
I
OZ
输入漏GND < V
I
＆ LT ; V
CC
当前
产量
泄漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，禁止输出-1
I
CC
V
CC
工作V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
供应
CMOS电平
当前
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
18.5
2
2.5
37
4
22
15
2
2.5
30
4
22
12
2
2.5
25
4
22
mA
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或
CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE ， BLE ）
V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
A
I
SB2
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
2.5
22
2.5
22
2.5
22
A
注意事项：
7. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
坡道从0到V
CC（分钟）
和V
CC
必须在V是稳定的
CC（分钟）
500
s.
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第12页3
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
电容
[10, 11]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
热阻
[10]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
55
16
TSOP I
60
4.3
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[12]
V
CC
产量
50
pF
[12]
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
10
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
A
t
CDR[10]
t
R[13]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
ns
ns
注意事项：
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
11.这适用于所有的软件包。
为45毫微秒部分12.测试条件是具有30pF的负载电容。
13.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
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第12页4
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
数据保存波形
[14]
V
CC
CE
1
or
BHE
,
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[15]
45纳秒
[12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[18]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[16, 17]
我们前高后低-Z
[16]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[16]
OE高到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[16]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[16]
BLE / BHE高到高阻
[16, 17]
10
15
0
45
45
10
20
10
20
0
55
55
10
25
5
15
10
20
0
70
70
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
55纳秒
分钟。
马克斯。
70纳秒
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
14. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
15.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
0至V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
16.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
17. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
18.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页5
[+ ]反馈
CY62167DV30的MoBL
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
薄型小尺寸封装（ TSOP I）可配置为
1M ×16或2M ×8 SRAM
宽电压范围： 2.2 V - 3.6 V
超低有功功率：典型工作电流：在f = 1 2毫安
兆赫
超低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度/功耗
可提供无铅和无无铅48球很细的球
栅阵列（ VFBGA ）和48引脚TSOP封装我
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或
CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
功能说明
[1]
该CY62167DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
1M × 16 / 2M ×8
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
字节
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
BLE
CE
2
CE
1
记
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05328牧师* I
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圣荷西
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408-943-2600
修订后的2010年11月8日
CY62167DV30的MoBL
目录
产品组合................................................ .............. 3
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性
................................................. 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性
....................................... 5
数据保存波形............................................... 6 ..
开关特性................................................ 。
6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义........................................... 12
与缩略语................................................. ....................... 15
文档约定................................................ 15
计量单位............................................... ........ 15
销售，解决方案和法律信息...................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 38-05328牧师* I
第17页2
CY62167DV30的MoBL
产品组合
功耗
产品
民
CY62167DV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
55
70
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
典型值
[2]
2
最大
4
f = f
最大
典型值
[2]
15
12
最大
30
25
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
2.5
最大
22
引脚配置
图1： 48-球VFBGA顶视图
[3, 4, 5]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
[6]
I / O
12
DNU
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
48引脚TSOP I（正向） （ 1M ×16 / 2M ×8 ）
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25 °C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4. DNU引脚必须悬空。
5.球H6为FBGA封装可用于升级到32M密度。
6.在48 - TSOP封装我的BYTE引脚必须连接到V
CC
使用该设备作为一个1M ×16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个2M ×8
SRAM的字节信号绑到V
SS
。在2M ×8配置，引脚45是A20 ，而BHE ， BLE和I / O8到I / O14引脚未使用（ DNU ） 。
文件编号： 38-05328牧师* I
第17页3
CY62167DV30的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导方针，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源采用........................................... -55°C至+125°C
电源电压为地电位...... -0.2 V到V
CC
+ 0.3 V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[7, 8]
................................ -0.2 V到V
CC
+ 0.3 V
直流输入电压
[7, 8]
............................. -0.2 V到V
CC
+ 0.3 V
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001年V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
[9]
2.20 V至
3.60 V
CY62167DV30LL工业
电气特性
在整个工作范围
CY62167DV30-55
参数
V
OH
描述
测试条件
最小值典型值
[10]
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
V
OL
输出低电压I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
IH
输入高电压
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
IL
输入低电压
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动
掉电
电流 - CMOS
输入
自动
掉电
电流 - CMOS
输入
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
–
–1
–1
–
–
–
15
2
2.5
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
1.8
2.2
–0.3
–
–
V
CC
1.8
+0.3 V
2.2
0.6
0.8
+1
+1
30
4
22
–
–1
–1
–
–
–
12
2
2.5
–0.3
–
V
CC
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
25
4
22
A
A
A
mA
V
2.0
2.4
–
–
0.4
–
最大
–
民
2.0
2.4
–
0.4
V
典型值
[10]
–
最大
–
V
CY62167DV30-70
单位
–
V
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2
V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE） ，V
CC
= 3.60 V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2
–
2.5
22
–
2.5
22
A
笔记
7. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
8. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
坡道从0到V
CC（分钟）
和V
CC
必须在V是稳定的
CC（分钟）
为500s 。
10.典型值包含仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
文件编号： 38-05328牧师* I
第17页4
CY62167DV30的MoBL
电容
参数
[11]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
8
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[11]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
55
16
TSOP I
60
4.3
单位
C
/ W
C
/ W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
50 pF的
[12]
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
R1
V
CC
R2
GND
上升时间= 1 V / ns的
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5 V,
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
< 0.2 V
条件
民
1.5
–
典型值
[12]
–
–
最大
–
10
单位
V
A
t
CDR
[11]
t
R
[13]
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
CY62167DV30LL-55
CY62167DV30LL-70
0
55
70
–
–
–
–
ns
ns
笔记
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
12.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
13.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05328牧师* I
第17页5
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