CY62167DV30
的MoBL
16兆位（ 1M ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 15毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48焊球BGA和48引脚TSOPI提供套餐
功耗降低99％时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
19
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在这个数据的背后
片读写模式下的完整描述。
实用
描述
[1]
该CY62167DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为100万字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1M × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
CE
2
CE
1
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05328牧师* E
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年6月21日
CY62167DV30
的MoBL
引脚配置
[2, 3, 4, 5]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
DNU
A
B
C
D
E
F
G
H
I / O
12
DNU
I / O
13
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
48TSOPI （向前）
顶视图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A20
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
注意事项：
2. NC引脚未连接的芯片。
3. DNU引脚必须悬空。
4.在48 TSOPI包字节引脚必须连接到高电平以使用该设备作为一个1M × 16的SRAM 。 48 TSOPI包也可以被用来作为一个2M ×8的SRAM
通过把该字节信号为低电平。为2M × 8功能，请参考CY62168DV30数据表。在2M × 8配置，引脚45是A20 。
5.球H6为FBGA封装可用于升级到32M密度。
文件编号： 38-05328牧师* E
第12页2
CY62167DV30
的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位.......- 0.2V至V
CC
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7]
.................................- 0.2V至V
CC
+ 0.3V
DC输入
电压
[6, 7]
.............................- 0.2V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
设备
CY62167DV30L
CY62167DV30LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[8]
2.20V至
3.60V
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62167DV30L
CY62167DV30LL
分钟。
2.20
典型值。
[9]
3.0
马克斯。
3.60
速度
（纳秒）
55
70
55
70
2
4
F = 1MHz的
典型值。
[9]
2
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[9]
15
12
15
12
马克斯。
30
25
30
25
2.5
22
待我
SB2
(A)
典型值。
[9]
2.5
马克斯。
30
电气特性
在整个工作范围
CY62167DV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
输入低电压
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
2.5
2.5
2.5
2.5
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
1.8
+0.3V
V
CC
2.2
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
30
4
30
22
30
22
–0.3
–0.3
–1
–1
12
2
2.5
2.5
2.5
2.5
CY62167DV30-70
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+0.3V
V
CC
+0.3V
0.6
0.8
+1
+1
25
4
25
22
30
22
A
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
MIN 。 TYP 。
[9]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[9]
MAX 。 UNIT
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
L
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE ， BLE ） ，V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
L
LL
I
SB2
注意事项：
6. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.全部设备交流操作需要线性V
CC
坡道从0到V
CC（分钟）
> = 500
s.
9.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05328牧师* E
第12页3
CY62167DV30
的MoBL
电容
[10, 11]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[10]
热阻
（结点到外壳）
[10]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
BGA
55
16
TSOP I
60
4.3
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[10]
t
R[12]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
L
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
LL
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
15
10
ns
ns
典型值。
[9]
马克斯。
单位
V
A
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[13]
V
CC
CE
1
or
BHE
.
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE2
注意事项：
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
11.这适用于所有的软件包。
12.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
13. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05328牧师* E
第12页4
CY62167DV30
的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[14]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[17]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[15, 16]
我们前高后低-Z
[15]
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[15]
OE高到高Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[15]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[15, 16]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[15]
BLE / BHE高到高阻
[15, 16]
10
20
0
55
55
10
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
70纳秒
马克斯。
单位
注意事项：
14.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
15.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
16. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
17.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05328牧师* E
第12页5
QQ：2880707522 复制
