CY62167DV20
MoBL2
16 MB（ 1024K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
宽电压范围： 1.65V到2.2V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 18毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48球FBGA封装提供
切换。该装置可被置于待机模式减少
耗电量的99％以上时，取消选择的芯片
启用1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低或两者
BHE和BLE的高。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
芯片使能1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低，
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH）或在
写操作（芯片使能1 （ CE
1
）低和芯片使能2
（ CE
2
）很高，我们LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）高和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则DAS
销（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）被写入到
指定位置上的广告
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）和高
输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）
HIGH 。如果低字节使能（ <>O
7
。如果高字节使能（ BHE ）
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
.
见真值表本数据手册的后面一个完整的
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62167DV20是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为1024K的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
TM
（的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1024K ×16
RAM阵列
2048 x 512 x 16
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯SemiconductorCorporation
文件编号： 38-05327牧师* B
3901北一街
SANJOSE
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年1月2日
CY62167DV20
MoBL2
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.........................................
0.2V
到V
CCmax
+ 0.2V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5.]
.........................
0.2V
到V
CCmax
+ 0.2V
直流输入电压
[4, 5.]
......................- 0.2V至V
CCmax
+ 0.2V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度（T
A
)
40
o
C至+ 85
o
C
V
CC
[6]
1.65V至2.2V
产品组合
功耗
工作， ICC（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62167DV20L
CY62167DV20LL
分钟。
1.65
1.65
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
2.2
2.2
速度
（纳秒）
55
70
55
70
1.5
5
F = 1 MHz的
典型值。
[7]
1.5
马克斯。
5
18
15
18
15
f = f
最大
典型值。
[7]
马克斯。
35
30
35
30
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[7]
2.5
2.5
2.5
2.5
马克斯。
40
40
30
30
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62167DV20-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
VCC = 2.2V ，
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
–1
18
1.5
2.5
2.5
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2
0.4
+1
+1
35
5
40
30
1.4
–0.2
–1
–1
15
1.5
2.5
2.5
典型值。
[7]
马克斯。
CY62167DV20-70
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2
0.4
+1
+1
30
5
40
30
A
典型值。
[7]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
掉电电流
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
LL
CMOS输入
＆ LT ; 0.2V ，女= F
最大
（地址
而仅数据） ， F = 0 （ OE ，
WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
掉电电流
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或LL
CMOS输入
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
=2.2V
I
SB2
2.5
2.5
40
30
2.5
2.5
40
30
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
4.
5.
6.
7.
8.
描述
输入电容
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。
V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和100
s
等待时间V后
cc
稳定。
典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
文件编号： 38-05327牧师* B
第10 3
CY62167DV20
MoBL2
热阻
参数
θ
JA
θ
JC
描述
热阻（结到
环境）
[8]
热阻（结到
案例）
[8]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层
印刷电路板
BGA
55
16
单位
C / W
C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
GND
C
L
= 30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
10%
R2
上升时间：
1 V / ns的
下降时间：
1 V / ns的
90%
90%
10%
TH
VENIN等效
R
TH
V
单位
V
1.8 V
1350 0
1080 0
6000
0.80
数据保持特性
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
典型值。
马克斯。
2.2
15
10
ns
ns
单位
V
A
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE .BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0V
V
CC（分钟）
t
R
注意事项：
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. BHE
.
BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05327牧师* B
第10 4
CY62167DV20
MoBL2
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
CY62167DV20-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[10]
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[14]
写周期时间
CE
1
低或CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
55
40
40
0
0
40
45
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低或CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE
1
低或CE
2
前高后低
CE
1
高或CE
2
从低到高
Z
[12]
Z
[12, 13]
0
55
55
10
20
5
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62167DV20-70
分钟。
马克斯。
单位
CE
1
低或CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[12]
BLE / BHE高到
高-Z
[12, 13]
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[15, 16]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
11.
测试条件假设2纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC(typ.)/2
， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
0 1
.
12.
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
13.
t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.
存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，
CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
.
15.设备不断选择。 OE ， CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
16.
WE
为高的读周期。
文件编号： 38-05327牧师* B
第10个5
CY62167DV20
MoBL2
16 MB（ 1024K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒和70纳秒
宽电压范围： 1.65V到2.2V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 18毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
采用48球FBGA封装提供
切换。该装置可被置于待机模式减少
耗电量的99％以上时，取消选择的芯片
启用1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低或两者
BHE和BLE的高。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过
I / O
15
）被置于高阻抗状态时：取消
芯片使能1 （ CE
1
）高或芯片使能2 （ CE
2
）低，
输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个高字节使能和
低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH）或在
写操作（芯片使能1 （ CE
1
）低和芯片使能2
（ CE
2
）很高，我们LOW ） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）高和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则DAS
销（A
0
至A
19
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）被写入到
指定位置上的广告
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）低和芯片使能2 （ CE
2
）和高
输出使能（ OE ）低，而强迫写使能（ WE）
HIGH 。如果低字节使能（ <>O
7
。如果高字节使能（ BHE ）
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
.
见真值表本数据手册的后面一个完整的
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62167DV20是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为1024K的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
TM
（的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
功耗降低99％时的地址是不
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
1024K ×16
RAM阵列
2048 x 512 x 16
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
赛普拉斯SemiconductorCorporation
文件编号： 38-05327牧师* B
3901北一街
SANJOSE
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年1月2日
CY62167DV20
MoBL2
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在.........................................
0.2V
到V
CCmax
+ 0.2V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5.]
.........................
0.2V
到V
CCmax
+ 0.2V
直流输入电压
[4, 5.]
......................- 0.2V至V
CCmax
+ 0.2V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度（T
A
)
40
o
C至+ 85
o
C
V
CC
[6]
1.65V至2.2V
产品组合
功耗
工作， ICC（毫安）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62167DV20L
CY62167DV20LL
分钟。
1.65
1.65
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
2.2
2.2
速度
（纳秒）
55
70
55
70
1.5
5
F = 1 MHz的
典型值。
[7]
1.5
马克斯。
5
18
15
18
15
f = f
最大
典型值。
[7]
马克斯。
35
30
35
30
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值。
[7]
2.5
2.5
2.5
2.5
马克斯。
40
40
30
30
DC电气特性
（在整个工作范围内）
CY62167DV20-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
VCC = 2.2V ，
I
OUT
= 0毫安，
CMOS电平
测试条件
I
OH
=
0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
–1
18
1.5
2.5
2.5
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2
0.4
+1
+1
35
5
40
30
1.4
–0.2
–1
–1
15
1.5
2.5
2.5
典型值。
[7]
马克斯。
CY62167DV20-70
分钟。
1.4
0.2
V
CC
+
0.2
0.4
+1
+1
30
5
40
30
A
典型值。
[7]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
掉电电流
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V, V
IN
LL
CMOS输入
＆ LT ; 0.2V ，女= F
最大
（地址
而仅数据） ， F = 0 （ OE ，
WE ， BHE和BLE ）
自动CE
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
掉电电流
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或LL
CMOS输入
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
=2.2V
I
SB2
2.5
2.5
40
30
2.5
2.5
40
30
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
4.
5.
6.
7.
8.
描述
输入电容
输出电容
测试条件
TA = 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
V
白细胞介素（分钟）
=
2.0V
对于脉冲持续时间小于20纳秒。
V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和100
s
等待时间V后
cc
稳定。
典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
文件编号： 38-05327牧师* B
第10 3
CY62167DV20
MoBL2
热阻
参数
θ
JA
θ
JC
描述
热阻（结到
环境）
[8]
热阻（结到
案例）
[8]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层
印刷电路板
BGA
55
16
单位
C / W
C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
GND
C
L
= 30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
相当于：
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
所有的输入脉冲
V
CC
典型值
10%
R2
上升时间：
1 V / ns的
下降时间：
1 V / ns的
90%
90%
10%
TH
VENIN等效
R
TH
V
单位
V
1.8 V
1350 0
1080 0
6000
0.80
数据保持特性
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.0V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; L
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V LL
0
t
RC
条件
分钟。
1.0
典型值。
马克斯。
2.2
15
10
ns
ns
单位
V
A
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE .BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0V
V
CC（分钟）
t
R
注意事项：
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. BHE
.
BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
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第10 4
CY62167DV20
MoBL2
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
CY62167DV20-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE[10]
t
HZBE
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
周期
[14]
写周期时间
CE
1
低或CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
55
40
40
0
0
40
45
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低或CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE
1
低或CE
2
前高后低
CE
1
高或CE
2
从低到高
Z
[12]
Z
[12, 13]
0
55
55
10
20
5
25
10
20
0
70
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
CY62167DV20-70
分钟。
马克斯。
单位
CE
1
低或CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[12]
BLE / BHE高到
高-Z
[12, 13]
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[15, 16]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
注意事项：
11.
测试条件假设2纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC(typ.)/2
， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
0 1
.
12.
在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
13.
t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.
存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，
CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
.
15.设备不断选择。 OE ， CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
16.
WE
为高的读周期。
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第10个5
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