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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第595页 > CY62158EV30LL-45BVXI
CY62158EV30的MoBL
8兆位（1024 K＆times 8 ）静态RAM
8兆位（1024 K＆times 8 ）静态RAM
特点
■
功能说明
该CY62158EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 1024K的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费。将器件置于待机模式可降低
功耗显著的时候取消（ CE
1
高或
CE
2
LOW ） 。八个输入和输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
)
被置于高阻抗状态时，该设备是
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁止
（ OE高） ，或写操作正在进行（ CE
1
低，
CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）然后被写入到指定的位置
在地址引脚（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和OE为低电平，同时迫使我们HIGH 。在这些
的条件下，存储位置的由指定的内容
地址引脚上出现的I / O引脚。看
第10页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20 V ， 3.60 V
引脚兼容CY62158DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 2
A
最大待机电流： 8
A
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05578牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二零一一年五月三十日
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ........... 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 0.4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 0.6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
读周期第1号（地址转换控制） 8 .....
读周期2号（ OE控制） .............................. 8
写周期号1 （我们控制） .............................. 9
写周期2号（ CE1或CE2控制） ................. 9
写周期第3号（我们控制， OE低） ............ 10
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义......................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 0.14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... ..15
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 38-05578牧师* G
第16页2
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
销刀豆网络gurations
[1]
48球VFBGA
顶视图
1
NC
NC
I / O
0
V
SS
V
CC
I / O
3
NC
A
18
2
OE
NC
NC
I / O
1
I / O
2
NC
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
NC
I / O
5
I / O
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
1
NC
NC
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
NC
NC
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
44引脚TSOP II
顶视图
A
5
A
6
A
7
OE
CE
2
A8
NC
NC
I / O
7
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
5
I / O
4
NC
NC
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
产品组合
功耗
产品
民
CY62158EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[2]
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05578牧师* G
第16页3
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度.............................. -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源应用......................................... -55°C至+ 125 ℃，
电源电压
地电位..........................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
..................... 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流输入电压
[3, 4]
.................. -0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
产品
CY62158EV30LL
范围
产业
环境
温度
(T
A
)
V
CC
[5]
-40 ° C至+85°C 2.2 V ， 3.6 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IIL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
F = 1 MHz的
I
SB1
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
45纳秒
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18
1.8
2
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3 V
V
CC
+ 0.3 V
0.6
0.8
+1
+1
25
3
8
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V ， CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60 V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2[7]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
–
2
8
A
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+为0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
7.芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05578牧师* G
第16页4
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
电容
参数
[8]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[8]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
48球BGA 44引脚TSOP II组
72
8.86
76.88
13.52
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
下降时间： 1 V / ns的
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05578牧师* G
第16页5
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
8兆位（ 1024K ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚与CY62158DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 2
A
- 最大待机电流： 8
A
超低有功功率
- 典型工作电流为1.8毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅48球VFBGA ， 44引脚TSOP II和
48引脚TSOP封装我
[1]
功能说明
[2]
该CY62158EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 1024K的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。将器件置于备用
模式可降低功耗显著的时候
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） 。在八进
输出引脚（ IO
0
通过IO
7
）被置于高阻抗
当设备被取消选中状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）
输出被禁用（ OE高） ，或写操作时
进度（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
HIGH ）和OE为低电平，同时迫使我们HIGH 。下
这些条件下，存储单元的内容
通过引脚上出现的IO引脚的地址来指定。见
“真值表”第8页
对于读取的完整说明和
写模式。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
WE
OE
数据驱动因素
行解码器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
1024K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A13
A14
笔记
1.对于48引脚TSOP I引脚配置和订购信息，请参阅CY62157EV30数据表。
2.最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
A17
A18
A15
A19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05578牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年4月19日
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
销刀豆网络gurations
[3]
48球VFBGA
顶视图
1
NC
NC
IO
0
V
SS
V
CC
IO
3
NC
A
18
2
OE
NC
NC
IO
1
IO
2
NC
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
NC
IO
5
IO
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
IO
4
V
CC
V
SS
IO
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
1
NC
NC
IO
0
IO
1
V
CC
V
SS
IO
2
IO
3
NC
NC
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
44引脚TSOPII
顶视图
A
5
A
6
A
7
OE
CE
2
A8
NC
NC
IO
7
IO
6
V
SS
V
CC
IO
5
IO
4
NC
NC
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
产品组合
功耗
产品
民
CY62158EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[4]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[4]
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[4]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[4]
2
最大
8
笔记
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05578牧师* D
第11 2
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[5, 6]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
产品
范围
环境
温度
(T
A
)
V
CC
[7]
CY62158EV30LL工业
-40 ° C至+ 85°C 2.2V - 3.6V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IIL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
18
1.8
2
45纳秒
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
0.6
0.8
+1
+1
25
3
8
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2[8]
2
8
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05578牧师* D
第11 3
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
76.88
13.52
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
下降时间： 1 V / ns的
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR[8]
t
CDR[9]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V
或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.5
2
5
典型值
[4]
最大
单位
V
A
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
ns
ns
数据保存波形
V
CC
CE
1
V
CC
闵
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5V
V
CC
闵
t
R
or
CE
2
记
10.完整的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
文件编号： 38-05578牧师* D
第11 4
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[12]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05578牧师* D
第11个5
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
8兆位（ 1024K ×8 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚与CY62158DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 2
A
- 最大待机电流： 8
A
超低有功功率
- 典型工作电流为1.8毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅48球VFBGA ， 44引脚TSOP II和
48引脚TSOP封装我
[1]
功能说明
[2]
该CY62158EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位， 1024K的话。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。将器件置于备用
模式可降低功耗显著的时候
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） 。在八进
输出引脚（ IO
0
通过IO
7
）被置于高阻抗
当设备被取消选中状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）
输出被禁用（ OE高） ，或写操作时
进度（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据
IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
19
).
从设备读取，以芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
HIGH ）和OE为低电平，同时迫使我们HIGH 。下
这些条件下，存储单元的内容
通过引脚上出现的IO引脚的地址来指定。见
“真值表”第8页
对于读取的完整说明和
写模式。
逻辑框图
CE1
CE2
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
WE
OE
数据驱动因素
行解码器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
1024K ×8
ARRAY
列解码器
动力
下
IO7
A13
A14
笔记
1.对于48引脚TSOP I引脚配置和订购信息，请参阅CY62157EV30数据表。
2.最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
“系统设计指南”
at
http://www.cypress.com 。
A16
A17
A18
A15
A19
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05578牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年4月19日
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
销刀豆网络gurations
[3]
48球VFBGA
顶视图
1
NC
NC
IO
0
V
SS
V
CC
IO
3
NC
A
18
2
OE
NC
NC
IO
1
IO
2
NC
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
NC
IO
5
IO
6
NC
WE
A
11
6
CE
2
NC
IO
4
V
CC
V
SS
IO
7
NC
A
19
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
1
NC
NC
IO
0
IO
1
V
CC
V
SS
IO
2
IO
3
NC
NC
WE
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
44引脚TSOPII
顶视图
A
5
A
6
A
7
OE
CE
2
A8
NC
NC
IO
7
IO
6
V
SS
V
CC
IO
5
IO
4
NC
NC
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
产品组合
功耗
产品
民
CY62158EV30LL
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[4]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[4]
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[4]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[4]
2
最大
8
笔记
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05578牧师* D
第11 2
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位-0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[5, 6]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
产品
范围
环境
温度
(T
A
)
V
CC
[7]
CY62158EV30LL工业
-40 ° C至+ 85°C 2.2V - 3.6V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IIL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
F = 1 MHz的
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
18
1.8
2
45纳秒
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
0.6
0.8
+1
+1
25
3
8
典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2[8]
2
8
A
电容
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05578牧师* D
第11 3
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
2层印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
76.88
13.52
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
下降时间： 1 V / ns的
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR[8]
t
CDR[9]
t
R[10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V
或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.5
2
5
典型值
[4]
最大
单位
V
A
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
ns
ns
数据保存波形
V
CC
CE
1
V
CC
闵
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5V
V
CC
闵
t
R
or
CE
2
记
10.完整的设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
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第11 4
[+ ]反馈
CY62158EV30的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[14]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[12, 13]
WE高到低Z
[12]
10
45
35
35
0
0
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[12]
OE高到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[12]
CE
1
高或CE
2
低到高Z
[12, 13]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高或CE
2
低到掉电
0
45
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图
“交流测试负载和波形”第4页。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
13. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
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CD4621
CD54HC126_08
C192G102B2CK5CP
CP1E-N60DT1-D
CY7C1415BV18-278BZXC
CLC426AIB
CPE-171
CCF-5523R7FKE36
CCF5523R7FKE36
CPC1945G
CLVC1G32MDCKREPG4
CMD8RNP-471MC
CY7C1248V18
CY22391LFXC-XXX
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    -
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