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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第953页 > CY62157EV30LL-45BVI
CY62157EV30的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
TSOP封装我配置为512K ×16或1M ×8
SRAM
高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚与CY62157DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 2
A
- 最大待机电流： 8
A
（工业级）
超低有功功率
- 典型工作电流为1.8毫安， F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可在这两种无铅和无无铅48球VFBGA ，
无铅44引脚TSOP II和48引脚TSOP封装我
降低了当地址不切换功率消耗。
将设备进入待机模式，当取消（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的高） 。输入
或输出引脚（ IO
0
通过IO
15
）被放置在一个高
当阻抗状态：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作是有效的（ CE
1
低，CE
2
高和WE
低）
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
8
通过IO
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
出现在IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则
从内存中的数据出现在IO
8
到IO
15
。见
[真相
表“第10页
用于读写的完整说明
模式。
功能说明
[1]
该CY62157EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K × 16 / 1M ×8
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
字节
BHE
WE
OE
BLE
笔记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05445牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年5月7日
CY62157EV30的MoBL
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62157EV30LL
Ind'l /自动-A
2.2V
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
45
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
典型值
[2]
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
2
最大
8
引脚配置
下面的图片展示了44针TSOP II和48引脚TSOP I引脚。
[3, 4, 5]
44引脚TSOP II
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48引脚TSOP I（ 512K ×16 / 1M ×8 ）
顶视图
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
IO15/A19
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
OE
VSS
CE1
A0
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4. 44 - TSOP II封装只有一个芯片使能（ CE）引脚。
5.在48 - TSOP封装我的BYTE引脚接到高电平使用该设备作为一个512K × 16的SRAM 。 48- TSOP I包还可以用作1M ×8的
SRAM通过捆绑的字节信号为低电平。在1M ×8配置，引脚45是A19 ，而BHE ， BLE和IO8至IO14引脚未使用（ DNU ） 。
文件编号： 38-05445牧师* E
第14页2
CY62157EV30的MoBL
引脚配置
（续）
下图为48球VFBGA引脚排列。
[3, 4, 5]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
文件编号： 38-05445牧师* E
第14页3
CY62157EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的电池寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................- 0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[6, 7]
................- 0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[6, 7]
........... -0.3V至3.9V （V
CC MAX
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[8]
2.20V至
3.60V
CY62157EV30LL Ind'l /自动在-40°C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
F = 1 MHz的
I
SB1
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
18
1.8
2
测试条件
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
25
3
8
mA
A
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
CC
工作电流f = F
最大
= 1/t
RC
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ） ，V
CC
= 3.60V
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
电流 - CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.60V
I
SB2 [9]
2
8
A
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
6. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.全面的设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
9.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节（48 TSOP我只）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他
输入端可以悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05445牧师* E
第14页4
CY62157EV30的MoBL
热阻
[10]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
BGA
72
8.86
TSOP I
74.88
8.6
TSOP II
76.88
13.52
单位
° C / W
° C / W
热电阻静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，
（结点到环境温度）的双层印刷电路板
热阻
（结点到外壳）
交流测试负载和波形
图1. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
2.5V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR [9]
t
CDR的[10]
t
R [11]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
0
t
RC
条件
民
1.5
2
5
典型值
[2]
最大单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[12]
图2.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE.BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
11.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
12. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 38-05445牧师* E
第14页5
CY62157EV30的MoBL
8兆位（ 512K的× 16 ）静态RAM
8兆位（ 512K的× 16 ）静态RAM
特点
■
■
■
功能说明
该CY62157EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
取消当进入待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入或输出引脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时的
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低） ，则输出
禁用（ OE高） ，高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作是活动的（ CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
）是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。看
第13页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
薄型小尺寸封装（ TSOP ）我包配置为
512 K＆times 16或1M ×8静态RAM（SRAM ）
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+85°C
汽车-A ： -40°C至+85°C
汽车-E ： -40°C至+125°C
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
引脚兼容CY62157DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 2
A
最大待机电流： 8
A
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅和无无铅48球非常细间距球
栅阵列（ VFBGA ） ，无铅44引脚TSOP II和48引脚TSOP I
套餐
■
■
■
■
■
■
■
■
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
有512K × 16/1米乘八
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
CE
2
字节
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05445牧师* I
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二零一一年五月三十日
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 0.4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 0.6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
读周期第1号（地址转换控制） 8 .....
读周期2号（ OE控制） .............................. 8
写周期号1 （我们控制） .............................. 9
写周期2号（ CE1或CE2控制） .............. 10
写周期NO 。 4
（ BHE / BLE控制， OE低） ...................................... 12
真值表................................................ ...................... 13
订购信息................................................ ...... 14
订购代码定义......................................... 14
包图................................................ .......... 15
与缩略语................................................. ....................... 18
文档约定................................................ 0.18
计量单位............................................... ........ 18
文档历史记录页............................................... ..19
销售，解决方案和法律信息...................... 21
全球销售和设计支持....................... 21
产品................................................. ................... 21
的PSoC解决方案................................................ ......... 21
文件编号： 38-05445牧师* I
第21 2
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
引脚配置
图1. 48球VFBGA （顶视图）
[1]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
图2. 44针TSOP II （顶视图）
[2]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
V
SS
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
A
18
NC
A
8
A
12
A
9
图3. 48引脚TSOP I（ 512 K＆times 16/1米×8 ） （俯视图）
[1, 3]
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
I/O15/A19
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
I/O12
I/O4
VCC
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
I/O8
I/O0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62157EV30LL
工业/汽车-A
自动-E
2.2
2.2
典型值
[4]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（毫安）
F = 1 MHz的
典型值
[4]
1.8
1.8
最大
3
4
f = f
最大
典型值
[4]
18
18
最大
25
35
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[4]
2
2
最大
8
30
笔记
1. NC引脚没有连接上模具。
2. 44引脚TSOP II封装只有一个芯片使能（ CE）引脚。
3.在48引脚TSOP封装我的BYTE引脚必须连接到高电平以使用该设备作为一个有512K × 16的SRAM 。 48脚TSOP余包还可以用作1为M× 8
SRAM通过捆绑的字节信号为低电平。在1米×8配置，引脚45是A19 ，而BHE ， BLE和I / O
8
到I / O
14
引脚未使用（ NC） 。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05445牧师* I
第21 3
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................ -55 ° C至+ 125 °
电源电压对地
潜在.............................- 0.3 V至3.9 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
............- 0.3 V至3.9 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流输入电压
[5, 6]
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... .... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[7]
CY62157EV30LL工业/ -40 ° C至+85°C 2.2 V至3.6 V
自动-A
自动-E
-40 ° C至+125°C
........ 0.3 V至3.9 V（V
CC MAX
+ 0.3 V)
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
> 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
45纳秒（工业/
自动-A ）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[8]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18
1.8
2
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
25
3
8
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
–
–
–
55纳秒（自动-E ）
民
典型值
[8]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18
1.8
2
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4
30
mA
A
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
I
SB1 [9]
自动电源CE认证CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2
V或CE
2
< 0.2 V
断电流 - 或者CMOS （ BHE和BLE ） > V
CC
– 0.2 V,
输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （OE和WE ），V
CC
= 3.60 V
自动电源CE认证CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V
断电流 - 或者CMOS （ BHE和BLE ） > V
CC
– 0.2 V,
输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2 [9]
–
2
8
–
2
30
A
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
9.芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（ BHE和BLE ）和字节（ 48引脚TSOP我只）需要被连接到CMOS电平，以满足我
SB1
/ I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他
输入端可以悬空。
文件编号： 38-05445牧师* I
第21 4
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
电容
参数
[10]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[10]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5
寸，双层印刷电路
板
48球BGA
72
8.86
44引脚TSOP I 44针TSOP II组
74.88
8.6
76.88
13.52
° C / W
° C / W
图4.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V
16667
15385
8000
1.20
记
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05445牧师* I
第21 5
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
TSOP I包配置为512K ×16或1M ×8 SRAM
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
汽车-E ： -40°C至+ 125°C
宽电压范围： 2.20V到3.60V
引脚兼容CY62157DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 2
μA
最大待机电流： 8
μA
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅和无无铅48球VFBGA无铅
44引脚TSOP II和48引脚TSOP封装我
■
■
■
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
取消当进入待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入或输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被置于高阻抗状态时的
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低） ，则输出
禁用（ OE高） ，高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作是活动的（ CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在IO
8
到IO
15
。见
第10页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62157EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据驱动因素
512K × 16 / 1M ×8
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
字节
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05445牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年6月26日
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
引脚配置
图1. 48球VFBGA （顶视图）
[2]
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
图2. 44针TSOP II （顶视图）
[3]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
图3. 48引脚TSOP I（ 512K ×16 / 1M ×8 ） （俯视图）
[2, 4]
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
DNU
WE
CE2
DNU
BHE
BLE
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
VSS
IO15/A19
IO7
IO14
IO6
IO13
IO5
IO12
IO4
VCC
IO11
IO3
IO10
IO2
IO9
IO1
IO8
IO0
OE
VSS
CE1
A0
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62157EV30LL
Ind'l /自动-A
自动-E
2.2
2.2
典型值
[1]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45
55
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（毫安）
F = 1 MHz的
典型值
[1]
1.8
1.8
最大
3
4
f = f
最大
典型值
[1]
18
18
最大
25
35
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[1]
2
2
最大
8
30
笔记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
2. NC引脚未连接的芯片。
3. 44 - TSOP II封装只有一个芯片使能（ CE）引脚。
4.在48 - TSOP封装我的BYTE引脚必须连接到高电平以使用该设备作为一个512K × 16的SRAM 。 48- TSOP I包还可以用作1M ×8的
SRAM通过捆绑的字节信号为低电平。在1M ×8配置，引脚45是A19 ，而BHE ， BLE和IO8至IO14引脚未使用（ DNU ） 。
文件编号： 38-05445牧师* F
分页： 15 2
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................... -0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
............... -0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[5, 6]
........... -0.3V至3.9V （V
CC MAX
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... .... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
[7]
2.2V至
3.6V
CY62157EV30LL Ind'l /自动在-40°C至+ 85°C
自动-E
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
18
1.8
2
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
25
3
8
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
18
1.8
2
典型值
[1]
最大
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4
30
mA
μA
55纳秒（自动-E ）
典型值
[1]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V ，CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB1
I
SB2 [8]
2
8
2
30
μA
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
） ，字节使能（BHE和BLE）和字节（48 TSOP我只）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他投入
可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05445牧师* F
第15 3
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
BGA
72
8.86
TSOP I
74.88
8.6
TSOP II
76.88
13.52
单位
° C / W
° C / W
热电阻静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，
（结点到环境温度）的双层印刷电路板
热阻
（结点到外壳）
图4.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
文件编号： 38-05445牧师* F
第15 4
[+ ]反馈
CY62157EV30的MoBL
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR [8]
t
CDR的[9]
t
R [10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V ，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
CE
2
＆ LT ; 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
1.5
2
5
30
ns
ns
典型值
[1]
最大单位
V
μA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
图5.数据保存波形
[11]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE.BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
10.完整的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
11. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 38-05445牧师* F
第15个5
[+ ]反馈
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