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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1227页 > CY62157EV18LL-55BVXI
CY62157EV18的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒
宽电压范围： 1.65V - 2.25V
引脚兼容CY62157DV18和CY62157DV20
超低待机功耗
- 典型待机电流： 2
A
- 最大待机电流： 8
A
超低有功功率
- 典型工作电流为1.8毫安， F = 1兆赫
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS最佳的速度和力量
提供无铅48球VFBGA封装
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）是
置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH）或
写操作是有效的（ CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
通过采取芯片使写入设备（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
8
通过IO
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读取采取芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚上出现IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
然后从内存中的数据出现在IO
8
到IO
15
。见
[真相
表“第9页
用于读写的完整说明
模式。
功能说明
[1]
该CY62157EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
该设备还可以置于待机模式时
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
速度
（纳秒）
最大
2.25
55
典型值
[2]
1.8
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
民
CY62157EV18
1.65
典型值
[2]
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统
设计指南“
位于
http://www.cypress.com 。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05490牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月30日
[+ ]反馈
CY62157EV18的MoBL
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
A
16
A
17
A
18
CE
2
CE
1
OE
BLE
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
引脚配置
[3]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
记
3. NC引脚没有连接上的芯片。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页2
[+ ]反馈
CY62157EV18的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在...............................- 0.2V至2.45V （V
CCmax
+ 0.2V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
..............- 0.2V至2.45V （V
CCmax
+ 0.2V)
直流输入电压
[4, 5]
......... -0.2V至2.45V （V
CCmax
+ 0.2V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[6]
CY62157EV18LL工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
–1
18
1.8
2
55纳秒
民
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
25
3
8
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
自动CEPower向下CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V
或CE
2
＆ LT ; 0.2V
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
.
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
.
I
SB2 [7]
2
8
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页3
[+ ]反馈
CY62157EV18的MoBL
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
BGA
72
8.86
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
3V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
价值
13500
10800
6000
0.80
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[8]
t
R [9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
CE
2
< 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.0
1
3
典型值
[2]
最大
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE.BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页4
[+ ]反馈
CY62157EV18的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11, 12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE [15]
t
HZBE
写周期
[16]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高来高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[13]
CE
1
高和CE
2
从低到高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高来高-Z
[13, 14]
10
18
0
55
55
10
18
5
18
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
55纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
12. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参见应用笔记AN13842进一步
澄清。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.如果两个字节使能触发在一起，此值是10纳秒。
16.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动发起
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间必须参考信号的边沿即
结束写入。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页5
[+ ]反馈
CY62157EV18的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 55纳秒
宽电压范围： 1.65V - 2.25V
引脚兼容CY62157DV18和CY62157DV20
超低待机功耗
- 典型待机电流： 2
A
- 最大待机电流： 8
A
超低有功功率
- 典型工作电流为1.8毫安， F = 1兆赫
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS最佳的速度和力量
提供无铅48球VFBGA封装
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE的
HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）是
置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH）或
写操作是有效的（ CE
1
低，CE
2
高和WE
低） 。
通过采取芯片使写入设备（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
8
通过IO
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读取采取芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
高）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚上出现IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
然后从内存中的数据出现在IO
8
到IO
15
。见
[真相
表“第9页
用于读写的完整说明
模式。
功能说明
[1]
该CY62157EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
该设备还可以置于待机模式时
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
速度
（纳秒）
最大
2.25
55
典型值
[2]
1.8
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
民
CY62157EV18
1.65
典型值
[2]
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统
设计指南“
位于
http://www.cypress.com 。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05490牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年3月30日
CY62157EV18的MoBL
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
A
16
A
17
A
18
CE
2
CE
1
OE
BLE
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
引脚配置
[3]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
A
18
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
记
3. NC引脚没有连接上的芯片。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页2
CY62157EV18的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在...............................- 0.2V至2.45V （V
CCmax
+ 0.2V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
..............- 0.2V至2.45V （V
CCmax
+ 0.2V)
直流输入电压
[4, 5]
......... -0.2V至2.45V （V
CCmax
+ 0.2V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ..... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[6]
CY62157EV18LL工业-40 ° C至+ 85°C 1.65V到2.25V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65V到2.25V
V
CC
= 1.65V到2.25V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 1.65V
1.4
–0.2
–1
–1
18
1.8
2
55纳秒
民
1.4
0.2
V
CC
+ 0.2V
0.4
+1
+1
25
3
8
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
自动CEPower向下CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2V
或CE
2
＆ LT ; 0.2V
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
.
自动CE掉电CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
目前， CMOS输入
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
.
I
SB2 [7]
2
8
A
电容
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
7.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页3
CY62157EV18的MoBL
热阻
[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
BGA
72
8.86
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
3V
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
产量
V
价值
13500
10800
6000
0.80
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[8]
t
R [9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
，CE
1
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
CE
2
< 0.2V ，V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
民
1.0
1
3
典型值
[2]
最大
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
[10]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE.BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.0V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
10. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页4
CY62157EV18的MoBL
开关特性
（在整个工作范围内）
[11, 12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE [15]
t
HZBE
写周期
[16]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[13, 14]
我们前高后低-Z
[13]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[13]
OE高来高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
前高后低-Z
[13]
CE
1
高和CE
2
从低到高-Z
[13, 14]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[13]
BLE / BHE高来高-Z
[13, 14]
10
18
0
55
55
10
18
5
18
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
55纳秒
民
最大
单位
笔记
11.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1V / ns以下的信号过渡时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
12. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参见应用笔记AN13842进一步
澄清。
13.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
14. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
15.如果两个字节使能触发在一起，此值是10纳秒。
16.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动发起
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的建立和保持时间必须参考信号的边沿即
结束写入。
文件编号： 38-05490牧师* D
第12页5
CY62157EV18的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
8位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
■
超高速： 55纳秒
宽电压范围： 1.65 V ， 2.25 V
引脚CY62157DV18和CY62157DV20兼容
超低待机功耗
典型待机电流： 2
A
最大待机电流： 8
A
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅48球非常细间距球栅阵列
（ VFBGA ）封装
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。该设备可以
也可置于待机模式时，取消（ CE
1
高或
CE
2
LOW或两者BHE和BLE的高） 。输入和输出
引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态
时：
■
■
■
■
取消选择（ CE
1
高或CE
2
低）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE HIGH）或
写操作有效（ CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
■
■
■
■
■
通过采取芯片使写入设备（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
通过
A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚上的数据
（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读取采取芯片启用（ CE
1
低，
CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在I / O
8
到I / O
15
。见
“真值表”
on
第11页的读写模式的完整描述。
功能说明
该CY62157EV18是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
速度
（纳秒）
典型值
[1]
55
1.8
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
民
CY62157EV18
1.65
典型值
[1]
1.8
最大
2.25
最大
3
f = f
最大
典型值
[1]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[1]
2
最大
8
记
1.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05490牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月29日
CY62157EV18的MoBL
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
A
17
A
18
A
16
CE
2
CE
1
OE
BLE
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
文件编号： 38-05490牧师* H
第16页2
CY62157EV18的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 4
最大额定值................................................ ............. 5
经营范围................................................ ............... 5
电气特性................................................ 5
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 6
交流测试负载和波形....................................... 6
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ..................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ .......... 13
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录................................................ ........... 15
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 38-05490牧师* H
第16页3
CY62157EV18的MoBL
引脚配置
[2]
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
V
SS
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
A
18
NC
A
8
A
12
A
9
记
2. NC引脚未连接的芯片。
文件编号： 38-05490牧师* H
第16页4
CY62157EV18的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在............................- 0.2 V至2.45 V（V
CCmax
+ 0.2 V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3, 4]
...........- 0.2 V至2.45 V（V
CCmax
+ 0.2 V)
直流输入电压
[3, 4]
....... -0.2 V至2.45 V（V
CCmax
+ 0.2 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001年V
（符合MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
范围
环境
温度
V
CC
[5]
CY62157EV18LL工业-40 ° C至+85°C 1.65 V至2.25 V
电气特性
（在整个工作范围内）
55纳秒
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
工作电源电流
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 1.65 V至2.25 V
V
CC
= 1.65 V至2.25 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
=
V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC
= 1.65 V
V
CC
= 1.65 V
民
1.4
–
1.4
–0.2
–1
–1
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
18
1.8
最大
–
0.2
V
CC
+ 0.2 V
0.4
+1
+1
25
3
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
SB1[7]
CE自动断电
目前， CMOS输入
CE
1
＆ GT ; V
CC
0.2
V或CE
2
< 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ） ，V
CC
=
V
CC（ MAX）的
.
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或CE
2
< 0.2 V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
.
–
2
8
A
I
SB2 [7]
CE自动断电
目前， CMOS输入
–
2
8
A
电容
参数
[8]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
7.芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB1
/I
SB2
/I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05490牧师* H
第16页5
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