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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1262页 > CY62157ESL-45ZSXI
CY62157ESL的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V和4.5 V至5.5 V
超低待机功耗
典型待机电流： 2
A
最大待机电流： 8
A
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II
包
■
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
进入待机模式，当取消（ CE为高或都和BHE
BLE是HIGH ） 。的输入或输出引脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时，装置的选择取消
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE高） ，无论是字节
启用高和低字节使能禁用（ BHE ， BLE
HIGH ）或有效写操作过程中（低CE和WE
低） 。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第11页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
■
■
■
■
功能说明
该CY62157ESL是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
掉电
电路
CE
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
15
BLE
A
14
A
17
A
18
A
16
BHE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-43141修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年6月29日
CY62157ESL的MoBL
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
数据保持特性....................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
包图................................................ ............ 13
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 001-43141修订版* C
第16页2
CY62157ESL的MoBL
引脚配置
图1. 44针TSOP II （顶视图）
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
[1]
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
典型值
[2]
CY62157ESL
产业
2.2 V ， 3.6 V和4.5 V ， 5.5 V
45
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1.数据表规格不保证V
CC
在3.6 V至4.5 V的范围内
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= 3伏，和V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-43141修订版* C
第16页3
CY62157ESL的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
储存温度.................................- 65 ° C至+150°C
环境温度与
电源应用...........................................- 55 ° C至+125°C
电源电压对地电位............... -0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3, 4]
.........................................- 0.5 V至6.0 V
DC输入
电压
[3, 4]
......................................- 0.5 V至6.0 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62157ESL
范围
环境
温度
V
CC
[5]
2.2 V–3.6 V,
和4.5 V- 5.5 V
工业-40 ° C至+85°C
电气特性
在整个工作范围
45纳秒
参数
V
OH
描述
输出高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
OL
输出低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IH
输入高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IL
输入低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
民
2.0
2.4
2.4
–
–
–
1.8
2.2
2.2
–0.3
–0.3
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18
1.8
2
最大
–
–
–
0.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.5
0.6
0.8
0.8
+1
+1
25
3
8
A
A
A
mA
V
V
V
单位
V
I
SB1[7]
I
SB2[7]
自动电源CE认证
CE > V
CC
0.2
V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
断电流 - CMOS F = F
最大
（地址和数据只） ，
输入
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ） ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
自动电源CE认证
CE > V
CC
– 0.2 V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
断电流 - CMOS F = 0 ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
输入
–
2
8
A
笔记
3. V
IL
（分钟）= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= 3伏，和V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 °C.
7.芯片使能（CE ）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB1
/I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-43141修订版* C
第16页4
CY62157ESL的MoBL
电容
参数
[8]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[8]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
TSOP II
77
13
单位
° C / W
° C / W
图2.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
5.0 V
1800
990
639
1.77
单位
V
记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
.
文件编号： 001-43141修订版* C
第16页5
CY62157ESL的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2V - 3.6V和4.5V - 5.5V
超低待机功耗
典型待机电流： 2
μA
最大待机电流： 8
μA
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅44引脚TSOP II封装
进入待机模式，当取消（ CE为高或都和BHE
BLE是HIGH ） 。的输入或输出引脚（IO
0
通过IO
15
）是
置于高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
第10页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62157ESL是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
掉电
电路
CE
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
13
A
15
A
11
BLE
A
14
A
17
A
18
A
16
BHE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-43141修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年1月4日
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
引脚配置
图1. 44针TSOP II （顶视图）
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
[1]
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
典型值
[2]
CY62157ESL
产业
2.2V - 3.6V和4.5V - 5.5V
45
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1.数据表规格不保证V
CC
在3.6V至4.5V的范围内。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= 3V ，且V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C.
文件编号： 001-43141修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位..................- 0.5V至6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3, 4]
...........................................- 0.5V至6.0V
直流输入电压
[3, 4]
........................................- 0.5V至6.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62157ESL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[5]
2.2V–3.6V,
和
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
45纳秒
参数
V
OH
描述
输出高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
OL
输出低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IH
输入高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IL
输入低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
2.2
–0.3
–0.3
–0.5
–1
–1
18
1.8
2
民
2.0
2.4
2.4
0.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.5
0.6
0.8
0.8
+1
+1
25
3
8
μA
μA
μA
mA
V
V
V
典型值
[2]
最大
单位
V
I
SB1
I
SB2
自动电源CE认证
CE > V
CC
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
断电流 - CMOS F = F
最大
（地址和数据只） ，
输入
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ） ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
自动电源CE认证
CE > V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
断电流 - CMOS F = 0 ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
输入
2
8
μA
笔记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 001-43141修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
TSOP II
77
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
5.0V
1800
990
639
1.77
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
文件编号： 001-43141修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[6]
t
R [7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
CC
= 1.5V
V
CC
= 2.0V
0
t
RC
条件
民
1.5
2
2
5
8
ns
ns
典型值
[2]
最大
单位
V
μA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
[8]
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 001-43141修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2V - 3.6V和4.5V - 5.5V
超低待机功耗
典型待机电流： 2
μA
最大待机电流： 8
μA
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅44引脚TSOP II封装
进入待机模式，当取消（ CE为高或都和BHE
BLE是HIGH ） 。的输入或输出引脚（IO
0
通过IO
15
）是
置于高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
第10页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62157ESL是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
掉电
电路
CE
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
13
A
15
A
11
BLE
A
14
A
17
A
18
A
16
BHE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-43141修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年1月4日
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
引脚配置
图1. 44针TSOP II （顶视图）
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
[1]
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
典型值
[2]
CY62157ESL
产业
2.2V - 3.6V和4.5V - 5.5V
45
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(μA)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1.数据表规格不保证V
CC
在3.6V至4.5V的范围内。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= 3V ，且V
CC
= 5V ，T
A
= 25°C.
文件编号： 001-43141修订版**
第12页2
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位..................- 0.5V至6.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3, 4]
...........................................- 0.5V至6.0V
直流输入电压
[3, 4]
........................................- 0.5V至6.0V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压............................................ >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
CY62157ESL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[5]
2.2V–3.6V,
和
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
45纳秒
参数
V
OH
描述
输出高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
OL
输出低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IH
输入高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IL
输入低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
1.8
2.2
2.2
–0.3
–0.3
–0.5
–1
–1
18
1.8
2
民
2.0
2.4
2.4
0.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.5
0.6
0.8
0.8
+1
+1
25
3
8
μA
μA
μA
mA
V
V
V
典型值
[2]
最大
单位
V
I
SB1
I
SB2
自动电源CE认证
CE > V
CC
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
断电流 - CMOS F = F
最大
（地址和数据只） ，
输入
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ） ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
自动电源CE认证
CE > V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
断电流 - CMOS F = 0 ，V
CC
= V
CC（ MAX）的
输入
2
8
μA
笔记
3. V
IL
（分钟） = -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 001-43141修订版**
第12页3
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
TSOP II
77
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
5.0V
1800
990
639
1.77
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
文件编号： 001-43141修订版**
第12页4
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR的[6]
t
R [7]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
V
CC
= 1.5V
V
CC
= 2.0V
0
t
RC
条件
民
1.5
2
2
5
8
ns
ns
典型值
[2]
最大
单位
V
μA
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
[8]
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
8. BHE.BLE既BHE和BLE的和。无论是通过禁用芯片取消芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE 。
文件编号： 001-43141修订版**
第12页5
[+ ]反馈
CY62157ESL的MoBL
8兆位（ 512K的× 16 ）静态RAM
8兆位（ 512K的× 16 ）静态RAM
特点
■
■
■
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.2 V至3.6 V和4.5 V至5.5 V
超低待机功耗
典型待机电流： 2
A
最大待机电流： 8
A
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅44引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II
包
地址不切换。将设备进入待机模式
取消的时候（ CE为高或都BHE和BLE的高） 。
的输入或输出引脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个高
当取消选择器件（CE高电平）阻抗状态时，
输出被禁止（ OE高） ，无论是高字节使能和
在低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在
积极的写操作（ CE LOW和WE低）。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第11页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
该CY62157ESL装置适用于与接口
具有TTL I / P级别的处理器。它是不适合于
需要CMOS I / P级别的处理器。请参阅
电动
第4页特性
有关详细信息，并建议
替代品。
■
■
■
■
■
功能说明
该CY62157ESL是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用程序。该设备还具有自动断电
功能，可显著降低功耗，当
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512 K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
掉电
电路
CE
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
15
BLE
A
14
A
16
A
17
A
18
BHE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-43141修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2013年6月4日
CY62157ESL的MoBL
目录
引脚配置................................................ ........... 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性....................................... 6
数据保存波形............................................... 6
开关特性................................................ 7
开关波形................................................ ...... 8
真值表................................................ ...................... 11
订购信息................................................ ...... 12
订购代码定义......................................... 12
包图................................................ ............ 13
与缩略语................................................. ....................... 14
文档约定................................................ 14
计量单位............................................... ........ 14
文档历史记录页............................................... 15 ..
销售，解决方案和法律信息...................... 17
全球销售和设计支持....................... 17
产品................................................. ................... 17
的PSoC解决方案................................................ ......... 17
文件编号： 001-43141修订版* E
第17页2
CY62157ESL的MoBL
销刀豆网络gurations
图1. 44引脚TSOP II引脚分配（顶视图）
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
[1]
速度
（纳秒）
45
我的操作
CC
（毫安）
F = 1MHz的
典型值
[2]
CY62157ESL
工业2.2 V ， 3.6 V和4.5 V ， 5.5 V
1.8
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
18
最大
25
待机情况下，我
SB2
(A)
典型值
[2]
2
最大
8
笔记
1.数据表规格不保证V
CC
在3.6 V至4.5 V的范围内
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= 3伏，和V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 °C.
文件编号： 001-43141修订版* E
第17页3
CY62157ESL的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源应用......................................... -55°C至+ 125 ℃，
电源电压对地电位...............- 0.5 V至6.0 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3, 4]
........................................- 0.5 V至6.0 V
直流输入电压
[3, 4]
....................................- 0.5 V至6.0 V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压
（ MIL -STD -883方法3015 ） ................................. >2001 V
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62157ESL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
[5]
2.2 V–3.6 V,
和
4.5 V–5.5 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
4.5 < V
CC
< 5.5
V
OL
输出低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IH
输入高电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
V
IL
输入低电压
2.2 < V
CC
＆ LT ; 2.7
2.7 < V
CC
< 3.6
4.5 < V
CC
< 5.5
I
IX
I
OZ
I
CC
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
I
SB1[8]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
45纳秒
民
2.0
2.4
2.4
–
–
–
–
1.8
2.2
2.2
–0.3
–0.3
–0.5
–1
–1
–
–
–
典型值
[6]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
18
1.8
2
最大
–
–
–
3.4
[7]
0.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.5
0.6
0.8
0.8
+1
+1
25
3
8
A
A
A
mA
V
V
V
单位
V
CE > V
CC
0.2
V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= V
CC（ MAX）的
CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
SB2[8]
CE自动断电
电流 - CMOS输入
–
2
8
A
笔记
3. V
IL
（分钟）= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
6.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= 3伏，和V
CC
= 5 V ，T
A
= 25 °C.
7.请注意，最大V
OH
限制不超过最低CMOS V
IH
3.5 V.如果你是这个接口与SRAM需要一个5 V传统处理器
最小V
IH
3.5 V，请参考应用笔记
AN6081
对于技术细节，你可以考虑的选项。
8.芯片使能（CE ）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB1
/I
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 001-43141修订版* E
第17页4
CY62157ESL的MoBL
电容
参数
[9]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[9]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止空气中，焊接一个3 × 4.5英寸， 2层印刷电路上
板
TSOP II
77
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图2.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V
16667
15385
8000
1.20
3.0 V
1103
1554
645
1.75
5.0 V
1800
990
639
1.77
单位
V
记
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
.
文件编号： 001-43141修订版* E
第17页5
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