CY62157CV25/30/33
的MoBL
512K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
电压范围：
- CY62157CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62157CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62157CV33 ： 3.0V - 3.6V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
dese-时功耗降低了99％以上的
lected （ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或
CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从数据
I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入的位置试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低和芯片使能
2 （ CE
2
）高，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置将出现在I / O的
0
to
I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从MEM-数据
储器将出现在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在后面
该数据表的完整描述的读取和写入
模式。
该CY62157CV25 / 30/ 33个在48球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62157CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的16位组织为512K字。这些设备
采用先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。 DE-的
恶习也有显自动断电功能
着80％的地址时降低功耗
不切换。该设备还可以置于待机模式
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
512K × 16
RAM阵列
2048 × 4096
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05014牧师* C
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年4月23日
CY62157CV25/30/33
的MoBL
销刀豆网络gurations
[1, 2]
FBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62157CV25
CY62157CV30
CY62157CV33
范围
环境
温度
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
工业-40 ° C至+ 85°C
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62157CV25
CY62157CV30
CY62157CV33
V
CC（分钟）
2.2V
2.7V
3.0V
V
CC （典型值）。
[4]
V
CC （最大）
2.5V
3.0V
3.3V
2.7V
3.3V
3.6V
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
速度
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
7毫安
7毫安
马克斯。
15毫安
15毫安
15毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
6
A
8
A
10
A
马克斯。
25
A
25
A
30
A
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05014牧师* C
分页： 13 2
CY62157CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62157CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
6
MIN 。 TYP 。
[4]
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
25
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
6
CY62157CV25-70
MAX 。 UNIT
V
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
25
A
V
V
V
A
A
mA
2.0
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[4]
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
I
SB2
CY62157CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
2.4
0.4
CY62157CV30-70
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
5.5
1.5
8
12
3
25
A
V
V
V
V
A
A
mA
MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 UNIT
V
CC
+ 2.2
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
25
–0.3
–1
–1
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
文件编号： 38-05014牧师* C
第13 3
CY62157CV25/30/33
的MoBL
CY62157CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
2.2
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
–1
–1
7
1.5
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
30
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
10
典型值。
[4]
CY62157CV33-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
30
A
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
马克斯。
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
输出低电压I
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V
当前
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
自动CE
掉电电流
租金-CMOS输入
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB1
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05014牧师* C
第13 4
CY62157CV25/30/33
的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16.6
15.4
8.0
1.20
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
3.3V
1.216
1.374
0.645
1.75
单位
千欧
千欧
千欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
4
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
20
单位
V
A
t
CDR[5]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE.BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
注意：
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s或稳定在V
CC（分钟）
>100
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05014牧师* C
第13个5
CY62157CV25/30/33
的MoBL
512K ×16静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
电压范围：
- CY62157CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62157CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62157CV33 ： 3.0V - 3.6V
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
dese-时功耗降低了99％以上的
lected （ CE
1
高或CE
2
LOW或两者BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）置于
在高阻抗状态时：取消选择（ CE
1
高或
CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE
1
LOW和CE
2
高和WE
低） 。
写设备通过采取芯片使能1完成
（ CE
1
）和写使能（ WE）输入低电平，片选2
（ CE
2
）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从数据
I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入的位置试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过I / O
15
）是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
启用1 （ CE
1
）和输出使能（ OE ）低和芯片使能
2 （ CE
2
）高，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置将出现在I / O的
0
to
I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从MEM-数据
储器将出现在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在后面
该数据表的完整描述的读取和写入
模式。
该CY62157CV25 / 30/ 33个在48球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62157CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的16位组织为512K字。这些设备
采用先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
在便携式应用中，诸如蜂窝电话。 DE-的
恶习也有显自动断电功能
着80％的地址时降低功耗
不切换。该设备还可以置于待机模式
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
数据驱动因素
行解码器
512K × 16
RAM阵列
2048 × 4096
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05014牧师* C
3901北一街
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2002年4月23日
CY62157CV25/30/33
的MoBL
销刀豆网络gurations
[1, 2]
FBGA （顶视图）
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
DNU
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位...- 0.5V至V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62157CV25
CY62157CV30
CY62157CV33
范围
环境
温度
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
工业-40 ° C至+ 85°C
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62157CV25
CY62157CV30
CY62157CV33
V
CC（分钟）
2.2V
2.7V
3.0V
V
CC （典型值）。
[4]
V
CC （最大）
2.5V
3.0V
3.3V
2.7V
3.3V
3.6V
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
速度
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
7毫安
7毫安
马克斯。
15毫安
15毫安
15毫安
待机（我
SB2
)
典型值。
[4]
6
A
8
A
10
A
马克斯。
25
A
25
A
30
A
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
5.5毫安12毫安
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. E3 （ DNU ）可以保留为NC或V
SS
以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05014牧师* C
分页： 13 2
CY62157CV25/30/33
的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62157CV25-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏电流接地< V
O
＆ LT ; V
CC
,
输出禁用
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 2.7V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OL
- 0.1毫安
V
CC
= 2.2V
V
CC
= 2.2V
1.8
–0.3
–1
–1
7
1.5
6
MIN 。 TYP 。
[4]
2.0
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
15
3
25
1.8
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
6
CY62157CV25-70
MAX 。 UNIT
V
0.4
V
CC
+
0.3V
0.6
+1
+1
12
3
25
A
V
V
V
A
A
mA
2.0
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[4]
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 2.7V
I
SB2
CY62157CV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
2.4
0.4
CY62157CV30-70
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
5.5
1.5
8
12
3
25
A
V
V
V
V
A
A
mA
MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 MIN 。 TYP 。
[4]
MAX 。 UNIT
V
CC
+ 2.2
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
25
–0.3
–1
–1
I
SB1
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.3V
I
SB2
文件编号： 38-05014牧师* C
第13 3
CY62157CV25/30/33
的MoBL
CY62157CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
2.2
–0.3
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
–1
–1
7
1.5
10
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
15
3
30
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
10
典型值。
[4]
CY62157CV33-70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3V
0.8
+1
+1
12
3
30
A
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
马克斯。
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
输出低电压I
OL
= 2.1毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V
当前
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
自动CE
掉电电流
租金-CMOS输入
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB1
I
SB2
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
热阻
（结点到外壳）
[5]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05014牧师* C
第13 4
CY62157CV25/30/33
的MoBL
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
典型值
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16.6
15.4
8.0
1.20
3.0V
1.105
1.550
0.645
1.75
3.3V
1.216
1.374
0.645
1.75
单位
千欧
千欧
千欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
0
t
RC
条件
分钟。
1.5
4
典型值。
[4]
马克斯。
V
CCmax
20
单位
V
A
t
CDR[5]
t
R[6]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
数据保存波形
[7]
数据保持方式
V
CC
CE
1
or
BHE.BLE
or
CE
2
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
V
CC（分钟）
t
R
注意：
6.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s或稳定在V
CC（分钟）
>100
s.
7. BHE.BLE既BHE和BLE的和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
文件编号： 38-05014牧师* C
第13个5
QQ：2881677436 复制
