的MoBL
CY62148V的MoBL
512K ×8的MoBL静态RAM
特点
低电压范围：
— 2.7V–3.6V
超低有功功率
低待机功耗
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
该设备可置于待机模式时取消
（ CE HIGH ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该CY62148V是采用36球FBGA封装， 32引脚TSOPII ，
和32引脚SOIC封装。
功能说明
该CY62148V是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
8位ganized为524,288字。该器件具有AD-
vanced电路设计，以提供超低有功电流。这
非常适合提供更多的电池寿命 （的MoBL ）便携式
应用，如蜂窝电话。该设备还具有
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换。
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
OE
62148V-1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2000年3月23日
CY62148V的MoBL
销刀豆网络gurations
TSOPII / SOIC
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
FBGA
顶视图
1
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
OE
A
10
A
18
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
2
A
1
A
2
3
NC
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
A
14
A
B
C
D
E
F
G
H
62148V–2
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
................................ -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
产品
分钟。
CY62148V
2.7V
V
CC
范围
典型值。
[2]
3.0V
马克斯。
3.6V
速度
70纳秒
工作（我
CC
)
典型值。
[2]
最大
7
15毫安
待机（我
SB2
)
Ty.p
[2]
2
A
最大
20
A
注意事项：
1. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
2
CY62148V的MoBL
电气特性
在整个工作范围
CY62148V
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
I
OUT
= 0 mA时， （ F =
f
最大
= 1/t
RC
） CMOS
水平
V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
–0.5
–1
–1
+1
+1
7
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
OUT
= 0 mA时， F = 1 MHz的CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
L
V
CC
=
3.6V
LL
1
2
100
mA
A
I
SB2
1
2
50
20
A
A
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
[3]
（结到环境）
热阻
[3]
（结点到外壳）
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
OTHERS
待定
待定
BGA
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
3
CY62148V的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[5]
(2.7V–3.6V
操作）
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8, 9]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[6, 7]
WE高到低Z
[6]
10
70
60
60
0
0
50
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[7 ]
CE低到低Z
[6]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
0
70
10
25
5
25
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
CC （典型值）。
的，和输出负载
指定I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
用C指定
L
= 5 pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 200 mV的。
8.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，要么信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
9.最小写入周期时间为写周期＃3（ WE控制， OE为低电平）是t的总和
HZWE
和T
SD
.
5
QQ：2881677436 复制
