1CY62148
CY62148
512K ×8静态RAM
特点
4.5V
5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 660毫瓦（最大）
低待机功耗（L版）
- 2.75毫瓦（最大）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE选项
自动断电功能，可降低功率变
消耗超过99％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH读。在这些条件下， CON组
由地址引脚指定的存储单元的帐篷会
出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY62148可在一个标准的32引脚450密耳宽
车身宽度SOIC和32引脚TSOP II封装。
功能说明
该CY62148是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为524,288字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE ） ，积极提供低
输出使能（OE ）和三态驱动器。此设备具有
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
TSOP II
A
17
A
16
A
14
A
12
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
2
A
3
A
15
A
18
A
13
A
8
A
9
A
11
A
10
OE
62148-1
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
2001年3月14日
CY62148
选购指南
CY62148
-70
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
L
LL
最大的CMOS待机电流
L
广告
产业
LL
LL
70
120
90
90
2毫安
100
A
20
A
40
A
CY62148
-100
100
120
90
90
2毫安
100
A
20
A
40
A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[1]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................... 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，我
OUT
+ 0毫安，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
≥
V
CC
– 0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
1.6
A
L
Com'l
Ind'l
LL
LL
1.6
1.6
1.6
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–1
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+1
120
90
90
15
典型值
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
I
SB2
2
100
20
40
mA
A
A
A
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.典型的值在V测量
CC
= 5V ， TA = 25℃ ，并纳入仅供参考，未经测试或保证。
2
CY62148
开关特性
[5]
在整个工作范围
62148-70
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[7]
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[7]
WE低到高Z
[6, 7]
70
60
60
0
0
50
25
0
5
25
0
70
100
80
80
0
0
60
25
0
5
30
10
25
0
100
5
25
10
30
10
70
35
5
30
70
70
10
100
50
100
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62148-100
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[8]
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
7.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
8.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低电平和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和任何的过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
4
QQ：2881677436 复制
