【CY62148E的MoBL4兆位（ 512K的× 8 ）静态RAM4兆位（ 512K的× 8 ）静态】,IC型号CY62148ELL-45ZSXA,CY62148ELL-45ZSXA PDF资料,CY62148ELL-45ZSXA经销商,ic,电子元器件-51电子网

CY62148E的MoBL

4兆位（ 512K的× 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY62148E是一种高性能的CMOS静态RAM

组织512 K字×8位。该设备的特点

先进的电路设计，提供超低工作电流。这

非常适合提供更多的电池Life （的MoBL

）便携式

应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个

自动断电功能，可显著降低功耗

消费时地址不切换。配售

器件进入待机模式，以更降低了功耗

超过99 ％时，取消选择（ CE HIGH ）。在八进

输出引脚（ I / O

通过I / O

）被置于高阻抗

当设备被取消（ CE HIGH）状态，输出

禁用（ OE HIGH ）或有效写操作期间（ CE

低和WE LOW ）

写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能

（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O

通过I / O

)

将被写入的地址引脚指定的位置（A

至A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出

启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下

这些条件下，存储位置的指定内容

由地址引脚上出现I / O引脚。

超高速： 45纳秒

电压范围： 4.5 V至5.5 V

引脚兼容CY62148B

超低待机功耗

典型待机电流： 1 μA

最大待机电流： 7 μA （工业）

超低有功功率

典型工作电流：2.0毫安F = 1兆赫

易内存扩展与CE ， OE和特点

取消时自动断电

互补金属氧化物半导体（CMOS）为

最佳速度和功率

可提供无铅32引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II

和32引脚小外形集成电路（ SOIC ）

[1]

套餐

■

逻辑框图

A10

A11

A12

输入缓冲器

行解码器

I / O

IO0

I / O

IO1

检测放大器

I / O

IO2

I / O

IO3

I / O

IO4

I / O

IO5

I / O

IO6

I / O

512K ×8

ARRAY

列解码器

动力

下

IO7

A13

A15

A16

A17

记

1. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。

A14

A18

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05442牧师* I

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2011年4月21日

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

引脚配置................................................ ............. 3

产品组合................................................ .............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电容................................................. ..................... 4

热阻................................................ .......... 5

数据保持特性....................................... 6

开关特性................................................ 7

开关波形................................................ ...... 8

真值表................................................ ........................ 9

订购信息................................................ ...... 10

订购代码定义......................................... 10

包图................................................ .......... 11

与缩略语................................................. ....................... 13

文档约定................................................ 13

计量单位............................................... ........ 13

文档历史记录页............................................... .. 14

销售，解决方案和法律信息...................... 16

全球销售和设计支持....................... 16

产品................................................. ................... 16

的PSoC解决方案................................................ ......... 16

文件编号： 38-05442牧师* I

第16页2

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

引脚配置

图1. 32引脚SOIC / TSOP II引出线

顶视图

I / O

产品组合

功耗

产品

范围

CY62148ELL

TSOP II

SOIC

产业

工业/

汽车-A

民

4.5

范围（V ）

典型值

[2]

5.0

最大

5.5

速度

（纳秒）

我的操作

（MA ）

F = 1 MHz的

典型值

[2]

最大

2.5

f = f

最大

典型值

[2]

最大

待我

SB2

(A)

典型值

[2]

最大

记

2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

文件编号： 38-05442牧师* I

第16页3

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试。

存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C

电源电压

地电位.................. -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[3, 4]

.............. -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

直流输入电压

[3, 4]

.......... -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安

静电放电电压........................................... > 2001年V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ........ > 200毫安

工作范围

设备

CY62148E

范围

环境

温度

[5]

工业/

-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V

汽车-A

电气特性

在整个工作范围

参数

描述

测试条件

45纳秒

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

–1

–

典型值

[7]

–

最大

–

0.4

+ 0.5

0.8

–

2.5

民

2.4

–

2.2

–

–0.5

–1

–

55纳秒

[6]

典型值

[7]

–

最大

–

0.4

+ 0.5

–

0.6

[8]

2.5

单位

输出高电压I

= -1毫安

输出低电压I

= 2.1毫安

输入高电压

输入低电压

= 4.5 V至5.5 V

= 4.5 V至5.5 V为TSOPII

包

对于SOIC

包

SB2 [9]

输入漏电流接地< V

＆ LT ; V

输出漏

当前

GND < V

＆ LT ; V

，输出禁用

= V

CC（ MAX）的

OUT

= 0毫安

CMOS电平

经营供应F = F

最大

= 1/t

当前

F = 1 MHz的

自动CE

掉电电流

- CMOS输入

CE > V

– 0.2 V, V

＆ GT ; V

– 0.2 V

或V

< 0.2 V ， F = 0 ，V

= V

CC（ MAX）的

电容

参数

[10]

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

= 25 ° C，F = 1兆赫，V

= V

CC （典型值）

最大

单位

笔记

3. V

IL （ MIN ）

= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。

4. V

IH（ MAX）的

= V

+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。

5.全设备交流操作假定至少100 μs的斜率时间为0至V

（分钟）和200 μs的等待时间V后

稳定。

6. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。

7.典型值，以供参考，并不能保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

8.在直流条件下的设备满足V

0.8 。然而，在动态条件输入低电压施加到该设备必须不高于0.6 V.这

只适用于SOIC封装。请参阅

AN13470

了解详细信息。

9.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05442牧师* I

第16页4

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

热阻

参数

[11]

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层

印刷电路板

32引脚SOIC

包

32引脚TSOP II

包

单位

° C / W

图2.交流测试负载和波形

产量

3.0 V

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

GND

上升时间= 1 V / ns的

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

相当于：

戴维南

当量

产量

参数

[11]

5.0 V

1800

990

639

1.77

单位

记

11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05442牧师* I

第16页5

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

4兆位（ 512K的× 8 ）静态RAM

特点

■

功能说明

该CY62148E是一种高性能的CMOS静态RAM

组织512 K字×8位。该设备的特点

先进的电路设计，提供超低工作电流。这

非常适合提供更多的电池Life （的MoBL

）便携式

应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个

自动断电功能，可显著降低功耗

消费时地址不切换。配售

器件进入待机模式，以更降低了功耗

超过99 ％时，取消选择（ CE HIGH ）。在八进

输出引脚（ I / O

通过I / O

）被置于高阻抗

当设备被取消（ CE HIGH）状态，输出

禁用（ OE HIGH ）或有效写操作期间（ CE

低和WE LOW ）

写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能

（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O

通过I / O

)

将被写入的地址引脚指定的位置（A

至A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出

启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下

这些条件下，存储位置的指定内容

由地址引脚上出现I / O引脚。

为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯

应用说明

AN1064 ， SRAM系统的指导。

超高速： 45纳秒

电压范围： 4.5 V至5.5 V

引脚兼容CY62148B

超低待机功耗

典型待机电流： 1 μA

最大待机电流： 7 μA （工业）

超低有功功率

典型工作电流：2.0毫安F = 1兆赫

易内存扩展与CE ， OE和特点

取消时自动断电

互补金属氧化物半导体（CMOS）为

最佳速度和功率

可提供无铅32引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II

和32引脚小外形集成电路（ SOIC ）

[1]

套餐

■

逻辑框图

A10

A11

A12

输入缓冲器

行解码器

I / O

IO0

I / O

IO1

检测放大器

I / O

IO2

I / O

IO3

I / O

IO4

I / O

IO5

I / O

IO6

I / O

512K ×8

ARRAY

列解码器

动力

下

IO7

A13

A15

A16

A17

记

1. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。

A14

A18

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05442牧师* H

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2010年8月23日

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

4兆位（ 512K的× 8 ）静态RAM ....................................... 1 ...

功能................................................. ............................ 1

功能说明................................................ 1 .....

引脚配置................................................ ............. 3

产品组合................................................ .............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

热阻................................................ .......... 5

数据保持特性....................................... 5

电容................................................. ..................... 5

开关特性................................................ 6

开关波形................................................ ...... 7

真值表................................................ ........................ 8

订购信息................................................ ........ 9

订购代码定义............................................... 9

包图................................................ .......... 10

与缩略语................................................. ....................... 11

文档约定................................................ 11

计量单位............................................... ........ 11

文档历史记录页............................................... .. 12

销售，解决方案和法律信息...................... 14

全球销售和设计支持....................... 14

产品................................................. ................... 14

的PSoC解决方案................................................ ......... 14

文件编号： 38-05442牧师* H

第14页2

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

引脚配置

图1. 32引脚SOIC / TSOP II引出线

顶视图

I / O

产品组合

功耗

范围（V ）

[2]

我的操作

（MA ）

速度

（纳秒）

典型值

[2]

F = 1 MHz的

最大

2.5

f = f

最大

典型值

[2]

最大

待我

SB2

(A)

典型值

[2]

最大

产品

CY62148ELL

TSOP II

SOIC

范围

产业

工业/

汽车-A

民

4.5

典型值

最大

5.5

5.0

记

2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

文件编号： 38-05442牧师* H

第14页3

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试。

存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源采用.......................................... -55 ° C至+ 125°C

电源电压

地电位.................. -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[3, 4]

.............. -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

直流输入电压

[3, 4]

.......... -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安

静电放电电压........................................... > 2001年V

（每MIL -STD -883方法3015 ）

闩锁电流.............................................. ........ >200毫安

工作范围

设备

CY62148E

范围

环境

温度

[5]

工业/

-40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V

汽车-A

电气特性

在整个工作范围

参数

描述

测试条件

45纳秒

民

2.4

–

2.2

–0.5

–

–1

典型值

[7]

–

最大

–

0.4

+ 0.5

0.8

–

2.5

民

2.4

–

2.2

–

–0.5

–1

–

55纳秒

[6]

典型值

[7]

–

最大

–

0.4

+ 0.5

–

0.6

[8]

2.5

单位

输出高电压I

= -1毫安

输出低电压I

= 2.1毫安

输入高电压

输入低电压

= 4.5 V至5.5 V

= 4.5 V至5.5 V为TSOPII

包

对于SOIC

包

SB2 [9]

输入漏电流接地< V

＆ LT ; V

输出漏

当前

GND < V

＆ LT ; V

，输出禁用

= V

CC（ MAX）的

OUT

= 0毫安

CMOS电平

经营供应F = F

最大

= 1/t

当前

F = 1 MHz的

自动CE

掉电电流

- CMOS输入

CE > V

– 0.2 V

＆ GT ; V

- 0.2 V或V

< 0.2 V ，

F = 0，V

= V

CC（ MAX）的

笔记

3. V

IL （ MIN ）

= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。

4. V

IH（ MAX）的

= V

+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。

5.全设备交流操作假定至少100 μs的斜率时间为0至V

（分钟）和200 μs的等待时间V后

稳定。

6. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。

7.典型值，以供参考，并不能保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

8.在直流条件下的设备满足V

0.8 。然而，在动态条件输入低电压施加到器件不能大于0.6V。更高

这是只适用于SOIC封装。请参阅

AN13470

了解详细信息。

9.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

文件编号： 38-05442牧师* H

第14页4

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

电容

参数

[10]

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

= 25 ° C，F = 1MHz时，

= V

（典型值）

最大

单位

热阻

参数

[10]

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

图2.交流测试负载和波形

产量

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

3.0 V

GND

上升时间= 1 V / ns的

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

测试条件

静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，

2层印刷电路板

SOIC

包

TSOP II

包

单位

° C / W

相当于：

戴维南

当量

产量

参数

[10]

5.0 V

1800

990

639

1.77

单位

数据保持特性

在整个工作范围

参数

CCDR[12]

CDR

R[13]

描述

数据保留

数据保持电流

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

TSOP II

SOIC

= V

， CE＆ GT ; V

– 0.2 V,

＆ GT ; V

- 0.2 V或V

< 0.2 V

工业/

汽车-A

条件

民

–

典型值

[11]

–

最大

–

单位

笔记

10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

11.典型值，以供参考，并不能保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

12.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

13.全面的设备运行需要的线性V

从V坡道

到V

（分钟） > 100 μs或稳定在V

（分钟） > 100微秒。

文件编号： 38-05442牧师* H

第14页5

[+ ]反馈

CY62148E的MoBL

4兆位（ 512K的× 8 ）静态RAM

特点

■

超高速： 45纳秒

电压范围： 4.5 V至5.5 V

引脚兼容CY62148B

超低待机功耗

典型待机电流： 1 μA

最大待机电流： 7 μA （工业）

超低有功功率

典型工作电流：2.0毫安F = 1兆赫

易内存扩展与CE ， OE和特点

取消时自动断电

互补金属氧化物半导体（CMOS）为

最佳速度和功率

可提供无铅32引脚薄型小尺寸封装（ TSOP ） II

和32引脚小外形集成电路（ SOIC ）

[1]

套餐

■

先进的电路设计，提供超低待机电流。这

非常适合提供更多的电池Life （的MoBL

）便携式

应用程序。该设备还具有自动断电

功能，可显著降低功耗，当

地址不切换。将器件置于备用

模式时由99％以上的降低功耗

取消选择（ CE HIGH ）。八个输入和输出引脚（ I / O

通过I / O

）被置于高阻抗状态时的

取消选择器件（ CE HIGH ），输出被禁止（ OE

HIGH ）或有效写操作过程中（低CE和WE

低）。

写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能

（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O

通过I / O

)

将被写入的地址引脚指定的位置（A

至A

从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出

启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下

这些条件下，存储位置的指定内容

由地址引脚上出现I / O引脚。

该CY62148E装置适用于具有处理器的接口

具有TTL I / P的水平。它不适合于处理器的

需要CMOS I / P的水平。请参阅

电气特性

第4页

有关详细信息，并提出替代方案。

■

功能说明

该CY62148E是一种高性能的CMOS静态RAM

组织512 K字×8位。该设备的特点

逻辑框图

A10

A11

A12

输入缓冲器

行解码器

I / O

IO0

I / O

IO1

检测放大器

I / O

IO2

I / O

IO3

I / O

IO4

I / O

IO5

I / O

IO6

I / O

512K ×8

ARRAY

列解码器

动力

下

IO7

A13

A14

A15

A16

记

1. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。

A17

A18

赛普拉斯半导体公司

文件编号： 38-05442牧师* L

198冠军苑

圣荷西

CA 95134-1709

408-943-2600

修订后的2013年5月6日

CY62148E的MoBL

引脚配置................................................ ........... 3

产品组合................................................ .............. 3

最大额定值................................................ ............. 4

经营范围................................................ ............... 4

电气特性................................................ 4

电容................................................. ..................... 5

热阻................................................ .......... 5

交流测试负载和波形....................................... 5

数据保持特性....................................... 6

数据保存波形............................................... 6

开关特性................................................ 7

开关波形................................................ ...... 8

真值表................................................ ...................... 10

订购信息................................................ ...... 11

订购代码定义......................................... 11

包图................................................ .......... 12

与缩略语................................................. ....................... 14

文档约定................................................ 14

计量单位............................................... ........ 14

文档历史记录页............................................... 15 ..

销售，解决方案和法律信息...................... 17

全球销售和设计支持....................... 17

产品................................................. ................... 17

的PSoC解决方案................................................ ......... 17

文件编号： 38-05442牧师* L

第17页2

CY62148E的MoBL

销刀豆网络gurations

图1. 32引脚SOIC / TSOP II引出线

顶视图

I / O

产品组合

功耗

产品

范围

CY62148ELL

TSOP II

SOIC

产业

工业/

汽车-A

范围（V ）

民

4.5

典型值

[2]

5.0

最大

5.5

速度

（纳秒）

我的操作

（MA ）

F = 1 MHz的

典型值

[2]

最大

2.5

f = f

最大

典型值

[2]

最大

待我

SB2

(A)

典型值

[2]

最大

记

2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

文件编号： 38-05442牧师* L

第17页3

CY62148E的MoBL

最大额定值

超出最大额定值可能会缩短的使用寿命

装置。用户指导未经过测试。

存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C

环境温度与

电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，

电源电压

地电位................. -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

直流电压应用到输出的

在高Z状态

[3, 4]

............. -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

直流输入电压

[3, 4]

......... -0.5 V至6.0 V（V

CCmax

+ 0.5 V)

输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安

静电放电电压

（每MIL -STD -883方法3015 ） .......................... > 2001年V

闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安

工作范围

设备

CY62148E

范围

环境

温度

[5]

工业/ -40 ° C至+85°C 4.5 V至5.5 V

汽车-A

电气特性

在整个工作范围

参数

OH[8]

描述

输出高电压

输出低电压

输入高电压

输入低电压

测试条件

= 4.5 V，I

= -1毫安

= 5.5 V，I

= -0.1毫安

= 2.1毫安

= 4.5 V至5.5 V

= 4.5 V至5.5 V为TSOPII

包

对于SOIC

包

SB2 [10]

输入漏电流

工作电源

当前

自动CE

掉电电流 -

CMOS输入

GND < V

＆ LT ; V

f = f

最大

= 1/t

F = 1 MHz的

= V

CC（ MAX）的

OUT

= 0毫安

CMOS电平

输出漏电流接地< V

＆ LT ; V

，输出禁用

45纳秒

最小值典型值

[7]

2.4

–

2.2

–0.5

–

–1

–

最大

–

3.4

[8]

0.4

0.8

–

2.5

2.4

–

–0.5

–1

–

55纳秒

[6]

最小值典型值

[7]

–

最大

–

3.4

[8]

0.4

+ 0.5

–

0.6

[9]

2.5

单位

+ 0.5 2.2

CE > V

– 0.2 V,

＆ GT ; V

- 0.2 V或V

< 0.2 V ，

F = 0，V

= V

CC（ MAX）的

笔记

3. V

IL （ MIN ）

= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒，因为我< 30毫安。

4. V

IH（ MAX）的

= V

+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。

5.全设备交流操作假定至少100 μs的斜率时间为0至V

CC（分钟）

和200 μs的等待V后的时间

稳定。

6. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。

7.典型值，以供参考，并不能保证或测试。典型值是在V测量

= V

CC （典型值）

, T

= 25 °C.

8.请注意，最大V

限制该设备没有超过最低的CMOS V

的3.5V 。如果你是这个接口SRAM与5 V传统处理器

需要一个minimumV

3.5 V，请参考应用笔记

AN6081

对于技术细节，你可以考虑的选项。

9.在直流条件下的设备满足V

0.8 。然而，在动态条件输入低电压施加到该设备必须不高于0.6 V.这

只适用于SOIC封装。

10.芯片使能（ CE）必须为高电平，在CMOS电平，以满足我

SB2

/ I

CCDR

规格。其他输入可以悬空。

文件编号： 38-05442牧师* L

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CY62148E的MoBL

电容

参数

[11]

OUT

描述

输入电容

输出电容

测试条件

= 25 ° C，F = 1兆赫，V

= V

CC （典型值）

最大

单位

热阻

参数

[11]

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，

2层印刷电路板

32引脚SOIC

包

32引脚TSOP II组

包

° C / W

交流测试负载和波形

图2.交流测试负载和波形

产量

3.0 V

30 pF的

INCLUDING

夹具

范围

GND

上升时间= 1 V / ns的

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

下降时间= 1 V / ns的

相当于：

戴维南

当量

产量

参数

[11]

5.0 V

1800

990

639

1.77

单位

记

11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05442牧师* L

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