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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第1550页 > CY62148DV30LL-55SXI
CY62148DV30
4兆位（ 512K ×8 ）的MoBL
静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
超高速： 55纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62148CV25 ， CY62148CV30和引脚兼容
CY62148CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
超低待机功耗
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅36球VFBGA ，
无铅32引脚TSOPII和32引脚SOIC封装
功能说明
[1]
该CY62148DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该装置可被投入
待机模式下降低功耗取消时
（CE高电平）。该8输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
)
被置于高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将出现在IO管脚。
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
WE
OE
数据驱动因素
IO
0
IO
1
行解码器
检测放大器
IO
2
IO
3
IO
4
IO
5
512K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
IO
6
IO
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统
设计指南“
on
http://www.cypress.com 。
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05341牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年1月25日
CY62148DV30
引脚配置
[2, 3]
36球VFBGA引出线
顶视图
32引脚SOIC / TSOP II引脚
顶视图
A
0
IO
4
IO
5
V
SS
V
CC
IO
6
IO
7
A
9
A
1
A
2
NC
WE
DNU
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
IO
0
IO
1
V
cc
V
ss
A
B
C
D
E
F
G
H
A
18
OE
A
10
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
IO
2
IO
3
A
14
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62148DV30L
范围
产业
民
2.2
典型值
[4]
3.0
最大
3.6
速度
（纳秒）
55
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值
[4]
1.5
1.5
1.5
1.5
最大
3
3
3
3
f = f
最大
典型值
[4]
8
8
8
8
最大
15
10
10
10
待我
SB2
(A)
典型值
[4]
2
2
2
2
最大
12
8
8
8
CY62148DV30LL工业
CY62148DV30LL工业
CY62148DV30LL汽车-A
注意事项：
2. NC引脚未连接的芯片。
3. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05341牧师* D
第10 2
CY62148DV30
最大额定值
（超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[5, 6]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
产品
CY62148DV30L
CY62148DV30LL
CY62148DV30LL汽车-A -40 ° C至+ 85°C
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[7]
2.2V至
3.6V
电气特性
在整个工作范围
55纳秒
参数
V
OH
V
OL
V
IH
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
Ind'l
Ind'l
Ind'l
Ind'l
I
SB1
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
=3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
Ind'l
Ind'l
L
LL
L
LL
L
LL
8
8
1.5
1.5
2
2
最小值典型值
[4]
最大
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
15
10
3
3
12
8
2
2
2
2
12
8
2
2
8
8
8
8
A
1.5
1.5
3
3
8
8
10
10
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
70纳秒
最小值典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低
电压
输入漏
当前
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作
电源电流
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
F = 1 MHz的
自动-A LL
自动-A LL
自动-A LL
Ind'l
Ind'l
L
LL
I
SB2
自动-A LL
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC（分钟）
和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 38-05341牧师* D
第10 3
CY62148DV30
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5
寸，四层印刷电路
板
VFBGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
SOIC
55
22
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V (2.2V – 2.7V)
16667
15385
8000
1.20
3.0V (2.7V – 3.6V)
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l
L
0
t
RC
Ind'l /自动-A LL
条件
最小值典型值
[4]
最大
1.5
9
6
单位
V
A
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
注意事项：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s.
1.5V
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
1.5V
t
R
文件编号： 38-05341牧师* D
第10 4
CY62148DV30
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
WE高到低Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
45
45
0
0
45
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高到高Z
[11,12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE HIGH到电
0
55
10
20
0
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
70纳秒
最大
单位
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[14, 15]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1 V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/2,
0输入脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
14.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
文件编号： 38-05341牧师* D
第10个5
CY62148DV30
4兆位（ 512K ×8 ）的MoBL
静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
超高速： 55纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62148CV25 ， CY62148CV30和引脚兼容
CY62148CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
超低待机功耗
易于扩展内存通过CE ， OE和特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅36球VFBGA ，
无铅32引脚TSOPII和32引脚SOIC封装
功能说明
[1]
该CY62148DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该装置可被投入
待机模式下降低功耗取消时
（CE高电平）。该8输入和输出引脚（IO
0
通过IO
7
)
被置于高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。在8 IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将出现在IO管脚。
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
WE
OE
数据驱动因素
IO
0
IO
1
行解码器
检测放大器
IO
2
IO
3
IO
4
IO
5
512K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
IO
6
IO
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统
设计指南“
on
http://www.cypress.com 。
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05341牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年1月25日
[+ ]反馈
CY62148DV30
引脚配置
[2, 3]
36球VFBGA引出线
顶视图
32引脚SOIC / TSOP II引脚
顶视图
A
0
IO
4
IO
5
V
SS
V
CC
IO
6
IO
7
A
9
A
1
A
2
NC
WE
DNU
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
IO
0
IO
1
V
cc
V
ss
A
B
C
D
E
F
G
H
A
18
OE
A
10
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
IO
2
IO
3
A
14
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
IO
0
IO
1
IO
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
IO
7
IO
6
IO
5
IO
4
IO
3
产品组合
功耗
我的操作
CC
（MA ）
V
CC
范围（V ）
产品
CY62148DV30L
范围
产业
民
2.2
典型值
[4]
3.0
最大
3.6
速度
（纳秒）
55
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值
[4]
1.5
1.5
1.5
1.5
最大
3
3
3
3
f = f
最大
典型值
[4]
8
8
8
8
最大
15
10
10
10
待我
SB2
(A)
典型值
[4]
2
2
2
2
最大
12
8
8
8
CY62148DV30LL工业
CY62148DV30LL工业
CY62148DV30LL汽车-A
注意事项：
2. NC引脚未连接的芯片。
3. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05341牧师* D
第10 2
[+ ]反馈
CY62148DV30
最大额定值
（超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在......................................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[5, 6]
..................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
产品
CY62148DV30L
CY62148DV30LL
CY62148DV30LL汽车-A -40 ° C至+ 85°C
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[7]
2.2V至
3.6V
电气特性
在整个工作范围
55纳秒
参数
V
OH
V
OL
V
IH
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
Ind'l
Ind'l
Ind'l
Ind'l
I
SB1
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
=3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
Ind'l
Ind'l
L
LL
L
LL
L
LL
8
8
1.5
1.5
2
2
最小值典型值
[4]
最大
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
15
10
3
3
12
8
2
2
2
2
12
8
2
2
8
8
8
8
A
1.5
1.5
3
3
8
8
10
10
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
70纳秒
最小值典型值
[4]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低
电压
输入漏
当前
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作
电源电流
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
F = 1 MHz的
自动-A LL
自动-A LL
自动-A LL
Ind'l
Ind'l
L
LL
I
SB2
自动-A LL
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC（分钟）
和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 38-05341牧师* D
第10 3
[+ ]反馈
CY62148DV30
电容
（对于所有的软件包）
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5
寸，四层印刷电路
板
VFBGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
SOIC
55
22
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V (2.2V – 2.7V)
16667
15385
8000
1.20
3.0V (2.7V – 3.6V)
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l
L
0
t
RC
Ind'l /自动-A LL
条件
最小值典型值
[4]
最大
1.5
9
6
单位
V
A
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
注意事项：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s.
1.5V
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
1.5V
t
R
文件编号： 38-05341牧师* D
第10 4
[+ ]反馈
CY62148DV30
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
WE高到低Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
45
45
0
0
45
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高到高Z
[11,12]
CE低到低Z
[11]
CE高到高阻
[11, 12]
CE为低电时
CE HIGH到电
0
55
10
20
0
70
5
20
10
25
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
70纳秒
最大
单位
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[14, 15]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1 V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/2,
0输入脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
14.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
文件编号： 38-05341牧师* D
第10个5
[+ ]反馈
CY62148DV30
4 -MB （ 512K ×8 ）的MoBL
静态RAM
特点
超高速： 55纳秒
- 宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62148CV25 ， CY62148CV30和引脚兼容
CY62148CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 8毫安@频率= F
最大
（ 55纳秒的速度）
超低待机功耗
易内存扩展与CE ， OE和特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
封装形式： 36球BGA ， 32引脚TSOPII和
32引脚SOIC
功能说明
[1]
该CY62148DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该装置可被投入
待机模式下降低功耗取消时
（ CE HIGH ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
A
6
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05341牧师* B
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2004年2月10日
CY62148DV30
引脚配置
[2,3]
FBGA
顶视图
32 TSOPII
顶视图
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
A
1
A
2
NC
WE
DNU
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
0
I / O
1
V
cc
V
ss
A
B
C
D
E
F
G
H
A
18
OE
A
10
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I / O
2
I / O
3
A
14
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
32 SOIC
A
A
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
注意事项：
2. NC引脚未连接的芯片。
3. DNU引脚必须悬空或连接到VSS ，以确保适当的应用程序。
文件编号： 38-05341牧师* B
第11 2
CY62148DV30
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在........................................ -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4,5]
......................... -0.3V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
直流输入电压
[4,5]
......................- 0.3V至V
CC（ MAX）的
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
产品
CY62148DV30L
CY62148DV30LL
功耗
我的操作
CC
（MA ）
范围
环境
温度
V
CC
[6]
工业-40 ° C至+ 85°C 2.2V至3.6V
产品组合
V
CC
范围（V ）
产品
CY62148DV30L
CY62148DV30LL
CY62148DV30L
CY62148DV30LL
分钟。
2.2
2.2
2.2
2.2
典型值。
[7]
3.0
3.0
3.0
3.0
马克斯。
3.6
3.6
3.6
3.6
速度
（纳秒）
55
55
70
70
F = 1 MHz的
典型值。
[7]
1.5
1.5
马克斯。
3
3
3
3
8
8
f = f
最大
典型值。
[7]
马克斯。
15
10
15
10
待我
SB2
（ UA）
典型值。
[7]
2
2
马克斯。
12
8
12
8
电气特性
在整个工作范围
CY62148DV30-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.20V
V
CC
= 2.70V
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
L
LL
L
LL
I
SB1
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
L
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
LL
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
=3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
L
LL
2
12
8
2
12
8
2
2
12
8
12
8
A
1.5
8
分钟。
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3V 1.8
V
CC
+ 0.3V 2.2
0.6
0.8
+1
+1
15
10
3
1.5
–0.3
–0.3
–1
–1
8
典型值。
[7]
马克斯。
CY62148DV30-70
MIN 。 TYP 。
[7]
2.0
2.4
0.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
+ 0.3V V
V
CC
+ 0.3V V
0.6
0.8
+1
+1
15
10
3
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
A
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
当前
CMOS电平
F = 1 MHz的
I
SB2
注意事项：
4. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
s
等待时间V后
cc
稳定。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05341牧师* B
第11 3
CY62148DV30
电容
对于所有包
[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
四层印刷电路板
BGA
72
8.86
TSOP II
75.13
8.95
SOIC
55
22
STSOP
105
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[8]
t
R[9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
L
LL
0
t
RC
条件
MIN 。 TYP 。
[7]
MAX 。 UNIT
1.5
9
6
V
A
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.5V
t
CDR
CE
注意事项：
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.完整的AC设备的操作需要线性的V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ;
100
s.
V
DR
> 1.5 V
1.5V
t
R
文件编号： 38-05341牧师* B
第11 4
CY62148DV30
开关特性
（在整个工作范围内）
[10]
55纳秒
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[13]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
[11, 12]
我们前高后低
Z
[11]
10
55
40
40
0
0
40
25
0
20
10
70
45
45
0
0
45
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[11]
OE高来高
CE高来高
Z
[11,12]
[11]
70纳秒
分钟。
70
55
70
10
55
25
70
35
5
20
25
10
20
25
0
55
70
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
55
10
马克斯。
5
10
0
CE低到低Z
Z
[11, 12]
CE为低电时
CE HIGH到电
开关波形
读周期第1号（地址转换控制）
[14, 15]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
注意事项：
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设3 ns以下（ 1 V / ns的）信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/2,
0输入脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
11.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
12. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
13.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
14.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
15.我们是高读周期。
文件编号： 38-05341牧师* B
第11个5
CY62148DV30
4兆位（ 512K ×8 ）的MoBL
静态RAM
特点
■
功能说明
[1]
该CY62148DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费。该装置可被置于待机模式减少
取消时的功耗（ CE HIGH ）。该八个输入
和输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
7
）被放置在一个
当高阻抗状态：
■
■
■
温度范围
工业： -40 ° C至85°C
超高速： 55纳秒
■
宽电压范围： 2.20 V - 3.60 V
■
引脚兼容CY62148CV25 ， CY62148CV30和
CY62148CV33
超低有功功率
■
典型工作电流：1.5毫安F = 1兆赫
典型工作电流： 8毫安在f = F
最大
（ 55纳秒的速度）
■
■
■
■
超低待机功耗
易内存扩展与CE ， OE和特点
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度/功耗
可提供无铅32引脚小外形集成电路
（ SOIC封装）
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
当写操作被激活（CE低电平和WE为低电平）
■
通过采取芯片使能（ CE）和写使能写入设备
（ WE）输入低电平。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过I / O
7
)
将被写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。下
这些条件下，存储位置的指定内容
由地址引脚会出现在I / O引脚。
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
CE
WE
OE
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记“系统
设计指南“
on
http://www.cypress.com 。
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05341牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
分页： 13 1
[+ ]反馈
CY62148DV30
目录
引脚配置................................................ ............. 3
产品组合................................................ .............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性
................................................. 4
电容................................................. ..................... 5
热阻................................................ .......... 5
交流测试负载和波形....................................... 5
数据保持特性
....................................... 5
数据保存波形............................................... 5
开关特性
................................................ 6
开关波形................................................ ...... 6
真值表................................................ ........................ 8
订购信息................................................ ........ 9
订购代码定义............................................. 9
包图................................................ .......... 10
与缩略语................................................. ....................... 11
文档约定................................................ 11
计量单位............................................... ........ 11
销售，解决方案和法律信息...................... 13
全球销售和设计支持....................... 13
产品................................................. ................... 13
的PSoC解决方案
......................................................... 13
文件编号： 38-05341牧师* F
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY62148DV30
引脚配置
32引脚SOIC封装引脚
顶视图
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62148DV30LL工业
2.2
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
55
速度
（纳秒）
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
典型值
[2]
1.5
最大
3
f = f
最大
典型值
[2]
8
最大
10
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
2
最大
8
记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
文件编号： 38-05341牧师* F
第13 3
[+ ]反馈
CY62148DV30
最大额定值
（超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+150°C
环境温度with
电源采用............................................. 55°C至+125°C
电源电压对地
潜在........................................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流电压施加到outputs
在高Z状态
[3, 4]
........................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
直流输入电压
[3, 4]
.....................- 0.3 V到V
CC（ MAX）的
+ 0.3 V
输出电流转换成输出（ LOW ） .............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
产品
CY62148DV30LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+85°C
V
CC
[5]
2.2 V至
3.6 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
描述
输出高
电压
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
V
CC
= 2.20 V
V
CC
= 2.70 V
55纳秒
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
典型值
[2]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
8
–
–
1.5
2
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+
0.3V
V
CC
+
0.3V
0.6
0.8
+1
+1
10
3
8
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
输出低电压I
OL
- 0.1毫安
输入高电压V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
I
SB1
CE > V
CC
0.2
V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2 V, V
IN
<0.2 V）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE和WE ） ，V
CC
=3.60 V
CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
F = 0，V
CC
= 3.60 V
I
SB2
–
2
8
A
笔记
3. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
4. V
IH（ MAX）的
= V
CC
0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
5.全设备交流操作假定100
s
从0减速时间到V
CC（分钟）
和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
文件编号： 38-05341牧师* F
第13 4
[+ ]反馈
CY62148DV30
电容
参数
[6]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
参数
[6]
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻（结到
案例）
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3× 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOIC
55
22
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间： 1 V / ns的
上升时间： 1 V / ns的
相当于：
戴维南等效
R
TH
V
TH
产量
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5 V (2.2 V – 2.7 V)
16667
15385
8000
1.20
3.0 V (2.7 V – 3.6 V)
1103
1554
645
1.75
单位
V
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR[6]
t
R[8]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5 V， CE > V
CC
0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.2
V或V
IN
< 0.2 V
条件
最小值典型值
[7]
最大
1.5
–
0
55
–
–
–
–
6
–
–
单位
V
A
ns
ns
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
笔记
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
7.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C
8.全部设备交流操作需要线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
100
s.
1.5 V
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
1.5 V
t
R
文件编号： 38-05341牧师* F
第13个5
[+ ]反馈
查看更多CY62148DV30LL-55SXIPDF信息
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