CY62148CV25/30/33
的MoBL
512K ×8的MoBL静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
低电压范围：
- CY62148CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62148CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62148CV33 ： 3.0V - 3.6V
与CY62148V 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1MHz的
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的por-提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
表的应用，如蜂窝电话。该设备还
具有自动断电功能，显著reduc-
西文功耗时的地址都不时改变80％
岭大战。该设备可以dese-当被置于待机模式
lected （ CE HIGH ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该CY62148CV25 / 30/ 33个在36球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62148CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的8位组织为512K字。该设备的特点
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05035修订版**
3901北一街
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月7日
CY62148CV25/30/33
的MoBL
销刀豆网络gurations
[1,2]
1
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
OE
A
10
A
18
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
2
A
1
A
2
FBGA （顶视图）
3
NC
WE
DNU
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
A
14
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.... .............................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源中的应用。 ............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位.....- 0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） .. ........................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流> ............................................. ...... >200毫安
工作范围
产品
CY62148CV25
CY62148CV30
CY62148CV33
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62148CV25
CY62148CV30
CY62148CV33
分钟。
2.2V
2.7V
3.0V
典型值。
[4]
2.5V
3.0V
3.3V
马克斯。
2.7V
3.3V
3.6V
速度
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
5.5毫安
7毫安
5.5毫安
7毫安
5.5毫安
马克斯。
15毫安
12毫安
15毫安
12毫安
15毫安
12毫安
8
A
20
A
7
A
15
A
典型值。
[4]
5
A
马克斯。
15
A
待机（我
SB2
)
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. C3 （ DNU ）可以保留为NC或Vss ，以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05035修订版**
分页： 13 2
CY62148CV25/30/33
的MoBL
CY62148CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
15
3
20
典型值。
[4]
马克斯。
CY62148CV33-70
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
8
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
12
3
20
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[5
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
热阻
[5]
（结点到外壳）
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05035修订版**
第13 4
CY62148CV25/30/33
的MoBL
512K ×8的MoBL静态RAM
特点
高速
- 55 ns到70 ns的可用性
低电压范围：
- CY62148CV25 ： 2.2V - 2.7V
- CY62148CV30 ： 2.7V - 3.3V
- CY62148CV33 ： 3.0V - 3.6V
与CY62148V 引脚兼容
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1MHz的
- 典型工作电流： 5.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒的速度）
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的por-提供更多的电池寿命 （的MoBL ）
表的应用，如蜂窝电话。该设备还
具有自动断电功能，显著reduc-
西文功耗时的地址都不时改变80％
岭大战。该设备可以dese-当被置于待机模式
lected （ CE HIGH ） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置的试样
田间的地址引脚（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（ WE） HIGH 。根据这些条件下，内容
由地址引脚指定的存储位置将出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该CY62148CV25 / 30/ 33个在36球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62148CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的8位组织为512K字。该设备的特点
逻辑框图
数据驱动因素
I / O
0
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512K ×8
ARRAY
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05035修订版**
3901北一街
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
圣荷西
CA 95134 408-943-2600
修订后的2001年9月7日
CY62148CV25/30/33
的MoBL
销刀豆网络gurations
[1,2]
1
A
0
I / O
4
I / O
5
V
SS
V
CC
I / O
6
I / O
7
A
9
OE
A
10
A
18
CE
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
2
A
1
A
2
FBGA （顶视图）
3
NC
WE
DNU
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
0
I / O
1
V
CC
V
SS
I / O
2
I / O
3
A
14
A
B
C
D
E
F
G
H
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度.... .............................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源中的应用。 ............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位.....- 0.5V到V
CCmax
+ 0.5V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
...................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................- 0.5V至V
CC
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） .. ........................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流> ............................................. ...... >200毫安
工作范围
产品
CY62148CV25
CY62148CV30
CY62148CV33
范围
产业
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.2V至2.7V
2.7V至3.3V
3.0V至3.6V
产品组合
功率耗散（工业）
工作（我
CC
)
V
CC
范围
产品
CY62148CV25
CY62148CV30
CY62148CV33
分钟。
2.2V
2.7V
3.0V
典型值。
[4]
2.5V
3.0V
3.3V
马克斯。
2.7V
3.3V
3.6V
速度
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
55纳秒
70纳秒
F = 1 MHz的
典型值。
[4]
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
1.5毫安
马克斯。
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
3毫安
f = f
最大
典型值。
[4]
7毫安
5.5毫安
7毫安
5.5毫安
7毫安
5.5毫安
马克斯。
15毫安
12毫安
15毫安
12毫安
15毫安
12毫安
8
A
20
A
7
A
15
A
典型值。
[4]
5
A
马克斯。
15
A
待机（我
SB2
)
注意事项：
1. NC引脚未连接到模具上。
2. C3 （ DNU ）可以保留为NC或Vss ，以确保适当的应用程序。
3. V
白细胞介素（分钟）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
文件编号： 38-05035修订版**
分页： 13 2
CY62148CV25/30/33
的MoBL
CY62148CV33-55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
测试条件
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
2.2
–0.3
–1
–1
7
1.5
8
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
15
3
20
典型值。
[4]
马克斯。
CY62148CV33-70
分钟。
2.4
0.4
2.2
–0.3
–1
–1
5.5
1.5
8
V
CC
+
0.5V
0.8
+1
+1
12
3
20
典型值。
[4]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， WE）
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.6V
I
SB2
电容
[5
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[5]
测试条件
静止的空气，焊接在一个3× 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
热阻
[5]
（结点到外壳）
注意：
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05035修订版**
第13 4
QQ：2881677436 复制
