CY62148BN的MoBL
4兆位（ 512K ×8）静态RAM
特点
高速
= 70纳秒
4.5V - 5.5V操作
低有功功率
- 典型工作电流：2.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 12.5毫安@频率= F
最大
（ 70纳秒）
低待机电流
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE特点
CMOS的最佳速度/功耗
提供标准的无铅和无无铅
32引脚（ 450 mil）的SOIC ， 32引脚TSOP II和32引脚
反向TSOP II封装
功能说明
该CY62148BN是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位， 512K字。易内存扩展
由一个低有效芯片使能（ CE）的活性提供
低输出使能（ OE ）和三态驱动器。该装置
具有自动断电功能，可降低功耗
取消选择时，由多于99％的消耗。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。在八个数据I / O
引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（ WE） HIGH读。在这些条件下，该
由地址引脚指定的存储单元的内容
将出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
逻辑框图
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
有512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
2
A
3
A
15
A
18
A
13
A
8
A
9
A
11
A
10
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-06517修订版**
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月2日
[+ ]反馈
CY62148BN的MoBL
引脚配置
顶视图
SOIC
TSOP II
A
17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
顶视图
反向
TSOP II
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
A
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
10
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
A
18
A
15
V
cc
产品组合
功耗
工作，我
CC
V
CC
范围
产品
CY62148BNLL
分钟。
4.5 V
典型值。
5.0V
马克斯。
5.5V
速度
70纳秒
温度。
Com'l
Ind'l
注意：
1.典型值是在V测
CC
= 5V ，T
A
= 25 ° C，并纳入仅供参考，未经测试或保证。
待机（我
SB2
)
典型值。
[1]
4
A
马克斯。
20
A
f = f
最大
典型值。
[1]
12.5毫安
马克斯。
20毫安
文件编号： 001-06517修订版**
第10 2
[+ ]反馈
CY62148BN的MoBL
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND ........ -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[2]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[2]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压............................................... 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
[3]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
4.5V–5.5V
电气特性
在整个工作范围
CY62148BN-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
最大。 V
CC
，CE
≤
V
IH
V
IN
≤
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
,
f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
≤
V
CC
– 0.3V,
V
IN
≤
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
Com'l / Ind'l
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，
Com'l /
Ind'l
Com'l /
Ind'l
4
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= - 1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–1
12.5
2.5
1.5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
20
典型值。
[1]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
20
A
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 1800
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
990
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
相当于：
R2
990
3.0V
90%
GND
≤
3纳秒
戴维南等效
639
1.77V
产量
10%
90%
10%
≤
3纳秒
R1 1800
所有的输入脉冲
(a)
注意事项：
2. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
3. T
A
区分温度“上的即时”
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 001-06517修订版**
第10 3
[+ ]反馈
CY62148BN的MoBL
开关特性
[5]
在整个工作范围
62148BNLL-70
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
[8]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[6]
WE低到高Z
[6, 7]
70
60
60
0
0
55
30
0
5
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[6]
OE高到高Z
[6, 7]
CE低到低Z
[6]
描述
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE高到高阻
[6, 7]
CE为低电时
CE高到掉电
注意事项：
5.试验条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
6.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
8.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡
任何这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
文件编号： 001-06517修订版**
第10 4
[+ ]反馈
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