1CY 621 48
传真号： 1079
初步
CY62148
512K ×8静态RAM
特点
4.5V - 5.5V操作
CMOS的最佳速度/功耗
低有功功率
- 660毫瓦（最大）
低待机功耗（L版）
- 2.75毫瓦（最大）
自动断电时取消
TTL兼容的输入和输出
易于内存扩展CE和OE选项
自动断电功能，可降低功率变
消耗超过99％时，取消选择。
写设备通过采取芯片使能实现
1 （CE）和写使能（WE ）输入低电平。在八个数据
I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）将被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使写
使能（WE ） 。的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定的存储器位置上会出现
在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平） ，或写在
操作（ CE低， WE LOW ） 。
该CY62148可在一个标准的450密耳宽体
宽体SOIC封装。
功能说明
该CY62148是一个高性能的CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为524,288字。简单的内存扩展
由低电平有效芯片使能（ CE ） ，积极提供低
输出使能（OE ）和三态驱动器。此设备具有
逻辑框图
引脚配置
顶视图
SOIC
A
17
A
16
A
14
A
12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
18
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
0
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512K ×8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
CE
WE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
OE
62148-1
选购指南
CY62148–55
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含的信息提前
CY62148–70
70
120毫安
2毫安
0.5毫安
55
广告
广告
L
120毫安
2毫安
0.5毫安
赛普拉斯半导体公司
3901北一街
圣荷西
CA 95134
408-943-2600
1996年12月 - 修订1997年7月31日
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[1]
.... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[1]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
范围
广告
产业
CY62148
直流输入电压
[1]
................................. -0.5V到V
CC
+0.5V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
工作范围
环境
温度
[2]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
[3]
62148–55
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[1]
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
- TTL输入
自动CE
掉电电流
- CMOS输入
GND
≤
V
I
≤
V
CC
GND
≤
V
I
≤
V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大。
,
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
，CE
≥
V
IH
V
IN
≥
V
IH
or
V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
≥
V
CC
– 0.3V,
V
IN
≥
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
≤
0.3V ， F = 0
Com'l
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -1毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
120
2.2
–0.3
–1
–5
马克斯。
62148–70
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+
0.3
0.8
+1
+5
120
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
Com'l
15
15
mA
I
SB2
Com'l
L
2
500
2
500
mA
A
阴影区域包含的信息提前
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
2. T
A
是外壳温度的「即时」 。
3.请参见本规范A组分组测试信息的最后一页。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2
初步
交流测试负载和波形
R1 480
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
R2
255
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
255
GND
≤
3ns
3.0V
90%
10%
CY62148
5V
产量
R1 481
所有的输入脉冲
90%
10%
≤
3纳秒
109–3
109–4
相当于：
戴维南等效
167
1.73V
产量
开关特性
[3,6]
在整个工作范围
62148–55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高到高阻
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[8]
WE低到高Z
[7,8]
55
45
45
0
0
45
45
0
3
20
0
55
70
60
60
0
0
50
55
0
3
25
3
20
0
70
0
20
3
25
3
55
20
0
25
55
55
3
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62148–70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[9]
阴影区域包含预览。
笔记
6.测试条件假定为5ns或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和100pF的负载电容。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
被指定采用5 pF的负载电容在交流测试负载（b）部分。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写入时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须低到开始写，和任何的过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
3
初步
开关波形
读周期1号
[10,11]
t
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
CY62148
62148-5
读周期2号（ OE
控制）
[11,12]
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
ISB
62148-6
高
阻抗
数据输出
ICC
写周期第1号（ CE控制）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
t
AW
t
PWE
WE
t
SD
数据I / O
数据有效
t
HD
t
HA
62148-7
注意事项：
10.设备不断选择。 OE ，CE = V
IL
.
11.我们是高读周期。
12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
13.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
14.如果CE变为同时我们要HIGH HIGH ，输出保持在高阻抗状态。
4
初步
开关波形
（续）
写周期2号（我们控制， OE高在写）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
CY62148
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注15
t
HZOE
数据
IN
有效
62148-8
t
HD
写周期3号（我们控制， OE低）
[13,14]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
SD
DATAI / O
注15
t
HZWE
注意：
15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不宜应用
t
HA
t
PWE
t
HD
数据有效
t
LZWE
62148-9
5
QQ：2880707522 复制
