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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第665页 > CY62147EV30LL-45BVXI
CY62147EV30的MoBL
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
■
温度范围
工业： -40 ° C至+85°C
■
宽电压范围： 2.20 V至3.60 V
■
引脚兼容CY62147DV30
■
超低待机功耗
典型待机电流： 1
A
最大待机电流： 7
A
（工业级）
■
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
[1]
■
易内存扩展与CE
和OE特点
■
■
■
■
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
取消当超过99 ％的消费（ CE
高或都BLE和BHE是HIGH ） 。的输入和输出引脚
（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
取消时自动断电
互补金属氧化物半导体（CMOS）为
最佳速度和功率
可提供无铅48球非常精细球栅阵列（ VFBGA ）
（单/双CE选项）和44引脚薄型小尺寸封装
（ TSOP ）二包
字节掉电功能
■
功能说明
该CY62147EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
（SRAM）由16位组织成256K字。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。它非常适用于提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
第10页上的真值表
一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
[1]
CE
OE
BLE
掉电
电路
CE
A
12
A
13
A
15
记
1. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合
1
和
CE
2
这样，当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。
A
11
A
17
A
14
A
16
BHE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05440牧师*
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年1月31日
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
目录
产品组合................................................ .............. 3
引脚配置................................................ ............. 3
最大额定值................................................ ............. 4
经营范围................................................ ............... 4
电气特性................................................ 4
电容................................................. ..................... 4
热阻................................................ 5 ...........
数据保持特性....................................... 5
开关特性................................................ 6
开关波形................................................ ...... 7
真值表................................................ ...................... 10
订购信息................................................ ...... 11
订购代码定义......................................... 11
包图................................................ .......... 12
与缩略语................................................. ....................... 13
文档约定................................................ 13
计量单位............................................... ........ 13
文档历史记录页............................................... .. 14
销售，解决方案和法律信息...................... 16
全球销售和设计支持....................... 16
产品................................................. ................... 16
的PSoC解决方案................................................ ......... 16
文件编号： 38-05440牧师*
第16页2
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
产品组合
产品
范围
民
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
最大
3.6
速度
（纳秒）
功耗
我的操作
CC
（MA ）
待我
SB2
(A)
F = 1 MHz的
f = f
最大
典型值
[2]
最大
典型值
[2]
最大
典型值
[2]
最大
2
2.5
15
20
1
7
CY62147EV30LL
产业
45纳秒
引脚配置
图1. 48球VFBGA （单芯片使能）
[3, 4]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
图2. 48球VFBGA （双芯片使能）
[3, 4]
1
BLE
I / O
8
I / O
9
2
OE
BHE
I / O
10
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
CE
2
I / O
0
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
6
I / O
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
V
SS
I / O
11
V
CC
I / O
12
V
SS
I / O
11
V
CC
I / O
12
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
NC
NC
A
8
A
12
A
9
I / O
14
I / O
13
A
14
I / O
15
NC
NC
A
8
A
12
A
9
图3. 44针TSOP II
[3]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
V
SS
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 38-05440牧师*
第16页3
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度............................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源采用......................................... -55 ° C至+ 125 ℃，
电源电压对地
潜在.......................... -0.3 V至+ 3.9 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6]
.............. 0.3 V至3.9 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
直流输入电压
[5, 6]
........... -0.3 V至3.9 V（V
CCmax
+ 0.3 V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001 V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
设备
CY62147EV30LL
范围
环境
温度
V
CC
[7]
工业-40 ° C至+85°C 2.2 V至3.6 V
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70 V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 2.70 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
V
CC
= 2.2 V至2.7 V
V
CC
= 2.7 V至3.6 V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE > V
CC
– 0.2 V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2 V, V
IN
< 0.2 V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60 V
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
–
–
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
–
–
–
典型值
[8]
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
15
2
1
最大
–
–
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
A
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
SB1
I
SB2
[9]
自动CE
CE > V
CC
– 0.2 V
掉电
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V ，
当前的 - 的CMOS F = 0 ，V
CC
= 3.60 V
输入
–
1
7
A
电容
所有包。
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75 V的脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备交流操作假定至少100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
9.芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05440牧师*
第16页4
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
热阻
[11]
参数
JA
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图4.交流测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
VFBGA
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
C
/ W
C
/ W
相当于：戴维南等效
产量
R
TH
V
3.0 V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50 V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR
[13]
t
CDR
[11]
t
R
[14]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 1.5 V， CE > V
CC
– 0.2 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2 V或V
IN
< 0.2 V
条件
民
1.5
–
0
45
典型值
[12]
最大单位
–
0.8
–
–
–
7
–
–
V
A
ns
ns
图5.数据保存波形
[15, 16]
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
11.测试开始后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数
12.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25 °C.
13.芯片使能（ CE）和字节使能（ BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空..
14.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
15. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合
1
和
CE
2
这样，当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。
16. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
文件编号： 38-05440牧师*
第16页5
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
超高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
汽车-E ： -40°C至+ 125°C
宽电压范围： 2.20V到3.60V
引脚兼容CY62147DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 7
μA
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
易内存扩展与CE
[1]
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅48球VFBGA （单/双CE选项）和
44引脚TSOPII封装
字节的掉电功能
理想提供更多的电池Life （的MoBL
）在便携式应用程序
阳离子，例如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
超过99 ％时，取消（ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）置于
在高阻抗状态时：
■
■
■
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
真值表
第9页上的一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62147EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这是
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据驱动因素
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
记
1. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合
1
和
CE
2
这样，当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。
A
16
A
17
CE
BHE
BLE
BHE
WE
[1]
CE
OE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05440牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年3月31日
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
产品组合
功耗
产品
范围
民
CY62147EV30LL
Ind'l /自动-A
自动-E
2.2
2.2
V
CC
范围（V ）
典型值
[2]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45纳秒
55纳秒
速度
（纳秒）
典型值
[2]
2
2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
3
f = f
最大
典型值
[2]
15
15
最大
20
25
待我
SB2
(μA)
典型值
[2]
1
1
最大
7
20
引脚配置
图1. 48球VFBGA （单芯片使能）
[3, 4]
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
NC
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
图2. 48球VFBGA （双芯片使能）
[3, 4]
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
1
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
CE
2
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
图3. 44针TSOP II
[3]
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 38-05440牧师* G
分页： 13 2
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.......................................... -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................. -0.3V到+ 3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
............... -0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[5, 6]
............ -0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... >200毫安
工作范围
设备
CY62147EV30LL
范围
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
[7]
2.2V至
3.6V
Ind'l /自动在-40°C至+ 85°C
自动-E
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
1
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
15
2
1
典型值
[2]
最大
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
25
3
20
μA
55纳秒（自动-E ）
民
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB1
I
SB2 [8]
1
7
1
20
μA
电容
所有包。
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备交流操作假定至少100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05440牧师* G
第13 3
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图4.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
VFBGA
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
° C / W
° C / W
相当于：戴维南等效
R
TH
产量
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[8]
t
CDR的[9]
t
R [10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
1.5
0.8
7
12
ns
ns
典型值
[2]
最大单位
V
μA
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
图5.数据保存波形
[
1
, 11]
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
10.完整的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
11. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
文件编号： 38-05440牧师* G
第13 4
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[12, 13]
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[16]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[14, 15]
我们前高后低-Z
[14]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[14]
OE高到高Z
[14, 15]
CE低到低Z
[14]
CE高到高阻
[14, 15]
CE低到通电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[14]
BLE / BHE高到高阻
[14, 15]
10
18
0
45
45
10
20
10
18
0
55
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
民
最大
55纳秒（自动-E ）
单位
笔记
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
交流测试负载和波形
第4页。
13. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参阅应用笔记
AN13842
为进一步澄清。
14.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
15. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
16.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ，BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05440牧师* G
第13个5
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
超高速： 45纳秒
温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
- 汽车-E ： -40°C至+ 125°C
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚与CY62147DV30兼容
超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
A
- 最大待机电流： 7
A
（工业级）
超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOPII
套餐
字节的掉电功能
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
降低了当地址不切换功率消耗。
将器件置于待机模式，降低功耗
当取消选择（CE HIGH超过99 ％的消费
或两者BLE和BHE是HIGH ） 。的输入和输出引脚
（IO
0
通过IO
15
）被置于高阻抗状态时：
取消（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作处于活动状态（低CE和WE LOW ）
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过
IO
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
如果字节低使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”第9页
一
读写模式，完整的描述。
功能说明
[1]
该CY62147EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
掉电
电路
CE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
A
16
A
17
BHE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05440牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年5月6日
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
产品组合
功耗
产品
范围
V
CC
范围（V ）
民
CY62147EV30LL Ind'l /自动-A
CY62147EV30LL
自动-E
2.2
2.2
典型值
[2]
3.0
3.0
最大
3.6
3.6
45纳秒
55纳秒
速度
（纳秒）
典型值
[2]
2
2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
最大
2.5
3
f = f
最大
典型值
[2]
15
15
最大
20
25
待我
SB2
(A)
典型值
[2]
1
1
最大
7
20
销刀豆网络gurations
下面显示了48球VFBGA和44引脚TSOP II引脚的身影。
[3, 4]
44引脚TSOP II
顶视图
5
A
2
CE
IO
1
IO
3
IO
4
IO
5
WE
A
11
6
NC
IO
0
IO
2
V
CC
V
SS
IO
6
IO
7
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
IO
0
IO
1
IO
2
IO
3
V
CC
V
SS
IO
4
IO
5
IO
6
IO
7
WE
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
5
A
6
A
7
OE
BHE
BLE
IO
15
IO
14
IO
13
IO
12
V
SS
V
CC
IO
11
IO
10
IO
9
IO
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
48球VFBGA
顶视图
1
BLE
IO
8
IO
9
V
SS
V
CC
IO
14
IO
15
NC
2
OE
BHE
IO
10
IO
11
IO
12
IO
13
NC
A
8
3
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
笔记
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°.
3. NC引脚没有连接上的芯片。
4.销H1 ，G2和H6在BGA封装的地址扩展引脚8兆， 16兆和32兆，分别。
文件编号： 38-05440牧师* E
第12页2
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短电池的寿命
该装置。用户指导未经过测试。
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用........................................... -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................ -0.3V到+ 3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[5, 6]
................- 0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[5, 6]
............- 0.3V至3.9V （V
CCmax
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ....... >200毫安
工作范围
设备
范围
自动-E
环境
温度
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
[7]
2.2V至
3.6V
CY62147EV30LL Ind'l /自动在-40°C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
测试条件
I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安， V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
15
2
1
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
20
2.5
7
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
15
2
1
典型值
[2]
最大
55纳秒（自动-E ）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
25
3
20
A
典型值
[2]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
输出泄漏GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
自动CE
掉电
电流=
CMOS输入
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB1
I
SB2 [8]
1
7
1
20
A
电容
所有包。
[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全面的设备交流操作假定至少100
s
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
s
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05440牧师* E
第12页3
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
热阻
[9]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层
印刷电路板
VFBGA
包
75
10
TSOP II
包
77
13
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
图1. AC测试负载和波形
V
CC
产量
R1
V
CC
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
相当于：戴维南等效
产量
R
TH
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR[8]
t
CDR的[9]
t
R [10]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
条件
民
1.5
0.8
7
12
ns
ns
典型值
[2]
最大单位
V
A
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
数据保存波形
[11]
图2.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE或
BHE.BLE
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
10.完整的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
s.
11. BHE.BLE是既BHE和BLE和。无论是通过禁用芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE取消的芯片。
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第12页4
[+ ]反馈
CY62147EV30的MoBL
开关特性
在整个工作范围
[12, 13]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[16]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[14, 15]
我们前高后低-Z
[14]
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[14]
OE高到高Z
[14, 15]
CE低到低Z
[14]
CE高到高阻
[14, 15]
CE低到通电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[14]
BLE / BHE高到高阻
[14, 15]
10
18
0
45
45
10
20
10
18
0
55
55
5
18
10
20
10
45
22
5
20
45
45
10
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
最大
55纳秒（自动-E ）
民
最大
单位
笔记
12.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入
0脉冲电平到V
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
“交流测试负载和波形”第4页。
13. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。看
应用笔记AN13842
为进一步澄清。
14.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
15. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
16.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ，BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何的
这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
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